一種溫度發電裝置及方法

2023-05-02 08:48:51 2

專利名稱：：一種溫度發電裝置及方法
技術領域：
：本發明系有關於一種溫度.發電裝置及方法，涉及發電裝置與方法領域，尤其是指以低功函數材料與高吸收熱能材料，透過外加的電場，將產生的電子以電場吸引方式誘導到導體層，進而產生電能的發電裝置。背景扶術由於科技快速發展，加上全球人口的增長，能源的使用也不斷地增加，目前最重要的能源應屬石油，現今石油的存量正在迅速減少中，專家預估可能在半世紀後會有供應上的危機，此一世界性的能源危機，迫使人們再度致力於尋找新的可利用能源，故許多研究者已致力於減少現有能源使用的浪費，及新能源的開發，近年來由於在技術上熱電材料性能的不斷提升，及環保議題上溫室效應/二氧化碳減量等因素，因此利用熱電轉換技術，進一步將大量廢熱回收轉為電能的方式，普遍得到日、美、歐等先進國家的重視。而本發明人亦設計如臺灣申請號第96132942號r溫度發電裝置及方法」提供另外一種比傳統發電更方便與更經濟的新能源，以減少地球日益暖化的危機，以及能源的消耗，達到環保的目的。然，前述的「溫度發電裝置及方法」系應用於供給外部電流及電壓，其應用層面有所局限，為了更提升溫度發電裝置及方法的應用層面及價值，本發明人另外提供一種溫度發電裝置及方法，透過改變其內部電場的位置，擴大在電子電機系統上的應用。
發明內容本發明一種溫度發電裝置，包括有溫度反應層，系以低比熱、太陽放射吸收率接近1且低黑體放射率的材料製成，具有相對的第一面及第二面，其第一面系用以吸收熱能；熱電子生成層，具有相對的第一面及第二面，其第一面與溫度反應層的第二面相連，系以低功函數或低游離能材料製成；第一絕緣層，具有相對的第一面及第二面，其厚度為ia8111-1CX2m，其第一面系與熱電子生成層的第二面相連；第一導體層，具有相對的第一面及第二面，其第一面系與第一絕緣層的第二面相連；第二絕緣層，其厚度為10^m-1(T2m，具有相對的第一面及第二面，其第一面系與第一導體層的第二面相連；第二導體層，具有相對的第一面及第二面，其第一面系與第二絕緣層第二面相連；外接電源，其正極連接於第一導體層或第二導體層之一，而負極連接溫度反應層，於兩極之間提供一電場；電性輸出組件，分別連接於溫度反應層、第一導體層以及第二導體層。上述的溫度發電裝置，其中該溫度反應層選自不鏽鋼、氧化銅、鎳及鉻所組成材料群組之任一種。其中該溫度反應層的太陽放射吸收率接近1時大氣質量為2。該溫度反應層的黑體放射率為對IO(TC黑體放射的放射率，且放射率趨近O。其第一面為深色。上述的溫度發電裝置，該低功函數或低游離能的材料選自鑭、鋁、鉿、化學周期表的鹼金族元素之鋰、鈉、鉀、銣、銫及化學周期表的鹼土族元素之鈹、鎂、4丐、鍶、鋇、鐳及化合物六硼化鑭(LaB6)所組成材料群組之任一種。其中該熱電子生成層的低功函數材料係指其功函數系小於3eV的材料。低游離能材料指其游離能材料小於200(kcal/mole)之材料。上述的溫度發電裝置，其中，該第一絕緣層為介電層。該第一絕緣層為真空層或氣體絕緣層。該介電層的材料系單位截面積電阻係數大於10WQ/cm以上的材料，為二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及鈦酸鉛鋇所組成材料群組之中的任何一種。上述的溫度發電裝置，其中，該第一導體層系單位截面積電阻係數小於1^Q/cm以下的低電阻材質。該第一導體層達到形狀系片體或網狀片體。上述的溫度發電裝置，其中，該第二絕緣層為介電層。該第一絕緣層為真空層或氣體絕緣層。該介電層的材料系單位截面積電阻係數大於10"Q/cm以上的材料，為二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及鈦酸鉛鋇所組成材料群組之中的任何一種。上述的溫度發電裝置，其中，該外接電源系以正極連接第一導體層，負極連接溫度反應層，電性輸出組件系連接溫度反應層與第二導體層作為輸出端。上述的溫度發電裝置，其中，該外接電源系以正極連接第二導體層，負極連接溫^1反應層，電性輸出組件系連接溫度反應層與第一導體層作為輸出端。上述的溫度發電裝置，利用串聯或並聯組合多個溫度發電裝置。本發明一種溫度發電方法，包括A.設置一熱電子生成層於一溫度反應層上披覆一層以低游離能或低功函數材料所構成的熱電子生成層；B.設置一第一絕緣層於上述的熱電子生成層上設置極薄的第一絕緣層；C.設置一第一導體層設置一層第一導體層與第一絕緣層相連；D.