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薄膜電晶體液晶顯示裝置及其驅動方法

2023-04-29 05:03:46

專利名稱:薄膜電晶體液晶顯示裝置及其驅動方法
技術領域:
本發明涉及液晶顯示領域,尤其涉及一種薄膜電晶體((Thin FilmTransistor,簡 稱TFT)液晶顯示裝置及其驅動方法。
背景技術:
TFT液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)中的液晶由陣列基板和彩膜基 板夾持,彩膜基板上有彩色樹脂和公共電極,陣列基板上有TFT和像素電極,當公共電極和 像素電極之間施加電壓時液晶反轉。對於常白方式的LCD來說,液晶兩側電壓差越小,液晶 分子的透射率越大。當液晶分子兩側施加電壓時,液晶分子旋轉,從而使背光源提供的光可 以透過液晶分子透射出去,透過的光的多少由液晶分子的旋轉角度決定。由於液晶分子本 身的特性,如果只採用一種極性的電壓進行驅動,液晶分子極易老化,從而縮短了液晶分子 的壽命。所以為避免其老化,必須採用正負極電壓交替驅動的方式驅動液晶分子。
如圖1所示為現有技術中TFT結構示意圖,當柵線101給TFT的柵極102加開啟 電壓時,此時TFT處於開啟狀態,數據線103與TFT的源極104連接,TFT的漏極105連接 像素電極(圖1中未示出),像素電極和設置在彩膜基板上的公共電極之間的電壓差驅動液 晶分子反轉,公共電極上施加一公共電極電壓Vcom。圖1中,像素電容(CJ106是公共電極 和像素電極之間形成的一個等效電容。當TFT開啟時,數據線103向像素電容(CJ106充 電。保持電容(Cs) 107通常與像素電容(CJ 106並聯,以改善其保持特性。
當像素電容(CJ106充電完畢後,柵線101再給TFT的柵極102提供關閉電壓,此 時TFT處於關閉狀態,像素電容(CJ106已充的電壓可以保持直到下一次該柵極被打開。
如圖2所示為現有技術中液晶分子驅動示意圖。圖中,測得的液晶的V-T曲線 201的橫軸為驅動電壓(Driving Voltage,簡稱V) , V_T曲線的縱軸為液晶分子的透射率 (Transmittance,簡稱T), V-T曲線是由液晶本身的特性決定的。在測得液晶的V-T曲線 之後,需要確定驅動電壓的動態範圍202,並根據動態範圍202確定公共電極電壓203,對於 常白方式的LCD來說,液晶兩側電壓差越小,液晶分子的透射率越大,所以將公共電極電壓 203選擇為液晶透射率最高時對應的驅動電壓,即,公共電極電壓203可以是V-T曲線201 的極大值處對應的橫坐標。在動態範圍202內,高於公共電極電壓的驅動電壓範圍定義為 正向驅動電壓範圍204,低於公共電極電壓的驅動電壓範圍定義為負向驅動電壓範圍205。 當TFT的源極施加正向驅動電壓範圍內的正向反轉信號時,液晶分子的反轉由正向反轉信 號電壓與公共電極電壓之間的壓差決定;當TFT的源極施加負向驅動電壓範圍內的負向反 轉信號時,液晶分子的反轉由負向反轉信號電壓與公共電極電壓之間的壓差決定。這樣,在 正向和負向驅動時,液晶向正方向與負方向旋轉的角度相同,從而使其對光的透過率保持 一致。 通過設定公共電極電壓,在液晶分子不斷轉動的前提下,既避免了畫面閃爍,又防 止了液晶分子的老化。 如圖3所示為現有技術中陣列基板上TFT陣列示意圖。目前在TFT液晶驅動時,
4通常採用的反轉方式有
(1)幀反轉 即在一幀畫面內採用相同的電壓極性驅動液晶,而在相鄰的下一幀畫面內採用相 反的電壓極性進行驅動。如圖4所示為現有技術中採用幀反轉方式驅動液晶反轉時各幀的 TFT陣列中各像素電容兩側電壓極性示意圖。
(2)行反轉 即在一幀畫面內,同一行柵線上的像素電容採用相同的極性的電壓進行驅動,而 在相鄰行柵線上的像素電容採用相反的極性的電壓進行驅動。如圖5所示為現有技術中採 用行反轉方式驅動液晶反轉時各幀的TFT陣列中各像素電容兩側電壓極性示意圖。
(3)列反轉 即在一幀畫面內,相同列的數據線上的像素電容採用相同極性的電壓進行驅動, 而在相鄰列的數據線上的像素電容採用相反極性的電壓進行驅動。如圖6所示為現有技術 中採用列反轉方式驅動液晶反轉時各幀的TFT陣列中各像素電容兩側電壓極性示意圖。
(4)點反轉 即在一幀畫面內,任何相鄰的像素電容的驅動電壓的極性均不相同,而在相鄰的 下一幀畫面內每一個像素電容採用與相鄰上一幀相反極性的電壓進行驅動。如圖7所示為 現有技術中採用點反轉方式驅動液晶反轉時各幀的TFT陣列中各像素電容兩側電壓極性 示意圖。 現有技術中液晶驅動方式存在的問題在於由於採用一個公共電極電壓,正向驅 動和負向驅動液晶反轉時只有一個參考電壓,所以驅動電壓的動態範圍大,如圖2所示,驅 動電壓需要在如附圖標記202所示大小的範圍內進行變化,而驅動電壓動態範圍的大小直 接決定了液晶驅動電路部分的功耗,現有技術中的液晶驅動方式會造成驅動過程中大額的 功率消耗。

