傾斜磁場線圈、磁共振成像裝置、以及傾斜磁場線圈的製造方法

2023-04-26 06:11:56 1

專利名稱：傾斜磁場線圈、磁共振成像裝置、以及傾斜磁場線圈的製造方法
技術領域：
本發明涉及傾斜磁場線圏、磁共振成像裝置、以及傾斜磁場線圏 的製造方法，特別涉及在主磁場方向形成傾斜磁場的傾斜磁場線圏、 具備該傾斜磁場線圏的磁共振成像裝置、以及傾斜磁場線圏的製造方 法。
背景技術：
在醫用的磁共振成像裝置(MRI ( Magnetic Resonance Imaging )
裝置)中，使用了相對於用超導磁鐵等形成的主磁場的方向而形成傾 斜磁場的傾斜磁場線圏(Z軸)、相對於與主磁場的方向正交的X軸 方向、Y軸方向分別形成傾斜磁場的傾斜磁場線圏(X軸)、傾斜磁 場線圏(Y軸)。
本發明涉及其中的傾斜磁場線圏(Z軸)，在以下簡稱為"傾斜 磁場線圏"時，是指Z軸方向的傾斜磁場線圏(Z軸)。
磁共振成像裝置具有與搬入被檢者的圓筒狀空間大致相似的圓筒 形狀的線圏架(bobbin)，將導線在該線圏架的圓周方向上巻繞多匝 (turn)而形成傾斜磁場線圏。各匝的間距(導線的間隔)通常是不 等間隔，例如線圏架軸的中央最疏，從線圏架軸的中央向一端逐漸變 密。從線圏架軸中央以規定的距離間距變得最密，此後相反而逐漸變 疏。從線圏架軸的中央向另一端同樣從疏變密、從密變疏地進行巻繞。
導線的巻繞方法可以是相對於線圏架軸中央巻繞為對稱形狀，使 從線圏架軸中央向一端流過的電流與向另 一端流過的電流的方向相 反，由此能夠形成以線圏架中央為原點的正方向的磁場和負方向的磁 場，作為全體形成與線圏架軸的方向傾斜的磁場。
使導線匝的間距為不等間隔是為了提高傾斜磁場的線性，預先分 析地求出各匝的位置。作為導線的巻繞方法，如專利文獻1所揭示的那樣，已知被稱為
螺旋巻繞的方法和被稱為路線變換(lane change)巻繞的2種巻繞方 法。
螺旋巻繞如其字面那樣是將導線巻繞為螺旋狀的方法，被巻繞為 在線圏架圓周上的規定的點上與分析地求出的匪的位置一致。在螺旋 巻繞時，在一匝中，導線在線圏架圓周面上與軸方向傾斜，導線的位 置相對於Z軸方向連續地變化。
另一方面，在線路變換巻繞時，在一匝中，導線的位置在Z軸方 向上不變化而是固定的。在使導線從某匝移動到下一匝時，在線圏架 圓周上的特定位置使導線在Z軸方向變化為階梯狀(使其路線變換)。 在路線變換巻繞時，導線的位置相對於Z軸方向離散地變化。
現有技術文獻
專利文獻1:日本特開平10 - 172821號公報
如專利文獻1所揭示的那樣， 一般路線變換巻繞的操作性與螺旋 巻繞相比差。這是因為在使導線線路變換的部位處的操作要熟練，特 別地在匝的間距密的區域中的搡作性差。
與此相對，螺旋巻繞是操作性優越的方法，與路線變換巻繞相比， 能夠在短時間內巻繞導線，因此其結果是能夠提供低價格的傾斜磁場 線圏。專利文獻1提供一種操作性優越的螺旋巻繞，並且揭示了與現 有的螺旋巻繞的方法相比性能優越，即能夠根據設計值實現相近的性 能的線圏磁場線圏相關的技術。
但是，Z軸用的傾斜磁場線圏是以只針對Z軸方向形成傾斜磁場 為目的的，通過該傾斜磁場線圏在X軸方向和Y軸方向產生磁場分量 是不理想的。以下，將由Z軸用的傾斜磁場線圏產生的X軸方向或Y 軸方向的磁場分量稱為不需要磁場分量。
在上述路線變換巻繞中，在1匝中，導線的位置在Z軸方向上沒 有變化，因此導線相對於Z軸始終正交。因此，由流過導線的電流感 應出的磁場的方向始終為Z軸方向，在原理上並不產生X軸方向和Y 軸方向的磁場分量。即，已知在路線變換巻繞時，在原理上不產生不 需要磁場分量，實際上不需要磁場分量也幾乎為0。
另一方面，在螺旋巻繞時，在l匝中，導線相對於Z軸方向傾斜地在線圏架圓周面上4亍進，會少量地產生X軸方向和Y軸方向的磁場
分量，即不需要磁場分量。