設置一第二絕緣層於第一導體層上設置極薄的第二絕緣層；E.設置一第二導體層設置一第二導體層與第二絕緣層相連；F.外加一電場正極連接於第一導體層或第二導體層之一，而負極連接溫度反應層，而於兩極之間外加一電場，誘使熱電子生成層產生熱電子，而將電源輸出。於溫度反應層與第二導體層外加一電場，誘使熱電子生成層產生熱電子，而於溫度反應層與第一導體層輸出電源。上述的溫度發電方法，其中步驟A，其熱電子生成層4皮覆的方式系選自蒸鍍、賊鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相蟲晶法其中任何一種。上述的溫度發電方法，其中步驟B中，該極薄之第一絕緣層的厚度系ic;8m-10"2m。設置第一絕緣層的方式為鍍上介電層。設置第一絕緣層的方式系真空絕緣或氣體絕緣。鍍上介電層的方式為蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。上述的溫度發電方法，其中步驟C,其第一導體層的設置方式選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相蟲晶法其中任何一種。該第一導體層以蝕刻技術或光罩其中任何一種做出網狀孔洞。上述的溫度發電方法，其中步驟D中，該極薄之第二絕緣層其厚度系1CX、-1^2m。設置第二絕緣層的方式為鍍上介電層。設置第二絕緣層的方式系真空絕緣或氣體絕緣。鍍上介電層之方式為蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法、物理化學氣相磊晶法其中任何一種。上迷的溫度發電方法，其中步驟E中，其第二導體層之設置方式系選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。上述的溫度發電方法，其中步驟F繫於溫度反應層與第一導體層外加一電場，而於溫度反應層與第二導體層輸出電源。上述的溫度發電方法，其中步驟F繫於溫度反應層與第二導體層外加一電場，而於溫度反應層與第一導體層輸出電源。本發明優點如下1.本發明系以低功函數或低游離能材料製備熱電子生成層，以高吸收熱能材料製備溫度反應層，透過外接電源產生一電場，吸引因溫度所產生的熱電子，透過外界的能量與電場之間的配合，產生高於外加的電場能量，故可有效降低能源成本。2.本發明於常溫常壓下即可操作，不需外在的壓力平衡設計，而且重量輕，系統結構簡單。3.本發明不會有毒性副產物產生，具有良好的環保性。4.本發明溫度發電裝置可作為發電器使用，可廣泛應用於各種機電領域。現結合附圖對本發明詳細說明圖l.本發明第一實施例的裝置示意圖；圖2.本發明第二實施例的裝置串聯組合示意圖:圖3.本發明網狀金屬層樣態示意圖；圖4.本發明第三實施例方法流程圖。主要組件符號說明(1)溫度反應層(12)第二面(21)第一面(3)第一絕緣層(32)(41)第二面第一面(5)第二絕緣層(52)第二面(61)第一面(7)外接電源(11)第一面(2)熱電子生成層(22)第二面(31)第一面(4)第一導體層(42)第二面(51)第一面(6)第二導體層(62)第二面(8)電性輸出組件具體實施方式:本發明第一實施例，為一種溫度發電裝置，請參見圖1，包括有溫度反應層(l),系以低比熱、太陽放射吸收率接近1且低黑體放射率的材料製成，具有相對的第一面(11)及第二面(12)，其第一面(11)用以吸收熱能，該溫度反應層(1)為不鏽鋼、氧化銅、鎳或鉻其中任何一種；該溫度反應層(1)的太陽放射吸收率接近1時大氣質量為2;其低黑體放射率係指對100。C黑體放射的放射率，且放射率趨近0;該溫度反應層(1)的第一面(11)為深色，本實施例中指黑色或近似黑色，本發明選擇的溫度反應層(1)材料相關數據，如下表所示tableseeoriginaldocumentpage13a:對大氣質量等於2的太陽放射吸收率。sP:對100°C黑體放射的放射率。由上表可知，一面塗成黑色的鎳最近似理想溫度反應層(1)，然其成本較高，基於經濟考慮，本實施例中以一面塗成黑色的不鏽鋼作為溫度反應層(1)。熱電子生成層(2)，具有相對的第一面(21)及第二面(22)，其第一面(21)與溫度反應層(1)的第二面(U)相連，為產生熱電子的來源，其材料為低功函數或低游離能材料，係指其功函數小於3eV的材料或游離能低於200kcal/g-mole以下的材料，選自鑭、鋁、鉿、化學周期表的鹼金族元素之鋰、鈉、鉀、銣及化學周期表的鹼土族元素之鈹、鎂、4丐、鍶、鋇、鐳、六硼化鑭(LaB》所組成材料群組之任一種。