發明內容
本發明的目的在於針對現有技術中存在的問題,提供一種液晶顯示裝置,可以減 小驅動液晶反轉過程中的功耗。 為實現上述目的,本發明提供一種薄膜電晶體液晶顯示裝置,包括陣列基板和彩
膜基板,所述彩膜基板上的公共電極被分割為多列,每一列對應一列像素; 在所述彩膜基板上,第奇數列為第一公共電極,第偶數列為第二公共電極; 所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動
電壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。 驅動該薄膜電晶體液晶顯示裝置的方法可以包括 在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入第一公 共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入第二公共電極電壓信號;並且所述薄膜電晶體 液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數列數據線輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅 動電壓-透過率曲線中的正向驅動電壓信號,所述液晶顯示裝置的陣列基板上的第偶數列 數據線輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率曲線中的負向驅動電壓 信號;
在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入 所述第二公共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入所述第一公共電極電壓信號;並且 所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數列數據線輸入所述第二公共電極電 壓對應的第二驅動電壓_透過率曲線中的負向驅動電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝 置的陣列基板上的第偶數列數據線輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓-透 過率曲線中的正向驅動電壓信號; 所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動 電壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。 本發明還提供了一種薄膜電晶體液晶顯示裝置,包括陣列基板和彩膜基板,所述 彩膜基板上的公共電極被分割為與像素對應的陣列; 在所述彩膜基板上,第奇數行的第奇數個像素和第偶數行的第偶數個像素中設置 第一公共電極; 第奇數行的第偶數個像素和第偶數行的第奇數個像素中設置第二公共電極;
所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動 電壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。
驅動該薄膜電晶體液晶顯示裝置的驅動方法,包括 在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入第一公 共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入第二公共電極電壓信號;並且所述薄膜電晶體 液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第奇數列數據線和第偶數行的第偶數列數據線 輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓_透過率曲線中的正向驅動電壓信號,所 述薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第偶數列數據線和第偶數行的第 奇數列數據線輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率曲線中的負向驅 動電壓信號; 在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入 所述第二公共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入所述第一公共電極電壓信號;並且 所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第奇數列數據線和第偶數行的 第偶數列數據線輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率曲線中的負向 驅動電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第偶數列數據線 和第偶數行的第奇數列數據線輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓-透過率 曲線中的正向驅動電壓信號; 所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動 電壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。 本發明還提供了一種薄膜電晶體液晶顯示裝置驅動方法,包括 在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的
彩膜基板上的公共電極中輸入第一公共電極電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣
列基板上的各數據線中輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓-透過率曲線中
的正向驅動電壓信號; 在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,所述薄膜電晶體液晶顯示 裝置的彩膜基板上的公共電極中輸入第二公共電極電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝
6置的陣列基板上的各數據線中輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率 曲線中的負向驅動電壓信號; 所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動 電壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。 本發明提供的薄膜電晶體液晶顯示裝置以及驅動方法,設置第一公共電極電壓和 第二公共電極電壓,將第一公共電極電壓和第二公共電極電壓之差設置為大於零且小於液 晶驅動電壓-透過率曲線的驅動電壓動態範圍,就可以保證用於驅動液晶顯示裝置時需要 的輸入電壓的動態範圍小於液晶驅動電壓-透過率曲線的驅動電壓動態範圍,從而減小驅 動液晶反轉時的功耗。 下面通過附圖和實施例,對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。