最近，磁共振成像裝置中的圓筒狀空間的直徑正在被擴大，與此 相伴，傾斜磁場線圏的直徑也擴大，所產生的磁場的大小也增加了。 與此相伴，螺旋巻繞中的不需要磁場分量的大小也增加了。因此，在 使用了螺旋巻繞的傾斜磁場線圏中，達到了無法忽視在現有技術中幾 乎不受影響的不需要分量的程度。

發明內容
本發明就是鑑於以上問題而提出的，其目的在於提供一種在確 保導線巻繞的操作容易性的同時，還能夠抑制不需要磁場分量的產生 的傾斜磁場線圏、磁共振成像裝置、以及傾斜磁場線圏的製造方法。
為了解決上述問題，本發明的線圏磁場線圏如方面1所記栽的那 樣，其特徵在於具備圓筒狀的線圏架；將上述導體巻繞在上述線圏 架上多匝而形成的繞組部分，其中，上述繞組部件包括在上述線圏 架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圏架的軸垂直巻繞了的第一 繞組部分；在上述線圏架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圏架 的軸傾斜地巻繞為螺旋狀的第二繞組部分。
另外，本發明的磁共振成像裝置如方面7所記載的那樣，其特徵 在於具備向被檢體施加靜磁場的靜磁場線圏；在與上述靜磁場的方 向相同的方向上形成傾斜》茲場，向上述被檢體施加上述傾斜磁場的傾 斜磁場線圏；接收從上述被檢體放射的磁共振信號的高頻線圏；對接 收到的上述磁共振信號進行信號處理，輸出上述被檢體內部的圖像的 信號圖像處理部件，其中，上述傾斜磁場線圈包括圓筒狀的線圖架； 將上述導體巻繞在上述線圏架上多匪而形成的繞組部分，上述繞組部 件包括在上述線圏架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圏架的 軸垂直巻繞了的第一繞組部分；在上述線圏架的圓周方向上將上述導 體相對於上述線圏架的軸傾斜地巻繞為螺旋狀的第二繞組部分。
另外，本發明的傾斜磁場線圏的製造方法如方面13所記載的那 樣，是將導體巻繞在圓筒狀的線圏架上多匝而形成繞組部分的傾斜磁 場線圏的製造方法，其特徵在於具備在上述線圏架的圓周方向上將
8上述導體相對於上述線圏架的軸垂直巻繞而形成第一繞組部分；在上 述線圏架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圏架的軸傾斜地巻繞 為螺旋狀而形成第二繞組部分。
根據本發明的傾斜磁場線圏、磁共振成像裝置、以及傾斜磁場線 圏的製造方法，能夠在確保導線巻繞的操作容易性的同時，也抑制不 需要磁場分量的產生。


圖1是表示本發明的一個實施例的磁共振成像裝置的結構例子的圖。
圖2是表示傾斜磁場線圏單元的構造例子的截面圖。
圖3是模式地表示傾斜磁場線圏的構造的圖。
圖4是模式地表示現有的線圏磁場線圏的巻繞方法(全部區域線 路變換巻繞)的例子的圖。
圖5是模式地表示現有的傾斜磁場線圏的巻繞方法(全部區域螺 旋巻繞)的圖。
圖6是表示全部區域線路變換巻繞和全部區域螺旋巻繞時的漏磁 分布和渦電流的情況的圖，其中(a)示出路線變換巻繞的情況，(b) 示出(a)所示的情況的漏磁分布和渦電流的方向，此時，渦電流的方 向與圓周方向相同，不產生不需要的磁場(ZX磁場)，導體的巻繞操 作性差，特別是在導體間隔密的區域中；(c)示出螺旋巻繞的情況， (d)示出(c)所示的情況的漏磁分布和渦電流的方向，此時，渦電 流的方向與圓周方向相反，產生不需要的磁場(ZX磁場)，導體的巻 繞操作性良好。
圖7是說明全部區域螺旋巻繞時的不需要磁場(ZX磁場、ZY磁 場)產生的機制的圖，其中(a)示出產生ZX磁場的電流分布；(b) 是將U)展開後看到的圖，產生這樣的電流分布，生成ZX分量的磁 場；(c)示出因螺旋巻繞產生的漏磁的分布，它是相對於圓周方向傾 斜了的分布。
圖8是模式地表示本實施例的傾斜磁場線圏的構造的圖。
圖9是表示本實施例的傾斜磁場線圏的巻繞構造的具體例子的圖。
圖IO是作為本實施例的比較例子，表示現有的全部區域螺旋巻繞
的巻繞構造的圖。
圖11是表示分析地求出本實施例的傾斜磁場線圏的不需要磁場