本第一實施例的熱電子生成層(2)材料相關數據，如下表所示tableseeoriginaldocumentpage14tableseeoriginaldocumentpage14本第一實施例中，系選用鋁作為熱電子生成層(2)。第一絕緣層(3),具有相對的第一面(31)及第二面(32)，其厚度係為10T8m—1a2m,其第一面(31)系與熱電子生成層(2)的第二面(22)相連用以隔離熱電子生成層(2)與後述的第一導體層(4)，該第一絕緣層(3)為介電層、真空層或氣體絕緣層中任一種，該介電層系以單位截面積電阻係數大於1C^Q，cm以上的介電材料構成，選自二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及鈦酸鉛鋇所組成材料群組之中的任何一種，本第一實施例選用二氧化矽作為介電層的介電材料。第一導體層(4),具有相對的第一面(41)及第二面(42),其第一面(41)系與第一絕緣層(3)的第二面(32)相連，用以吸收熱電子生成層(2)所生成的電荷，並傳輸到外界，該第一導體層(4)為以高熔點且高游離能材料製成的金屬層，其單位截面積電阻係數小於ltfQ/cm以下，如銅、鐵、銀、矽、鈦等，本第一實施例系選用銅材料作為第一導體層(4),其形狀系片體或網狀片體，前述的第一導體層(4)材料相關數據，如下表所示:tableseeoriginaldocumentpage15第二絕緣層(5)，具有相對的第一面(51)及第二面(52)，其厚度為10"8m-10"2m,其第一面(51)與第一導體層(4)的第二面(42)相連，用以隔離供應吸引熱電子的電壓的第一導體層(4)，該第二絕緣層(5)為介電層、真空層或氣體絕緣層中任一種，該介電層系以單位截面積電阻係數大於1o1(DQ/cm以上的介電材料構成，選自二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及鈥酸鉛鋇所組成材料群組之中的任何一種，本第一實施例選用二氧化矽作為介電層的介電材料。第二導體層(6)，具有相對的第一面(61)及第二面(62),其第一面(61)系與第二絕緣層(5)的第二面(52)相連，用以提供吸引產生熱電子生成層(2)所生成的電荷的電場，該第二導體層(6)為以高熔點且高游離能材料製成的金屬層，其單位截面積電阻係數小於ltfQ/cm以下，如銅、鐵、銀、矽、鈦等，本第一實施例選用銅材料作為第二導體層(6)。外接電源(7),其正極連接於第一導體層(4)或第二導體層(6)之一，而負板連接溫度反應層U),於兩極之間提供一電場，本第一實施例其正極連接第二導體層(6),負極連接溫度反應層(1),提供本第一實施例所需電場。電性輸出組件(8)，分別連接於溫度反應層(1)、第一導體層(4)以及第二導體層(6),以溫度反應層(1)與第一導體層(4)作為輸出端，供應外界電源。上述外接電源(7)與電性輸出組件(8)的接線方式亦可以正極連接第一導體層(4)，負極連接溫度反應層(1),而以溫度反應層(1)與第二導體層(6)作為輸出端。本第一實施例的第一導體層(4)為採片體的金屬層，於溫度反應層(1)與第二導體層(6)外加一電場(>102V/cm)時，由於第一絕緣層(3)與第二絕緣層(5)都很薄，因此熱電子生成層(2)與第二導體層(6)距離非常短，外接電源(7)產生的電場將吸引熱電子生成層(2)產生的熱電子，熱電子離開熱電子生成層(2)表面往第一導體層(4)移動，透過熱電子生成層(2)與第一導體層(4)之間的電容與第一導體層(4)與第二導體層(6)之間的電容，以電路學的耦合觀念，將來自第二導體層(6)的電壓分壓到第一導體層(4)上，以便在熱電子生成層(2)與第一導體層(4)之間因第一導體層(4)的電壓形成電場，誘使並吸引熱電子生成層(2)產生熱電子，並傳輸到外界，做為輸出電源。本發明第二實施例，如圖2所示，將兩個溫度發電裝置以第二導體層(6)為中心以面對面的方式合併，形成三明治狀對稱結構，以減少製造成本與該溫度發電裝置所佔用的面積，並隨著應用領域不同，而串聯組合多個溫度發電裝置，本發明亦可以並聯組合以增加電流量。