一種可自主堆疊連接的存儲介質結構的製作方法
2023-05-12 07:50:36 2
一種可自主堆疊連接的存儲介質結構的製作方法
【專利摘要】本發明涉及信息存儲介質，具體是一種可自主堆疊連接的存儲介質結構。本發明解決了現有自主存儲介質無法在堆疊連接方式下擴大存儲容量的問題。一種可自主堆疊連接的存儲介質結構，包括1個存儲介質、1個訪問控制器、1個存儲介質控制接口、1個帶有目的地址欄位的訪問消息幀；存儲介質與訪問控制器連接；訪問控制器與存儲介質控制接口連接；訪問控制器內設有1個可預設和修改的寄存器；寄存器的存儲內容為：存儲介質的地址；目的地址欄位的存儲內容為：訪問消息幀企圖訪問的存儲介質的地址。本發明適用於伺服器內存、固態存儲陣列、硬碟陣列等。
【專利說明】一種可自主堆疊連接的存儲介質結構
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及信息存儲介質，具體是一種可自主堆疊連接的存儲介質結構。
【背景技術】
[0002]利用地址線尋址的信息存儲介質(如硬碟、FLASH、DDR、SRAM等)一般通過增加地址線數目來擴大存儲容量，同時需通過降低時鐘頻率來消除地址線間的信號幹擾。然而由於降低時鐘頻率會影響訪問速度，使得提高訪問速度和擴大存儲容量成為相互衝突的目標。為了解決這一衝突，目前普遍採用如下方法:將I個存儲介質通過I個訪問控制器與I個存儲介質控制接口連接，並將存儲介質、訪問控制器、存儲介質控制接口封裝在一起，由此形成I個自主存儲介質，如圖1所示。一種稱為堆疊連接的方法如圖2所示，將多個自主存儲介質通過BoW (Bus only Write,只寫總線)連接到主機接口，可以使得只寫總線BoW上每個自主存儲介質都獨佔總線帶寬，由此減少總線數目，從而提高總線時鐘頻率,進而提高訪問速度。然而，這樣的堆疊連接雖然可以提高訪問速度，卻無法擴大存儲容量，具體原因如下:雖然自主存儲介質是以消息幀的方式訪問的，但是由於訪問消息幀不支持對自主存儲介質尋址，使得訪問消息幀無法對只寫總線BoW上的各個存儲介質進行區分辨別，由此使得多個自主存儲介質僅僅可以起到多個信息備份的作用，而根本無法起到擴大存儲容量的作用。基於此，有必要發明一種全新的存儲介質結構，以解決現有自主存儲介質無法在堆疊連接方式下擴大存儲容量的問題。
【發明內容】
[0003]本發明為了解決現有自主存儲介質無法在堆疊連接方式下擴大存儲容量的問題，提供了一種可自主堆疊連接的存儲介質結構。
[0004]本發明是採用如下技術方案實現的:一種可自主堆疊連接的存儲介質結構，包括I個存儲介質、I個訪問控制器、I個存儲介質控制接口、I個帶有目的地址欄位的訪問消息中貞；存儲介質與訪問控制器連接；訪問控制器與存儲介質控制接口連接；訪問控制器內設有I個可預設和修改的寄存器；寄存器的存儲內容為:存儲介質的地址；目的地址欄位的存儲內容為:訪問消息幀企圖訪問的存儲介質的地址；訪問控制器內設有I段語義流程；該語義流程的內容為:僅當目的地址欄位的存儲內容與寄存器的存儲內容相同時，才允許訪問消息幀訪問存儲介質。
[0005]工作時，將多個本發明所述的一種可自主堆疊連接的存儲介質結構通過BoW (Busonly Write，只寫總線)與主機接口進行堆疊連接，如圖4所示。具體工作過程如下:主機接口以廣播的方式發送訪問消息幀給BoW，訪問消息幀通過各個存儲介質控制接口到達各個訪問控制器，各個訪問控制器根據語義流程確定是否允許訪問消息幀訪問存儲介質，由此使得訪問消息幀實現了對各個存儲介質進行區分辨別，從而實現了存儲容量的擴大。基於上述過程，與現有自主存儲介質相比，本發明所述的一種可自主堆疊連接的存儲介質結構通過採用全新結構，實現了支持訪問消息幀尋址，由此使得訪問消息幀實現了對各個存儲介質進行區分辨別，從而實現了在堆疊連接方式下擴大存儲容量。
[0006]本發明結構合理、設計簡單巧妙，有效解決了現有自主存儲介質無法在堆疊連接方式下擴大存儲容量的問題，適用於伺服器內存、固態存儲陣列、硬碟陣列等。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1是現有自主存儲介質的結構示意圖。
[0008]圖2是現有自主存儲介質的工作狀態參考圖。
[0009]圖3是本發明的結構示意圖。
[0010]圖4是本發明的工作狀態參考圖。
【具體實施方式】
[0011]一種可自主堆疊連接的存儲介質結構，包括I個存儲介質、I個訪問控制器、I個存儲介質控制接口、I個帶有目的地址欄位的訪問消息幀；
存儲介質與訪問控制器連接；
訪問控制器與存儲介質控制接口連接；
訪問控制器內設有I個可預設和修改的寄存器；寄存器的存儲內容為:存儲介質的地址；
目的地址欄位的存儲內容為:訪問消息幀企圖訪問的存儲介質的地址；
訪問控制器內設有I段語義流程；該語義流程的內容為:僅當目的地址欄位的存儲內容與寄存器的存儲內容相同時，才允許訪問消息幀訪問存儲介質。
[0012]具體實施時，所述存儲介質為DDR存儲器；所述訪問控制器為DDR訪問控制器；所述存儲介質控制接口為SDDR控制接口。
[0013]所述DDR存儲器為DDR存儲器或DDR2存儲器或DDR3存儲器或DDR4存儲器；所述DDR訪問控制器為DDR訪問控制器或DDR2訪問控制器或DDR3訪問控制器或DDR4訪問控制器。
【權利要求】
1.一種可自主堆疊連接的存儲介質結構，其特徵在於:包括I個存儲介質、I個訪問控制器、I個存儲介質控制接口、I個帶有目的地址欄位的訪問消息幀； 存儲介質與訪問控制器連接； 訪問控制器與存儲介質控制接口連接； 訪問控制器內設有I個可預設和修改的寄存器；寄存器的存儲內容為:存儲介質的地址； 目的地址欄位的存儲內容為:訪問消息幀企圖訪問的存儲介質的地址； 訪問控制器內設有I段語義流程；該語義流程的內容為:僅當目的地址欄位的存儲內容與寄存器的存儲內容相同時，才允許訪問消息幀訪問存儲介質。
2.根據權利要求1所述的一種可自主堆疊連接的存儲介質結構，其特徵在於:所述存儲介質為DDR存儲器；所述訪問控制器為DDR訪問控制器；所述存儲介質控制接口為SDDR控制接口。
3.根據權利要求2所述的一種可自主堆疊連接的存儲介質結構，其特徵在於:所述DDR存儲器為DDR存儲器或DDR2存儲器或DDR3存儲器或DDR4存儲器；所述DDR訪問控制器為DDR訪問控制器或DDR2訪問控制器或DDR3訪問控制器或DDR4訪問控制器。
【文檔編號】G06F13/16GK104317750SQ201410569017
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月23日 優先權日:2014年10月23日
【發明者】張雲舟, 張陌, 張剛, 張勝, 常青, 張博 申請人:山西達鑫核科技有限公司