(ZX磁場、ZY磁場)的抑制效果的結果的一個例子的表。
具體實施例方式
參考附圖，說明本發明的傾斜磁場線圏、磁共振成像裝置、以及 傾斜磁場線圏的製造方法的實施例。
圖1是表示本實施例的磁共振成像裝置(MRI裝置)1的結構例 子的圖。磁共振成像裝置l具備架臺2、信號圖像處理部件3、以及顯 示部件4等。特別地，在圖1中，作為截面圖表示了架臺2的詳細結 構。
架臺2的整體被形成為圓筒狀，中心部分的腔(bore)作為診斷 用空間而發揮功能，在診斷時，可以將-皮檢體P插入到該腔內。
架臺2具備大致圓筒狀的靜磁場線圏單元11;配置在該靜磁場 線圏單元11的腔內的大致圓筒狀的傾斜磁場線圏單元12;被安裝在 該傾斜磁場線圏單元12的例如外周面上的勻場線圏單元13;以及4皮 配置在傾斜磁場線圏單元12的腔內的RF線圏14。被檢體P被承載 在未圖示的臥臺頂板上，插入到RF線圏14所形成的腔(診斷用空間) 內。
靜磁場線圏單元11例如由超導磁鐵形成，在外側的真空容器中， 容納有多個熱輻射屏蔽容器和單獨的液氦容器，將超導線圏巻裝、設 置在液氦容器的內部。
傾斜磁場線圏單元12被作為能動(自己)屏蔽型傾斜磁場線圏 (ASGC: Actively Shielded Gradient Coil)而形成。該傾斜磁場線圏 單元12由於在每個X軸方向、Y軸方向、Z軸方向上產生脈沖狀的傾 斜磁場，所以對於X、 Y、 Z信道分別具有線圏組件(assembly)，各 線圏組件對每個信道成為大致不向外界洩漏傾斜磁場的屏蔽構造。
該能動屏蔽型傾斜磁場線圏(ASGC)單元12如圖2所示那樣，在X軸方向形成傾斜磁場的傾斜磁場線圏(X軸)12X、在Y軸方向 形成傾斜磁場的傾斜磁場線圏(Y軸)12Y、在Z軸方向形成傾斜磁 場的傾斜磁場線圏(Z軸)12Z在每個線圈層在被絕緣的同時被層疊， 作為整體成為大致圓筒狀。
傾斜磁場線圏(X軸)12X、傾斜磁場線圈(Y軸)12Y、傾斜磁 場線圏(Z軸)12Z分別具有主線圏和屏蔽線圏。屏蔽線圏形成為大 致與對應的主線圏相似的形狀，並被配設在主線圏的外側。屏蔽線圏 在外側抵消了由各主線圈產生的傾斜磁場，極大地抑制了對傾斜磁場 線圏單元12的外部產生的洩漏磁場。
本發明主要涉及Z軸方向的傾斜/P茲場線圏12Z，以下，以傾斜磁 場線圏12Z為中心進行說明。
圖3是模式地表示傾斜磁場線圏12Z的構造的圖。傾斜磁場線圏 12Z具有大致圓筒形狀的線圏架B、繞組部分CU。繞組部分CU將一 根導體C巻繞在多匝線圏架B上形成1層繞組線圏。導體C由具有規 定的寬度的帶狀的銅板形成，能夠在抑制直徑方向的厚度的同時流過 大的電it。
導體的巻繞方向在線圏架中心BC反轉，流過導體電流的方向也 在線圏架中心BC反轉。其結果是例如在圖3中從導體C的最側的端 向右側的端流過電流的情況下，在線圏架中心BC的右側產生Z軸正 方向的磁場，在線圏架中心BC的左側產生Z軸負方向的磁場。其結 果是作為傾斜磁場線圈12Z整體，形成以線圈架中心BC為原點的傾 斜磁場。
另外，如上述那樣，傾斜磁場線圏12Z具有主線圏和屏蔽線圏， 但都基本上為圖3所示的構造。其中，屏蔽線圏的線圏架直徑比主線 圏的線圏架直徑大，被形成為屏蔽線圏覆蓋主線圏的外周。另外，線 圏的巻繞形狀對於主線圈和屏蔽線圈大致相似，但為了有效地抑制漏 磁，兩者的各匪的間隔(間距)、位置、匪數不完全一致。另外，同 樣從抑制漏磁的觀點出發，Z軸方向的長度被形成為屏蔽線圏比主線 圏稍長。
ii作為傾斜磁場線圏12Z的導體C的巻繞方法，如上所述，以前提 出了2種方法。 一個是被成為路線變換巻繞的方法，另一個是被成為 螺旋巻繞的方法。
圖4是模式地表示以前提出的路線變換巻繞的一個例子的圖。傾 斜磁場線圏12Z的巻繞形狀是相對於線圏架中心BC對稱，因此在圖 4中，相對於線圏架中心BC只圖示了一個方向(以後的圖也一樣)。
在路線變換巻繞中，除了在圓周上的大部分(線路變換部分)， 導體C被巻繞為始終與Z軸完全垂直。然後，只在線路變換部分中進 行導體的Z軸方向的移動(線路變換)。