請參見圖l和圖3所示，為本發明第三實施例，第一導體層(4)網狀片體的金屬層，其具有細孔徑網狀結構，於溫度反應層(1)與第二導體層(6)外加一電場(>102V/cm)時，透過電場吸引熱電子生成層(2)產生熱電子，熱電子離開熱電子生成層(2)的表面並往第一導體層(4)移動，部份的熱電子被第一導體層(4)所捕獲，部份的熱電子會穿過第一導體層(4)的孔洞而到達第二導體層(6),也就是真正會產生電流而且消耗掉外加的電源電力，預估將會損失部份的比例，第一導體層(4)吸引熱電子生成層(2)產生的部份的熱電子，並傳輸到外界，做為輸出電源。本發明第四實施例，請參照圖4所示，並配合圖l的裝置，系一溫度發電方法，包括A.設置一熱電子生成層於一溫度反應層(1)上披覆一層以低游離能或低功函數材料所構成的熱電子生成層(2),其熱電子生成層(2)披覆的方式選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。B.設置一第一絕緣層於上述熱電子生成層(2)上設置厚度為10T8ra-1CT2m的極薄第一絕緣層(3)，設置第一絕緣層(3)的方式為鍍上介電層、真空絕緣或氣體絕緣其中任一種，鍍上介電層的方式為蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。C.設置一第一導體層設置一層第一導體層(4)與第一絕緣層(3)相連，其第一導體層(4)的設置方式為選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相蟲晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種，該第一導體層(4)可有兩種樣態，一即片體狀，另一種則以蝕刻技術或光罩其中任何一種做出在片體狀的第一導體層(4)做出網狀孔洞。D.設置一第二絕緣層於第一導體層(4)上設置厚度為10-8-10-2m的極薄第二絕緣層(5)，設置第二絕緣層(5)的方式為鍍上介電層、真空絕緣或氣體絕緣其中任一種，鍍上介電層之方式為蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。E.設置一第二導體層設置一第二導體層(6)與第二絕緣層(5)相連，其第二導體層(6)的設置方式為選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。F.外加一電場正極連接於第一導體層(4)或第二導體層(6)之一，而負極連接溫度反應層(1),而於兩極之間外加一電場，誘使熱電子生成層(2)產生熱電子，而將電源輸出。本實施例於溫度反應層(1)與第二導體層(6)外加一電場(>102V/cm),而於溫度反應層(1)與第一導體層(4)輸出電源。上述步驟F系亦可於溫度反應層(1)與第一導體層(4)外加一電場，誘使熱電子生成層(2)產生熱電子，而於溫度反應層(1)與第二導體層(6)輸出電源。本發明溫度發電方法以低功函數或低游離能材料製備熱電子生成層(2)，以高吸收熱能材料製備溫度反應層(1)，透過外接電源產生一電場，吸引因溫度所產生的熱電子，使熱電子生成層(2)產生熱電子，並且吸引熱電子往第一導體層(4)移動，利用第一導體層(4)的特殊幾何構造，捕獲將被吸引前往第二導體層(6)的熱電子，再以導體傳導到外面來供應電源，在此過程中熱能會被消耗，所以必須不斷地從外界中取得熱能，而熱能在自然界中垂手可得，故可有效降低能源成本。權利要求1.一種溫度發電裝置，其特徵在於包括有溫度反應層，由以低比熱、太陽放射吸收率接近1且低黑體放射率的材料製成，具有相對的第一面及第二面，其第一面用以吸收熱能；熱電子生成層，具有相對的第一面及第二面，其第一面與溫度反應層的第二面相連，以低功函數或低游離能的材料製成；第一絕緣層，具有相對的第一面及第二面，其厚度為10-8m-10-2m，其第一面與熱電子生成層的第二面相連；第一導體層，具有相對的第一面及第二面，其第一面與第一絕緣層的第二面相連；第二絕緣層，其厚度為10-8m-10-2m，具有相對的第一面及第二面，其第一面與第一導體層的第二面相連；第二導體層，具有相對的第一面及第二面，其第一面與第二絕緣層第二面相連；外接電源，其正極系連接於第一導體層或第二導體層之一，而負極連接溫度反應層，於兩極之間提供一電場；電性輸出組件，分別連接於溫度反應層、第一導體層以及第二導體層。2.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該溫度反應層為選自不鏽鋼、氧化銅、鎳及鉻所組成材料群組之任一種。3.