一種自耦、感應有載調壓變壓器的製作方法
2023-05-07 10:10:16
專利名稱：一種自耦、感應有載調壓變壓器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種自耦、感應有載調壓變壓器，屬於變壓器製造技術領域。
背景技術：
感應有載調壓的自耦變壓器，主要用於當高、中壓電壓比較接近、且中壓電壓較高的變壓器。
背景技術：
存在的問題是有載開關的絕緣水平要求較高，一般需要開關絕緣水平 500kV級，工藝難度大，成本高。實用新型內容本實用新型目的是提供一種自耦、感應有載調壓變壓器，有效地降低有載開關的絕緣水平，解決背景技術存在的上述問題。本實用新型的技術方案是一種自耦、感應有載調壓變壓器，包含恆磁通器身和變磁通器身，恆磁通器身上設有低壓繞組、調壓繞組、公共繞組、串聯繞組；變磁通器身上設有感應繞組、激磁繞組，恆磁通器身和變磁通器身的鐵心均為單相三柱式結構，恆磁通器身結構尺寸大於變磁通器身結構尺寸，變磁通器身正交設置於恆磁通器身的端部。利用恆磁通器身和變磁通器身在角部的空擋放置有載開關，用於中壓有載調壓。串聯繞組與公共繞組串聯為自耦結構，調壓繞組與勵磁繞組並聯為感應繞組提供勵磁，感應繞組連接於公共繞組首端後引出為中壓端子。本實用新型的有益效果是通過有載開關改變調壓繞組的有效匝數，從而改變與它並聯的勵磁繞組的匝電勢，這樣感應繞組的感應電壓也隨之改變，實現中壓調壓的目的。由於調壓線圈沒有直接連接在高壓和中壓線圈上，而是一端連接在中性點，開關的絕緣水平即為中性點的絕緣水平，所以開關的絕緣水平很低，開關絕緣水平由500kv級降低為 72. 5kV級，降低成本。
附圖1是本發明變壓器結構布置俯視圖圖中1恆磁通器身、2串聯繞組、3公共繞組、4調壓繞組、5低壓繞組、6有載開關、 7變磁通器身、8感應繞組、9激磁繞組。
具體實施方式
以下結合附圖，通過實施例對本實用新型作進一步說明。一種自耦、感應有載調壓變壓器，包含恆磁通器身1和變磁通器身7，恆磁通器身上設有低壓繞組5、調壓繞組4、公共繞組3、串聯繞組2 ；變磁通器身上設有感應繞組8、激磁繞組9，恆磁通器身和變磁通器身的鐵心均為單相三柱式結構，恆磁通器身結構尺寸大於變磁通器身結構尺寸，變磁通器身正交設置於恆磁通器身的端部。利用恆磁通器身和變磁通器身在角部的空擋放置有載開關，用於中壓有載調壓。串聯繞組與公共繞組串聯為自耦結構，調壓繞組與勵磁繞組並聯為感應繞組提供勵磁，感應繞組連接於公共繞組首端後引出為中壓端子。恆磁通器身從鐵心柱起從內向外的繞組排列順序為低壓繞組、調壓繞組、 公共繞組、串聯繞組；變磁通器身從鐵心柱起從內向外的繞組排列順序為激磁繞組、感應繞組。
權利要求1.一種自耦、感應有載調壓變壓器，其特徵在於包含恆磁通器身(1)和變磁通器身 (7)，恆磁通器身上設有低壓繞組(5)、調壓繞組(4)、公共繞組(3)、串聯繞組(2)；變磁通器身上設有感應繞組(8)、激磁繞組(9)，恆磁通器身和變磁通器身的鐵心均為單相三柱式結構，恆磁通器身結構尺寸大於變磁通器身結構尺寸，變磁通器身正交設置於恆磁通器身的端部。
2.根據權利要求1所述之自耦、感應有載調壓變壓器，其特徵在於串聯繞組與公共繞組串聯為自耦結構，調壓繞組與勵磁繞組並聯為感應繞組提供勵磁，感應繞組連接於公共繞組首端後引出為中壓端子。
3.根據權利要求1或2所述之自耦、感應有載調壓變壓器，其特徵在於恆磁通器身從鐵心柱起從內向外的繞組排列順序為低壓繞組、調壓繞組、公共繞組、串聯繞組；變磁通器身從鐵心柱起從內向外的繞組排列順序為激磁繞組、感應繞組。
專利摘要本實用新型涉及一種自耦、感應有載調壓變壓器，屬於變壓器製造技術領域。技術方案是包含恆磁通器身(1)和變磁通器身(7)，恆磁通器身上設有低壓繞組(5)、調壓繞組(4)、公共繞組(3)、串聯繞組(2)；變磁通器身上設有感應繞組(8)、激磁繞組(9)，恆磁通器身和變磁通器身的鐵心均為單相三柱式結構，恆磁通器身結構尺寸大於變磁通器身結構尺寸，變磁通器身正交設置於恆磁通器身的端部。由於調壓線圈沒有直接連接在高壓和中壓線圈上，而是一端連接在中性點，開關的絕緣水平即為中性點的絕緣水平，所以開關的絕緣水平很低，開關絕緣水平由500kV級降低為72.5kV級，降低成本。
文檔編號H01F29/04GK202034213SQ20112011674
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月20日 優先權日2010年12月30日
發明者劉力強, 張棟, 李程, 範洪濤, 趙峰 申請人:保定天威集團有限公司