圖1所示為現有技術中TFT結構示意圖;
圖2所示為現有技術中液晶分子驅動示意圖;
圖3所示為現有技術中陣列基板上TFT陣列示意圖; 圖4所示為現有技術中採用幀反轉方式驅動液晶反轉時各幀的TFT陣列中各像素 電容兩側電壓極性示意圖; 圖5所示為現有技術中採用行反轉方式驅動液晶反轉時各幀的TFT陣列中各像素 電容兩側電壓極性示意圖; 圖6所示為現有技術中採用列反轉方式驅動液晶反轉時各幀的TFT陣列中各像素 電容兩側電壓極性示意圖; 圖7所示為現有技術中採用點反轉方式驅動液晶反轉時各幀的TFT陣列中各像素 電容兩側電壓極性示意圖; 圖8所示為本發明TFT液晶顯示裝置實施例一中彩膜基板結構示意圖;
圖9所示為本發明TFT液晶顯示裝置驅動方法實施例一示意圖;
圖10所示為本發明TFT液晶顯示裝置驅動方法實施例二示意圖;
圖11所示為本發明TFT液晶顯示裝置實施例二中彩膜基板結構示意圖。
具體實施例方式
液晶顯示裝置採用點陣方式顯示具有一定解析度的圖像。在液晶顯示裝置中,一 個TFT、像素電極與設置在彩膜基板上的公共電極可以構成一個顯示單元,可以稱之為一個像素。 如圖8所示為本發明TFT液晶顯示裝置實施例一中彩膜基板結構示意圖,在該彩 膜基板中,公共電極被分割為多列,每一列均對應一列像素,第奇數列公共電極11與一個 第一轉印電極點13連接,第偶數列公共電極12與一個第二轉印電極點14連接,圖8中還 包括黑矩陣(Black Matrix,簡稱BM) 15。 如圖9所示為本發明TFT液晶顯示裝置驅動方法實施例一示意圖,下面結合圖8 和圖9詳細說明本發明液晶顯示裝置實施例一的驅動方式。 如圖9所示,首先設置第一公共電極電壓K和第二公共電極電壓V2這兩個公共電極電壓,第一轉印電極點輸入第一公共電極電壓信號,第二轉印電極點輸入第二公共電極 電壓信號。K為第一 V-T曲線301透射率極大值處對應的橫坐標,V2為第二 V-T曲線302 透射率極大值處對應的橫坐標。由於液晶的V-T曲線是由液晶的特性決定的,對於一個液 晶顯示裝置,其液晶的V-T曲線的形狀是一定的,公共電極電壓是V-T曲線中透射率最大的 點對應的橫坐標,所以不同的公共電極電壓對應的V-T曲線的形狀是完全一致的,只不過 曲線的位置在橫軸方向上發生了平移。 其中,^和V2之差應當大於零且小於第一V-T曲線的驅動電壓動態範圍,第一V-T 曲線的驅動電壓動態範圍的起點和終點分別為V卜"V卜2,第二V-T曲線的驅動電壓動態範圍 的起點和終點分別為V2—p V2—2,通常,由於TFT的柵極、源極和漏極之間存在寄生電容,所以 V-T曲線中,正向和負向驅動電壓範圍不完全相等。 在液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,在彩膜基板上,第奇數列像素的第一公共電 極中輸入第一公共電極電壓信號;在陣列基板上,第奇數列數據線中輸入第一V-T曲線中 正向驅動電壓信號,即如圖9所示的第一V-T曲線中V工到V卜2範圍內的電壓信號,由於^到 2範圍內的信號電壓均大於等於K的信號電壓,所以施加在液晶兩側的是正向電壓,可以 將K到V卜2範圍內的電壓信號稱為正向驅動電壓信號。同時,第偶數列像素的第二公共電 極中輸入第二公共電極電壓信號;在陣列基板上,第偶數列數據線中輸入第二V-T曲線中 反向驅動電壓信號,即如圖9所示的第二 V-T曲線中V2—工到V2範圍內的電壓信號,由於V2—工 到V2範圍內的信號電壓均小於等於V2的信號電壓,所以施加在液晶兩側的是負向電壓,可 以將V2—工到V2範圍內的電壓信號稱為負向驅動電壓信號。 在液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,在彩膜基板上,第奇數列像素的第一 公共電極中輸入第二公共電極電壓信號;在陣列基板上,第奇數列數據線中輸入第二V-T 曲線中負向驅動電壓信號。同時,第偶數列像素的第二公共電極中輸入第一公共電極電壓 信號;在陣列基板上,第偶數列數據線中輸入第一V-T曲線中正向驅動電壓信號。
通過採用上述的驅動方式可以實現如圖6所示的列反轉。在以上的驅動方式中, 輸入到第一公共電極或第二公共電極中的驅動電壓的變化範圍為K到V2,由於K和V2之 差小於第一V-T曲線的驅動電壓動態範圍,所以可以保證輸入到第一公共電極和第二公共 電極中驅動電壓信號的動態範圍小於第一V-T曲線的驅動電壓動態範圍,從而可以減小驅 動液晶顯示裝置過程中的功耗。 圖9中,K和V2之差小於第一 V-T曲線的驅動電壓動態範圍,並且,V卜2小於V2, V2—工大於V1Q關於K和V2的設置還可以如圖10所示,圖10所示為本發明TFT液晶顯示裝 置驅動方法實施例二示意圖。圖10中,在保證^和、之差大於零且小於第一V-T曲線的 驅動電壓動態範圍的基礎上,V卜2大於V2, V2—工小於V"在這種情況下,輸入到第一公共電極 和第二公共電極中的驅動電壓信號的動態範圍也小於第一V-T曲線的驅動電壓動態範圍。 較佳的實現方式中,可以使得輸入到第一公共電極和第二公共電極中的驅動電壓信號的動 態範圍接近於第一V-T曲線中正向或負向驅動電壓動態範圍中較大的一個,可以更好地減 小驅動液晶顯示裝置過程中的功耗。 如圖ll所示為本發明TFT液晶顯示裝置實施例二中彩膜基板結構示意圖,在該彩 膜基板上,公共電極被分割為與像素對應的陣列;第奇數行的第奇數個像素和第偶數行的 第偶數個像素中設置第一公共電極21 ;第奇數行的第偶數個像素和第偶數行的第奇數個