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該溫度反應層的太陽放射吸收率接近1時大氣質量為2。4.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於黑體放射率為對IO(TC黑體放射的放射率，且放射率趨近0。5.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該溫度反應層的第一面為深色。6.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該熱電子生成層的低功函數材料係指其功函數系小於3eV的材料。7.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該熱電子生成層的低游離能材料係指其游離能材料小於200(kcal/mole)的材料。8.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該低功函數或低游離能的材料為選自鑭、鋁、鉿、化學周期表的鹼金族元素之鋰、鈉、鉀、銣、銫及化學周期表的鹼土族元素之鈹、鎂、4丐、鍶、鋇、鐳及化合物六硼化鑭(LaB6)所組成材料群組之任一種。9.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第一絕緣層為介電層。10.如權利要求9所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該介電層的介電材料系單位截面積電阻係數大於102Q/cm以上的材料。11.如權利要求10所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該介電材料為二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及鈦酸鉛鋇所組成材料群組之中的任何一種。12.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第一絕緣層為真空層或氣體絕緣層。13.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第一導體層系單位截面積電阻係數小於1fQ/cm以下的低電阻材質。14.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第一導體層的形狀為片體。15.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第一導體層的形狀為網狀片體。16.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第二絕緣層為介電層。17.如權利要求16所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該介電層的介電材料系單位截面積電阻係數大於10"Q/cm以上的材料。18.如權利要求17所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該介電材料為二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及鈦酸鉛鋇所組成材料群組之中的任何一種。19.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第二絕緣層為真空層或氣體絕緣層。20.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該第二導體層系單位截面積電阻係數小於1fQ/cm以下的低電阻材質。21.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該外接電源以正極連接第一導體層，負極連接溫度反應層，電性輸出組件連接溫度反應層與第二導體層作為輸出端。22.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於該外接電源以正極連接第二導體層，負極連接溫度反應層，電性輸出組件連接溫度反應層與第一導體層作為輸出端。23.如權利要求1所述的一種溫度發電裝置，其特徵在於利用串聯或並聯組合多個溫度發電裝置。24.