各匝通常為不等間隔，線圏架中心BC的近旁最疏(匝的間隔寬)， 從線圏架中心BC向一端逐漸變密。從線圏架軸中央開始在規定的距 離，間距變得最密，此後相反逐漸變疏。
使各匝的間距成為不等間隔是為了提高傾斜磁場的線性。預先分 析地求出各匝的位置，在圖4中用黑圓圏示例了其位置。
另一方面，圖5是模式地表示以前提出的螺旋巻繞的一個例子的 圖。在繞組部分CU的全部區域中，導體C如其字面所示那樣被巻繞 為螺旋狀。在螺旋巻繞中，導體C並不與Z軸方向垂直，而是一邊斜 行一邊巻繞為螺旋狀。
但是，傾斜磁場線圈12Z由於被施加脈沖狀的電流，所以在有了 漏磁的情況下，由於漏磁而在傾斜磁場線圏12Z的外部的導電體上產 生渦電流。另外，由於該渦電流而產生不希望的不需要的磁場。為了 消除因渦電流產生的不希望的不需要磁場的產生，只要消除漏磁即可， 為此而設置屏蔽線圏。
但是，通過屏蔽線團完全消除漏磁也是困難的，已知由於漏磁的 分布形狀和大小而因渦電流產生無法忽視的不需要磁場。
圖6(b)是表示因路線變換巻繞(圖6(a))產生的漏磁的分布 及其渦電流產生的一個例子的圖。另外，圖6(d)是表示螺旋巻繞(圖 6 (c))的漏磁分布和由此的渦電流產生的一個例子的圖。
從這些圖可知，在線路變換巻繞和螺旋巻繞的任意一個下，在導體的各匝的間隔(間距)密的區域中，幾乎不產生漏磁。其理由是， 在主線圏的匝的間隔密的區域中屏蔽線圏的匝的間隔也密，因此因屏 蔽線圏產生的漏磁的屏蔽效果充分高。
另一方面，在各匝的間隔疏的區域中，屏蔽線圈的匝的間隔也疏， 因此無法完全抑制漏磁。這樣，在線路變換巻繞和螺旋巻繞的任意一 個的情況下，在匝的間距疏的區域中，漏磁比較大。但是，如果以漏 磁的分布的觀點看，兩者的漏磁的分布的情況在線路變換巻繞和螺旋 巻繞時顯著地不同。
在線路變換巻繞中，漏磁的分布(磁場的等高線的分布)與z軸
方向正交。因此，由於該漏磁產生的渦電流的方向如圖6 (b)的箭頭 所示那樣，相對於圓周為同一方向，不產生不需要磁場(ZX磁場、或 ZY磁場)。
與此相對，在螺旋巻繞中，漏磁的分布為相對於Z軸方向傾斜的 分布。因具有傾斜分布的漏磁，而產生相對於圓周方向相反方向的渦 電流。因該相反方向的渦電流，在X軸方向(或Y軸方向)上，產生 本來不希望的不均勻的不需要磁場(ZX磁場、或ZY磁場)。
圖7是說明螺旋巻繞時的不需要磁場產生的機制的圖。圖7 (c) 是與圖6 (d)相同的圖。由於因螺旋巻繞產生的相反方向的渦電流， 在圓周上的不同位置(例如0度的位置和180度的位置)，產生方向 不同的渦電流(參考圖7 (b))。
其結果是，如圖7(a)所示那樣，在傾斜磁場線圈12Z的內部產 生方向不同的寄生磁場，產生相對於X軸方向(或Y軸方向)傾斜了 的不需要磁場。
該不需要磁場是本來不希望的，具有相對於X軸方向(Y軸方向) 的磁場不希望的不均勻性。其結果是，在X軸方向(或Y軸方向)的 截面圖像中，產生不希望的不均勻的濃度分布。
為了解決這樣的問題，在本實施例的傾斜磁場線圏12Z中，為組 合了路線變換巻繞和螺旋巻繞的形態，實現了補償兩者的短處並且活 用了兩者的長處的傾斜磁場線圏12Z。圖8是模式地表示本實施例的傾斜磁場線圏12Z的巻繞方法的圖。 在本實施例的傾斜磁場線圏12Z中，由第一繞組部分CU1和第二繞組 部分CU2構成繞組部分CU。在第一繞組部分CU1中，通過線路變換 巻繞來巻繞導體C，在第二繞組部分CU2中，通過螺旋巻繞來巻繞導 體C。
另外，在導體C的匝的間隔寬(間距疏)的區域中設置第一繞組 部分CU1，在導體C的匝的間隔窄(間距密)的區域中設置第二繞組 部分CU2。
如上所述，在匝的間距疏的區域中，有漏磁變大的傾向，但通過 將該區域的巻繞方法設置為線路變換巻繞，能夠防止不需要磁場(ZX 磁場、或ZY磁場)的產生。另外，由於匝的間距間隔寬，即使進行 線路變換巻繞，導體的巻繞操作的操作性也不會怎樣變差。