8像素中設置第二公共電極22。彩膜基板上的公共電極是通過沉積的方式得到的,所以為了 實現實施例二中的彩膜基板的結構,可以將第奇數行的第奇數個像素和第偶數行的第偶數 個像素的公共電極連接起來,與第一轉印電極點23連接,輸入第一公共電極電壓,將第奇 數行的第偶數個像素和第偶數行的第奇數個像素的公共電極連接起來,與第二轉印電極點 24連接,輸入第二公共電極電壓。 在液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,第一轉印電極點中輸入第一公共電極電壓信 號,也就是所有的第一公共電極中輸入第一公共電極電壓信號,第二轉印電極點中輸入第 二公共電極電壓信號,也就是所有的第二公共電極中輸入第二公共電極電壓信號;並且液 晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第奇數列數據線和第偶數行的第偶數列數據線輸 入第一公共電極電壓對應的第一V-T曲線中的正向驅動電壓信號,液晶顯示裝置的陣列基 板上的第奇數行的第偶數列數據線和第偶數行的第奇數列數據線輸入第二公共電極電壓 對應的第二V-T曲線中的負向驅動電壓信號。 在液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,第一轉印電極點中輸入第二公共電極 電壓信號,也就是所有的第一公共電極中輸入第二公共電極電壓信號;第二轉印電極點中 輸入第一公共電極電壓信號,也就是所有的第二公共電極中輸入第一公共電極電壓信號; 並且液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第奇數列數據線和第偶數行的第偶數列數 據線輸入第二公共電極電壓對應的第二V-T曲線中的負向驅動電壓信號,液晶顯示裝置的 陣列基板上的第奇數行的第偶數列數據線和第偶數行的第奇數列數據線輸入第一公共電 極電壓對應的第一V-T曲線中的正向驅動電壓信號。 通過圖11所示的彩膜基板結構,可以實現如圖7所示的點反轉。將第一公共電極 電壓和第二公共電極電壓之差設置為大於零且小於第一V-T曲線的驅動電壓動態範圍,就 可以保證用於驅動如圖11所示的彩膜基板組成的液晶顯示裝置時需要的輸入電壓的動態 範圍小於第一 V-T曲線的驅動電壓動態範圍,從而減小驅動液晶顯示裝置時的功耗。
在現有技術中,公共電極通常是沉積在彩膜基板上的一層ITO(氧化銦錫),也就 是說公共電極是一個整體,對於這種結構的液晶顯示裝置,通過設置兩個公共電極電壓實 現驅動的方式可以是 在液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,彩膜基板上的公共電極中輸入第一公共電極 電壓信號,陣列基板上的各數據線中輸入第一公共電極電壓對應的第一V-T曲線中的正向 驅動電壓信號; 在液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,彩膜基板上的公共電極中輸入第二公 共電極電壓信號,陣列基板上的各數據線中輸入第二公共電極電壓對應的第二V-T曲線中 的負向驅動電壓信號。 通過這樣的驅動方式,可以實現幀反轉;將第一公共電極電壓和第二公共電極電 壓之差設置為大於零且小於第一V-T曲線的驅動電壓動態範圍,就可以保證用於驅動現有 技術中的液晶顯示裝置時需要的輸入電壓的動態範圍小於第一V-T曲線的驅動電壓動態 範圍,從而減小驅動液晶顯示裝置時的功耗。 最後應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其進行限制, 儘管參照較佳實施例對本發明進行了詳細的說明,本領域的普通技術人員應當理解其依 然可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換,而這些修改或者等同替換亦不能使修改後的技術方案脫離本發明技術方案的精神和範圍'
權利要求
一種薄膜電晶體液晶顯示裝置,包括陣列基板和彩膜基板,其特徵在於,所述彩膜基板上的公共電極被分割為多列,每一列對應一列像素;在所述彩膜基板上,第奇數列為第一公共電極,第偶數列為第二公共電極;所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動電壓-透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。
2. —種薄膜電晶體液晶顯示裝置,包括陣列基板和彩膜基板,其特徵在於,所述彩膜基 板上的公共電極被分割為與像素對應的陣列;在所述彩膜基板上,第奇數行的第奇數個像素和第偶數行的第偶數個像素中設置第一 公共電極;第奇數行的第偶數個像素和第偶數行的第奇數個像素中設置第二公共電極; 所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動電 壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。
3. —種如權利要求1所述的薄膜電晶體液晶顯示裝置的驅動方法,其特徵在於,包括 在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入第一公共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入第二公共電極電壓信號;並且所述薄膜電晶體液晶 顯示裝置的陣列基板上的第奇數列數據線輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電 壓-透過率曲線中的正向驅動電壓信號,所述液晶顯示裝置的陣列基板上的第偶數列數據 線輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率曲線中的負向驅動電壓信號;在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入所述 