一種新型金屬封裝型mos三極體的製作方法
2023-05-23 04:51:16 1
專利名稱:一種新型金屬封裝型mos三極體的製作方法
【專利摘要】一種新型金屬封裝型MOS三極體，其特徵在於：包括固定翼板、金屬帽、固定螺釘孔和半導體晶片，固定翼板前表面中部設置有金屬帽，固定翼板上下對稱設置有固定螺釘孔，金屬帽內部設置有半導體晶片，半導體晶片上設置有漏極，漏極下側設置有柵極，柵極下側設置有源極，固定翼板後表面中部設置有金屬封裝蓋，金屬封裝蓋上設置有極柱伸出口，有益效果在於：導通壓降小，導通電阻小，柵極驅動不需要電流，損耗小，驅動電路簡單，熱阻特性好，適合大功率並聯，可以在微電流、低電壓條件下工作，且便於集成。
【專利說明】
一種新型金屬封裝型MOS三極體
技術領域
[0001 ]本實用新型屬於MOS三極體設備領域，具體涉及一種新型金屬封裝型MOS三極體。
【背景技術】
[0002]MOS管是場效應電晶體，是一種電壓控制器件。而普通電晶體(又稱雙極電晶體)是一種電流控制器件，MOS管有N溝道與P溝道之分，兩者極性相反，正如PNP與NPN電晶體一樣。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semi conductor)場效應電晶體，或者稱是金屬一絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極體快。但是現在使用的MOS三極體存在導通壓降大，電源損耗大，安裝不方便等缺點。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的就在於為了解決上述問題而提供一種新型金屬封裝型MOS三極體。
[0004]本實用新型通過以下技術方案來實現上述目的:
[0005]—種新型金屬封裝型MOS三極體，包括固定翼板、金屬帽、固定螺釘孔和半導體晶片，固定翼板前表面中部設置有金屬帽，固定翼板上下對稱設置有固定螺釘孔，金屬帽內部設置有半導體晶片，半導體晶片上設置有漏極，漏極下側設置有柵極，柵極下側設置有源極，固定翼板後表面中部設置有金屬封裝蓋，金屬封裝蓋上設置有極柱伸出口。
[0006]上述結構中，將源極、柵極和漏極通過焊錫焊接在電路板上，並將螺釘通過固定螺釘孔將三極體固定在電路板上，便可以使用。
[0007]作為本實用新型的優選方案，定翼板與金屬帽通過焊接相連接，固定螺釘孔通過在固定翼板上衝壓形成。
[0008]作為本實用新型的優選方案，半導體晶片裝夾在金屬帽內部，半導體晶片與漏極通過焊錫焊接相連接。
[0009]作為本實用新型的優選方案，半導體晶片與柵極通過焊錫焊接相連接，半導體晶片與源極通過焊錫焊接相連接。
[0010]作為本實用新型的優選方案，金屬封裝蓋與固定翼板通過焊接相連接，極柱伸出口通過在金屬封裝蓋上衝壓形成。
[0011]有益效果在於:導通壓降小，導通電阻小，柵極驅動不需要電流，損耗小，驅動電路簡單，熱阻特性好，適合大功率並聯，可以在微電流、低電壓條件下工作，且便於集成。
【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型所述一種新型金屬封裝型MOS三極體的主視圖；
[0013]圖2是本實用新型所述一種新型金屬封裝型MOS三極體的左視圖；
[0014]圖3是本實用新型所述一種新型金屬封裝型MOS三極體的後視圖。
[0015]附圖標記說明如下:
[0016]1、固定翼板;2、金屬帽；3、固定螺釘孔;4、源極;5、柵極;6、漏極;7、半導體晶片;8、
金屬封裝蓋;9、極柱伸出口。
【具體實施方式】
[0017]為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，並不用於限定本實用新型。
[0018]如圖1-圖2-圖3所示，一種新型金屬封裝型MOS三極體，包括固定翼板1、金屬帽2、固定螺釘孔3和半導體晶片7，固定翼板I前表面中部設置有金屬帽2，固定翼板I上下對稱設置有固定螺釘孔3，金屬帽2內部設置有半導體晶片7，金屬帽2起到保護內部半導體晶片7的作用，並可以防止靜電幹擾，半導體晶片7上設置有漏極6，漏極6下側設置有柵極5，柵極5下側設置有源極4，固定翼板I後表面中部設置有金屬封裝蓋8，將半導體晶片7封裝在金屬帽2內部，金屬封裝蓋8上設置有極柱伸出口 9，源極4、柵極5和漏極6通過極柱伸出口 9伸出來，以便於安裝在電路板上。
[0019]上述結構中，將源極4、柵極5和漏極6通過焊錫焊接在電路板上，並將螺釘通過固定螺釘孔3將三極體固定在電路板上，便可以使用。
[0020]作為本實用新型的優選方案，固定翼板I與金屬帽2通過焊接相連接，固定螺釘孔3通過在固定翼板I上衝壓形成，半導體晶片7裝夾在金屬帽2內部，半導體晶片7與漏極6通過焊錫焊接相連接，半導體晶片7與柵極5通過焊錫焊接相連接，半導體晶片7與源極4通過焊錫焊接相連接，金屬封裝蓋8與固定翼板I通過焊接相連接，極柱伸出口 9通過在金屬封裝蓋8上衝壓形成。
[0021]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特徵和優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和範圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型範圍內。本實用新型要求保護範圍由所附的權利要求書及其效物界定。
【主權項】
1.一種新型金屬封裝型MOS三極體，其特徵在於:包括固定翼板、金屬帽、固定螺釘孔和半導體晶片，固定翼板前表面中部設置有金屬帽，固定翼板上下對稱設置有固定螺釘孔，金屬帽內部設置有半導體晶片，半導體晶片上設置有漏極，漏極下側設置有柵極，柵極下側設置有源極，固定翼板後表面中部設置有金屬封裝蓋，金屬封裝蓋上設置有極柱伸出口。2.根據權利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極體，其特徵在於:固定翼板與金屬帽通過焊接相連接，固定螺釘孔通過在固定翼板上衝壓形成。3.根據權利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極體，其特徵在於:半導體晶片裝夾在金屬帽內部，半導體晶片與漏極通過焊錫焊接相連接。4.根據權利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極體，其特徵在於:半導體晶片與柵極通過焊錫焊接相連接，半導體晶片與源極通過焊錫焊接相連接。5.根據權利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極體，其特徵在於:金屬封裝蓋與固定翼板通過焊接相連接，極柱伸出口通過在金屬封裝蓋上衝壓形成。
【文檔編號】H01L23/04GK205723493SQ201620363166
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年4月27日
【發明人】王興
【申請人】王興