另一方面，在匝的間距密的區域中，由於線路變換巻繞和螺旋巻 繞時漏磁都小，所以操作性優越的螺旋巻繞的方法有利。
這樣，根據本實施例，通過組合線路變換巻繞和螺旋巻繞，能夠 提供導體的巻繞操作的操作性優越(即巻繞操作所需要的時間短)、 並且不需要磁場(ZX磁場、或ZY磁場)的產生少的傾斜磁場線圏 12Z。其結果是能夠實現低成本地生成高質量圖像的磁共振成像裝置 1。
在以上的說明中，將匝的間距疏(比規定的間距閾值寬)的區域 作為第一繞組部分CU1的區域，將匝的間距密(比上述規定的間距閾 值窄)的區域作為第二繞組部分CU2的區域。
另外，也可以如圖6 (d)等那樣，預先通過分析等求出漏磁的大 小，將漏磁比規定的閾值大的區域設定為第一繞組部分CU1的區域， 將漏磁比規定的閾值小的區域設定為第二繞組部分CU2的區域。
圖9~圖ll是表示本實施例的傾斜磁場線圏12Z的更具體的巻繞 例子及其效果的圖。
圖9 (a)是將本實施例傾斜磁場線圏12Z適用於主線圏的情況的 具體例子。將從Z軸方向的線圏架中心開始約40%的區域(按照圖中的刻度為約0.2)作為第一繞組部分CU1 (即線路變換巻繞)，將其 外側作為第二繞組部分CU2 (即螺旋巻繞)。各匝的位置是能夠得到 希望的Z軸線團磁場那樣分析地求出的位置。
圖9 (b)是將本實施例的傾斜磁場線圏12Z使用於屏蔽線圏的情 況的具體例子。相對於主線圈在Z軸方向稍長。屏蔽線圏的各匝的位 置是使漏磁最小那樣地分析地求出的位置。
從圖9(a)、 (b)可知那樣，對於第二繞組部分C2 (螺旋巻繞) 的線圈架軸方向的長度，屏蔽線圏比主線圏長，抑制了來自主線圈的 第二巻繞部分C2的漏磁。另外，對於第二巻繞部分C2的各繞組的間 距，屏蔽線圈比主線圏長，同樣抑制了來自主線圈的第二繞組部分C2 的漏磁。
另一方面，在第一繞組部分CU1 (路線變換巻繞)中，屏蔽線圏
的臣數和主線圏的臣數相互對應地為相同數目或主線圏的匝數多，並 且屏蔽線圈各自的位置與對應的主線圏的各繞組的位置相比，相對於 線圏架的中心被設置在外側。通過這樣的繞組的配置，能夠抑制來自
主線圏的第一繞組部分C1的漏磁。
圖10為了與本實施例的傾斜磁場線圏12Z (圖9)進行比較，而 表示了用於得到大致相同的Z軸傾斜磁場的現有的巻繞方法(全部區 域為螺旋巻繞)。
圖11是分析地求出本實施例的傾斜磁場線圏12Z的不需要磁場 (ZX磁場、或ZY磁場)的降低效果的表。編號l表示了現有的巻繞 方法的(全部區域為螺旋巻繞)的Z軸磁場分量和不需要磁場(ZX 磁場、或ZY磁場)，編號2表示本實施例的傾斜磁場線圏12Z的Z 軸磁場分量和不需要磁場(ZX磁場、或ZY磁場)。
另外，作為現有的巻繞方法，理論上也存在全部區域為路線變換 巻繞的線圈，但間距密的區域中的操作性極差，根據情況，由於無法 作為產品實現，所以從比較對象中除外。
在圖11所示的本分析結果中，本實施例的傾斜磁場線圏12Z與現 有例子相比，在ZX^f茲場中大致減半，在ZY磁場中，大致降低為0。如以上說明的那樣，根據本實施例的傾斜磁場線圏12Z、磁共振 成像裝置1、以及傾斜磁場線圏的製造方法，能夠在確保導體巻繞的 操作容易性的同時，抑制不需要磁場分量的產生。
另外，本發明並不只限於上述實施例，在實施階段，在不脫離宗 旨的範圍內可以對構成要素進行變形而具體化。另外，通過適當地組 合上述實施例所揭示的多個構成要素，可以形成各種發明。例如，也 可以從實施例所示的全部構成要素中刪除若干個構成要素。進而，也 可以適當地組合不同的實施例中的構成要素。
權利要求
1.一種傾斜磁場線圈，其特徵在於包括圓筒狀的線圈架；將上述導體卷繞在上述線圈架上多匝而形成的繞組部分，其中上述繞組部分包括在上述線圈架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圈架的軸垂直卷繞的第一繞組部分；在上述線圈架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圈架的軸傾斜地卷繞為螺旋狀的第二繞組部分。