第二公共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入所述第一公共電極電壓信號;並且所述 薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數列數據線輸入所述第二公共電極電壓對 應的第二驅動電壓-透過率曲線中的負向驅動電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的 陣列基板上的第偶數列數據線輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓-透過率 曲線中的正向驅動電壓信號;所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動電 壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。
4. 一種如權利要求2所述的薄膜電晶體液晶顯示裝置的驅動方法,其特徵在於,包括 在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入第一公共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入第二公共電極電壓信號;並且所述薄膜電晶體液晶 顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第奇數列數據線和第偶數行的第偶數列數據線輸入 所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓-透過率曲線中的正向驅動電壓信號,所述薄 膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第偶數列數據線和第偶數行的第奇數 列數據線輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率曲線中的負向驅動電 壓信號;在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,所述第一公共電極中輸入所述 第二公共電極電壓信號,所述第二公共電極中輸入所述第一公共電極電壓信號;並且所述 薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第奇數列數據線和第偶數行的第偶 數列數據線輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率曲線中的負向驅動 電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基板上的第奇數行的第偶數列數據線和第偶數行的第奇數列數據線輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓-透過率曲線 中的正向驅動電壓信號;所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動電 壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。
5. —種薄膜電晶體液晶顯示裝置驅動方法,其特徵在於,包括在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示一幀的時間內,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的彩膜 基板上的公共電極中輸入第一公共電極電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的陣列基 板上的各數據線中輸入所述第一公共電極電壓對應的第一驅動電壓-透過率曲線中的正 向驅動電壓信號;在薄膜電晶體液晶顯示裝置顯示相鄰下一幀的時間內,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置 的彩膜基板上的公共電極中輸入第二公共電極電壓信號,所述薄膜電晶體液晶顯示裝置的 陣列基板上的各數據線中輸入所述第二公共電極電壓對應的第二驅動電壓-透過率曲線 中的負向驅動電壓信號;所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動電 壓_透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。
全文摘要
本發明公開了一種薄膜電晶體液晶顯示裝置及其驅動方法,其中薄膜電晶體液晶顯示裝置,包括陣列基板和彩膜基板,所述彩膜基板上的公共電極被分割為多列,每一列對應一列像素;在所述彩膜基板上,第奇數列為第一公共電極,第偶數列為第二公共電極;所述第一公共電極和所述第二公共電極輸入的電壓之差大於零且小於液晶驅動電壓-透過率曲線中的驅動電壓動態範圍。本發明提供的薄膜電晶體液晶顯示裝置及其驅動方法,通過設置兩個公共電極電壓,可以使得驅動液晶顯示裝置需要的輸入電壓的動態範圍小於液晶的V-T曲線的驅動電壓的動態範圍,從而可以減小驅動液晶顯示裝置過程中的功耗。
文檔編號G02F1/1362GK101726914SQ200810223760
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月10日 優先權日2008年10月10日
發明者王丹, 陳明 申請人:北京京東方光電科技有限公司

