一種用於AC‑DC轉換器的線網補償電路的製作方法

2023-04-28 15:43:01 1

本發明屬於半導體集成電路技術領域，具體涉及一種用於ac-dc轉換器的線網補償電路。

背景技術：

ac-dc轉換器就是將交流電變為直流電的設備，其憑藉著著效率高、體積小等優點越來越受到廣大用戶的青睞。

ac-dc開關電源系統中，主要是220v的民用交流電進入輸入電路，經低通濾波後濾掉高頻信號，再經過emi整流電路後得到未穩壓的直流高壓電，此電壓送至功率因素校正電路，對電壓進行功率因素校正工作，保持輸入電流與輸入電壓始終同相；然後高功率因素的直流電壓經過功率轉換電路轉換成受控的高頻方波脈衝電壓信號；接著，該高頻方波脈衝電壓經二次整流與濾波後變成穩定的直流電壓輸出。其中，為了使電路能穩定的工作，系統中還有一些控制電路，實現對輸出電壓採樣和反饋控制等功能。

傳統的ac-dc轉換器，輸出會隨著線網電壓(輸入交流電壓)的上升而上升，雖然這種上升幅度並不大，但是這常常給電路設計者帶來困擾。

技術實現要素：

為解決現有ac-dc轉換輸出會隨著線網電壓(輸入交流電壓)的上升而上升的技術問題，本發明提供了一種用於ac-dc轉換器的線網補償電路。

一種用於ac-dc轉換器的線網補償電路，包括第一pmos電晶體p1、第二pmos電晶體p2、第三pmos電晶體p3、第四pmos電晶體p4、第一nmos電晶體n1、第二nmos電晶體n2、第三nmos電晶體n3、第一電阻r1、第二電阻r2和第三電阻r3；第一pmos電晶體p1的柵極接pmos偏置電流輸入端pbias，源極接電源，漏極接第一nmos電晶體n1的柵極和漏極以及第二nmos電晶體n2的柵極；第一nmos電晶體n1的源極接地；第二pmos電晶體p2的柵極接pmos偏置電流輸入端pbias，源極接電源，漏極接第二nmos電晶體n2的漏極和第三pmos電晶體p3的柵極；第三pmos電晶體p3的源極接電源，漏極接第一電阻r1的一端；第一電阻r1的另一端接第二nmos電晶體n2的源極和第二電阻r2的一端；第二電阻r2的另一端接第三nmos電晶體n3的漏極和第四pmos電晶體p4的漏極；第三nmos電晶體n3的柵極接nmos偏置電流輸入端nbias，源極接地；第四pmos電晶體p4的柵極接地，源極接第三電阻r3的一端；第三電阻r3接輸出端fb，也就是ac-dc轉換器的電壓反饋端。

本發明的用於ac-dc轉換器的線網補償電路，當ac-dc轉換器的電壓反饋端fb電壓為正時，會從輸出端fb輸出一路電流到地。當ac-dc轉換器的電壓反饋端fb電壓為負時，通過第一pmos電晶體p1、第二pmos電晶體p2、第三pmos電晶體p3、第一nmos電晶體n1、第二nmos電晶體n2、第一電阻r1和第二電阻r2把第三nmos電晶體n3漏極電位鉗位在零伏附近，產生一路與fb負電壓大小成正比的電流流向fb端，實現了線網補償的功能。

附圖說明

圖1是本發明第一實施方式提供的用於ac-dc轉換器的線網補償電路結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明了，下面結合具體實施方式並參照附圖，對本發明進一步詳細說明。應該理解，這些描述只是示例性的，而並非要限制本發明的範圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本發明的概念。

一種用於ac-dc轉換器的線網補償電路，包括第一pmos電晶體p1、第二pmos電晶體p2、第三pmos電晶體p3、第四pmos電晶體p4、第一nmos電晶體n1、第二nmos電晶體n2、第三nmos電晶體n3、第一電阻r1、第二電阻r2和第三電阻r3。第一pmos電晶體p1的柵極接pmos偏置電流輸入端pbias，源極接電源，漏極接第一nmos電晶體n1的柵極和漏極以及第二nmos電晶體n2的柵極；第一nmos電晶體n1的源極接地；第二pmos電晶體p2的柵極接pmos偏置電流輸入端pbias，源極接電源，漏極接第二nmos電晶體n2的漏極和第三pmos電晶體p3的柵極；第三pmos電晶體p3的源極接電源，漏極接第一電阻r1的一端；第一電阻r1的另一端接第二nmos電晶體n2的源極和第二電阻r2的一端；第二電阻r2的另一端接第三nmos電晶體n3的漏極和第四pmos電晶體p4的漏極；第三nmos電晶體n3的柵極接nmos偏置電流輸入端nbias，源極接地；第四pmos電晶體p4的柵極接地，源極接第三電阻r3的一端；第三電阻r3接輸出端fb，也就是ac-dc轉換器的電壓反饋端。

本發明的用於ac-dc轉換器的線網補償電路，當ac-dc轉換器的電壓反饋端fb電壓為正時，會從輸出端fb輸出一路電流到地。當ac-dc轉換器的電壓反饋端fb電壓為負時，通過第一pmos電晶體p1、第二pmos電晶體p2、第三pmos電晶體p3、第一nmos電晶體n1、第二nmos電晶體n2、第一電阻r1和第二電阻r2把第三nmos電晶體n3漏極電位鉗位在零伏附近，產生一路與fb負電壓大小成正比的電流流向fb端，實現了線網補償的功能。

應當理解的是，本發明的上述具體實施方式僅僅用於示例性說明或解釋本發明的原理，而不構成對本發明的限制。因此，在不偏離本發明的精神和範圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。此外，本發明所附權利要求旨在涵蓋落入所附權利要求範圍和邊界、或者這種範圍和邊界的等同形式內的全部變化和修改例。