2. 根據權利要求l所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 上述第一繞組部分被設置在按照比規定值疏的間隔巻繞上述導體的各匝的區域中，上述第二繞組部分被設置在按照比規定值密的間隔巻繞上述導體 的各臣的區域中。
3. 根據權利要求l所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 上述傾斜磁場線圏是構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圏的至少一個。
4. 根據權利要求2所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 上述傾斜磁場線圏是構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圈的至少一個。
5. 根據權利要求l所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 在上述傾斜磁場線圈被用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圏的至少一個的情況下，上述第一繞組部分被設置在漏磁比規定的值大的區域中， 上述第二繞組部分被設置在漏磁比規定的值小的區域中。
6. 根據權利要求2所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 在上述傾斜磁場線圏被用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圏的至少一個的情況下，上述第一繞組部分被設置在漏磁比規定的值大的區域中， 上述第二繞組部分被設置在漏磁比規定的值小的區域中。
7. 根據權利要求l所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 上述第 一繞組部分被設置在上述線圏架的中央部分， 上述第二繞組部分與上述第一繞組部分的兩端連續地被設置在其外側，按照相對於上述線圏架的軸方向的中心對稱的形狀，巻繞上述第 一繞組部分和第二繞組部分的繞組。
8. 根據權利要求7所述的傾斜磁場線圈，其特徵在於 在將上述傾斜磁場線圏用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圈和屏蔽線圏的雙方的情況下，對於上述第二繞組部分的上述線圈架的軸方向的長度，上述屏蔽 線圈比上述主線圈長。
9. 根據權利要求7所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 在將上述傾斜磁場線圏用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圏的雙方的情況下，對於上述第二繞組部分的各繞組的間距，上述屏蔽線圏比上述主 線圏寬。
10. 根據權利要求7所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 在將上述傾斜磁場線圈用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圈和屏蔽線圈的雙方的情況下，上述屏蔽線圏的上迷第一繞組部分的各繞組的匝數與上述主線圏 的上述第一繞組部分的各繞組的匝數與對應地是相同數目，上述屏蔽線圏的上述繞組各自的位置與對應的上述主線圏的各繞 組的位置相比，相對於上述線圏架的中心被設置在外側。
11. 根據權利要求7所述的傾斜磁場線圏，其特徵在於 上述第一繞組部分的上述線圏架的軸方向的長度是上述繞組部分的上述線圏架的軸方向的長度的大致40%的長度。