—種一種溫度發電方法，其特徵在於包括A.設置一熱電子生成層繫於一溫度反應層上披覆一層以低游離能或低功函數材料所構成的熱電子生成層；B.設置一第一絕緣層於上述熱電子生成層上設置極薄的第一絕緣層；C.設置一第一導體層設置一層第一導體層與第一絕緣層相連；D.設置一第二絕緣層於第一導體層上設置極薄的第二絕緣層；E.設置一第二導體層設置一第二導體層與第二絕緣層相連；F.外加一電場正極連接於第一導體層或第二導體層之一，而負極連接溫度反應層，而於兩極之間外加一電場，誘使熱電子生成層產生熱電子，而將電源輸出。25.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟A,其熱電子生成層披覆的方式為選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相蟲晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。26.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟B中，該極薄的第一絕緣層的厚度為10^m-10^m。27.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟B中，設置第一絕緣層的方式為鍍上介電層，鍍上介電層的方式為蒸鍍、賊鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。28.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟B中，設置第一絕緣層的方式為真空絕緣或氣體絕緣之一。29.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟C，其第一導體層的設置方式為選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。30.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟C，該第一導體層以蝕刻技術或光罩做出網狀孔洞。31.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟D中，該極薄的第二絕緣層其厚度為10^m-1(T2m。32.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟D中，設置第二絕緣層的方式為鍍上介電層，其中鍍上介電層的方式係為蒸鍍、'踐鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。33.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟D中，設置第二絕緣層的方式為真空絕緣或氣體絕緣。34.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟E中，其第二導體層的設置方式為選自蒸鍍、濺鍍、物理氣相磊晶法、化學氣相磊晶法或物理化學氣相磊晶法其中任何一種。35.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟F為於溫度反應層與第一導體層外加一電場，而於溫度反應層與第二導體層輸出電源。36.如權利要求24所述的一種溫度發電方法，其特徵在於步驟F,為於溫度反應層與第二導體層外加一電場，而於溫度反應層與第一導體層輸出電源。全文摘要一種溫度發電裝置及方法，涉及發電裝置與方法領域，該溫度發電裝置包括有溫度反應層、熱電子生成層、第一絕緣層、第一導體層、第二絕緣層、第二導體層、外接電源及電性輸出組件，該溫度發電方法，其步驟系包括A.設置一熱電子生成層、B.設置一第一絕緣層、C.設置一第一導體層、D.設置一第二絕緣層、E.設置一第二導體層、F.外加一電場，以誘使熱電子產生，而將產生的熱電子傳輸到輸出的負載，作為供應電源。本發明可有效降低能源成本、重量輕、系統結構簡單、不會有毒性副產物產生、具有良好的環保性，可廣泛應用於各種機電領域。文檔編號H02N11/00GK101222191SQ200710305040公開日2008年7月16日申請日期2007年12月20日優先權日2007年12月20日發明者蔣富成申請人:蔣富成