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專利名稱:一種實現縮放的視頻解碼方法技術領域:本發明涉及視頻信號處理領域,特別是一種實現縮放的視頻解碼方法。背景技術: Mpeg標準是由運動圖像專家組(Moving Picture Expert Group,MPEG)開發的用於視頻和音頻壓縮的一系列演進的標準。按照Mpeg標準,視頻圖像壓縮編碼後包

基於加熱模壓的纖維增強PBT複合材料成型工藝的製作方法

本發明涉及一種基於加熱模壓的纖維增強pbt複合材料成型工藝。背景技術:熱塑性複合材料與傳統熱固性複合材料相比其具有較好的韌性和抗衝擊性能,此外其還具有可回收利用等優點。熱塑性塑料在液態時流動能力差,使得其與纖維結合浸潤困難。環狀對苯二甲酸丁二醇酯(cbt)是一種環狀預聚物,該材料力學性能差不適合做纖

一種pe滾塑儲槽的製作方法

專利名稱:一種pe滾塑儲槽的製作方法技術領域:一種PE滾塑儲槽一、 技術領域 本實用新型涉及一種PE滾塑儲槽,主要用於化工、染料、醫藥、農藥、冶金、稀土、機械、電子、電力、環保、紡織、釀造、釀造、食品、給水、排水等行業儲存液體使用。二、 背景技術 目前,化工液體耐腐蝕貯運設備,普遍使用傳統的玻璃鋼容

釘的製作方法

專利名稱:釘的製作方法技術領域:本實用新型涉及一種釘,尤其涉及一種可提供方便拔除的鐵(鋼)釘。背景技術:考慮到廢木材回收後再加工利用作業的方便性與安全性,根據環保規定,廢木材的回收是必須將釘於廢木材上的鐵(鋼)釘拔除。如圖1、圖2所示,目前用以釘入木材的鐵(鋼)釘10主要是在一釘體11的一端形成一尖

直流氧噴裝置的製作方法

專利名稱:直流氧噴裝置的製作方法技術領域:本實用新型涉及ー種醫療器械,具體地說是ー種直流氧噴裝置。背景技術:臨床上的放療過程極易造成患者的局部皮膚損傷和炎症,被稱為「放射性皮炎」。目前對於放射性皮炎的主要治療措施是塗抹藥膏,而放射性皮炎患者多伴有局部疼痛,對於止痛,多是通過ロ服或靜脈注射進行止痛治療

新型熱網閥門操作手輪的製作方法

專利名稱:新型熱網閥門操作手輪的製作方法技術領域:新型熱網閥門操作手輪技術領域:本實用新型涉及一種新型熱網閥門操作手輪,屬於機械領域。背景技術::閥門作為流體控制裝置應用廣泛,手輪傳動的閥門使用比例佔90%以上。國家標準中提及手輪所起作用為傳動功能,不作為閥門的運輸、起吊裝置,不承受軸向力。現有閥門

用來自動讀取管狀容器所載識別碼的裝置的製作方法

專利名稱:用來自動讀取管狀容器所載識別碼的裝置的製作方法背景技術:1-本發明所屬領域本發明涉及一種用來自動讀取管狀容器所載識別碼的裝置,其中的管狀容器被放在循環於配送鏈上的文檔匣或託架裝置中。本發明特別適用於,然而並非僅僅專用於,對引入自動分析系統的血液樣本試管之類的自動識別。本發明還涉及專為實現讀