12. —種磁共振成像裝置，其特徵在於具備向被檢體施加靜磁場的靜磁場線圏；在與上述靜磁場的方向相同的方向上形成傾斜磁場，向上述被檢 體施加上述傾斜磁場的傾斜磁場線圏；接收從上述被檢體放射的磁共振信號的高頻線圏；對接收到的上述磁共振信號進行信號處理，輸出上述被檢體內部 的圖像的信號圖像處理部件，其中上述傾斜磁場線圏包括圓筒狀的線圈架；將上述導體巻繞在上述線圏架上多匝而形成的繞組部分， 上述繞組部件包括在上述線圏架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圏架的軸垂 直巻繞的第一繞組部分；在上述線圏架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圏架的軸傾 斜地巻繞為螺旋狀的第二繞組部分。
13. 根據權利要求12所述的磁共振成像裝置，其特徵在於 上述第一繞組部分被設置在按照比規定值疏的間隔巻繞上述導體的各匝的區域中，上述第二繞組部分被設置在按照比規定值密的間隔巻繞上述導體 的各臣的區域中。
14. 根據權利要求12所述的磁共振成像裝置，其特徵在於 上述傾斜磁場線圏是構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圏的至少一個。
15. 根據權利要求13所述的磁共振成像裝置，其特徵在於 上述傾斜磁場線圏是構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圏的至少一個。
16. 根據權利要求12所述的磁共振成像裝置，其特徵在於 在上述傾斜磁場線圏被用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圈的主線圈和屏蔽線圏的至少一個的情況下，上述第一繞組部分被設置在漏磁比規定的值大的區域中，上述第二繞組部分被設置在漏磁比規定的值小的區域中。
17. 根據權利要求12所述的磁共振成像裝置，其特徵在於 上述第 一繞組部分被設置在上述線圏架的中央部分， 上述第二繞組部分與上述第一繞組部分的兩端連續地被設置在外側，按照相對於上述線圏架的軸分析的中心對稱的巻繞形狀，巻繞上 述繞組。
18. 根據權利要求17所述的磁共振成像裝置，其特徵在於 在將上述傾斜磁場線圈用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圈的主線圈和屏蔽線圈的雙方的情況下，對於上述第二繞組部分的上述線圏架的軸方向的長度，上述屏蔽 線圏比上述主線圏長。
19. 根據權利要求17所述的磁共振成像裝置，其特徵在於 在將上述傾斜磁場線圈用於構成能動屏蔽型傾斜磁場線圏的主線圏和屏蔽線圈的雙方的情況下，對於上述第二繞組部分的各繞組的間距，上述屏蔽線圏比上述主 線圏寬。
20. —種傾斜磁場線圏的製造方法，是將導體巻繞在圓筒狀的線 圏架上多匝而形成繞組部分的傾斜磁場線圏的製造方法，其特徵在於 包括以下的步驟在上述線圏架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圈架的軸垂 直巻繞而形成第一繞組部分；在上述線圏架的圓周方向上將上述導體相對於上述線圏架的軸傾 斜地巻繞為螺旋狀而形成第二繞組部分。
全文摘要
本發明提供一種在確保導線卷繞的操作容易性的同時，還能夠抑制不需要磁場分量的產生的傾斜磁場線圈。本發明的傾斜磁場線圈的特徵在於包括卷繞導體的圓筒狀的線圈架；將導體卷繞在線圈架上多匝而形成的繞組部分，其中，繞組部分包括在線圈架的圓周方向上將導體相對於線圈架的軸垂直卷繞的第一繞組部分；在線圈架的圓周方向上將導體相對於線圈架的軸傾斜地卷繞為螺旋狀的第二繞組部分。
文檔編號H01F5/02GK101556855SQ20091000509
公開日2009年10月14日 申請日期2009年1月23日 優先權日2008年1月30日
發明者坂倉良知 申請人:株式會社東芝;東芝醫療系統株式會社