用於有機薄膜的堆積的分子束源的製作方法
2023-04-27 01:24:31 1
專利名稱：用於有機薄膜的堆積的分子束源的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種用於有機薄膜的堆積(accumulate)的分子束源，用於加熱將以薄膜形態形成在固體物體或物質如基底等的表面上的材料，從而熔化並蒸發薄膜形成材料；即產生蒸發分子以在固體物體的表面上長成薄膜，更特定地，它涉及一種用於有機材料的薄膜的堆積的分子束源，其適於用於將有機材料的薄膜的堆積在如基底等的固體物體的薄膜形成表面。
背景技術：
近年來，對有機薄膜元件有所關注，例如，作為其中典型的或代表性的成員，有機電致發光(即EL)及/或有機半導體。對這樣的薄膜元件，在真空中加熱有機材料，以便將蒸氣噴到基底的表面，然後讓它冷卻；由此其被固化或粘合在上面。通常使用下列方法，其中有機材料被放在由例如鎢等具有高熔點的材料製成的熔爐或坩鍋中，然後藉助於加熱器通過加熱坩鍋的周圍來加熱該要形成薄膜的材料；由此產生要噴在基底上的蒸氣。
然而，由於幾乎所有有機材料即膜形成材料都較差，特別是在熱傳導率上，藉助於如上面提到的蒸發裝置，不可能均勻地加熱該膜形成材料，因此產生一個缺點即它導致蒸氣產生的不均勻或不一致。也很明顯，這樣的缺點會帶來更大的問題，特別是，如果試圖將大量有機材料放入坩鍋中的話。
於是，如在下面的專利文獻1中所述，提出將一種熱穩定並化學穩定的材料，及也在熱傳導率上明顯優於膜形成材料的材料，與膜形成材料一起放入到坩鍋中，由此，使上面提到的缺陷得到解決。
另外，作為涉及膜形成材料的蒸發手段的另一缺陷，也指出其一惡果；即由於在高蒸發壓力和低溫的環境下有機膜形成材料可產生蒸氣，只要將該材料放入坩鍋中並將其設置在真空中則會無意地或意料不到地產生膜形成材料的蒸氣，由此對基底帶來汙染。為了處理上面提到的這種缺陷，如在下面的專利文獻2中所述，提出一種想法，其通過針形閥調節蒸氣的量，同時使坩鍋在結構上是封閉型的。
專利文獻1日本專利公開號2003-2778；及專利文獻2日本專利公開號2003-95787。
發明內容
從本發明發明人所作的研究中發現，通過將一種在熱傳導率上優於膜形成材料的材料，與膜形成材料一起放入到坩鍋中，可能均勻地產生蒸氣。然而，也發現，如果試圖在大尺寸基底的膜形成表面上，一致地或均勻地形成有機材料薄膜，必須在蒸發源和基底之間採用大的間隔，因此其極大地損害或降低了材料使用的效率。同樣，通過藉助於如針形閥中斷用於放出分子的開口，也是實現對蒸發材料的排出/阻塞的控制的較好的方法，然而作為釋放分子的開口，它過於狹窄，即接近於點狀，因此它也帶來一種缺陷即它不能應用於在大尺寸基底的膜形成表面上形成均勻薄膜。
同樣，有機膜形成材料也具有高蒸發壓力，它在低溫下產生蒸氣。；然而，在溫度降低時它可容易地再凝結。由於這個原因，當膜形成材料的蒸氣接觸到鄰近用於釋放分子的開口的壁表面而溫度下降時，那麼有機膜形成材料分離或沉積在壁表面上。這種情況的結果是，用於釋放分子的開口變窄或其被阻塞；由此，降低了在基底上形成膜的效率或對膜形成帶來有害效果。除了這些，在用於釋放分子的開口附近再凝結或固化的有機膜形成材料會從壁表面上片狀脫落，而在粉狀環境下在真空空間中漂浮散落；即增大了其附著在要形成薄膜的薄膜表面上的機率。
根據本發明，它的實現是通過考慮到關於上面提到的用於堆積有機薄膜的常規分子束源所具有的缺陷，特別是，通過研究該釋放分子的部分的結構，特別是釋放分子的開口，以及作為其結果，目的是提供用於堆積有機薄膜的分子束源，該分子束源能夠在大尺寸基底的膜形成表面上形成均勻薄膜，也能防止膜形成材料在釋放膜形成材料的分子的開口處分離或沉積，由此幾乎不會在釋放用的開口處引起窄化及/或阻塞。
為了實現上面提到的目的，根據本發明，首先提供一種用於堆積有機薄膜的分子束源，特別是，用於蒸發有機材料的，包括蒸氣產生源；外導件，其在釋放膜形成材料的分子的開口的側面具有錐形導壁，該膜形成材料的分子在所述蒸氣產生源中產生，朝向膜形成表面；內導件，其設置在所述外導件內部，具有錐形導壁；分子釋放通道，其形成在所述外導件和所述內導件之間，具有其中有直徑的錐形，其沿釋放分子的方向逐漸增大。在外導件和內導件內分別設置有加熱器，由此在分子釋放通道內部和外部形成加熱器。
用這樣的將加熱器設置在蒸氣容易再凝結的分子釋放開口處的分子束源，從而防止蒸發材料分離或沉積在分子釋放開口附近，而幾乎不會在釋放分子的開口處發生由於蒸氣的再凝結或分離而引起的變窄及/或阻塞。這使得能穩定地釋放蒸氣。
而且，根據本發明，該分子束源如上面提到的那樣設置加熱器，它還包括一個加熱器，其設置為穿過所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的組件；因此，可以防止引起蒸氣在穿過分子釋放通道的支撐組件上再凝結或固化。這樣，也可以保護分子釋放通道變窄及/或被阻塞，特別是其在快要到分子釋放開口的部分。
而且，根據本發明，該分子束源如上面提到的那樣設置加熱器，它還包括一個閥，其設置在從所述蒸氣產生源開始到所述用於向膜形成表面釋放在所述蒸氣產生源產生的膜形成材料的分子的分子釋放開口的路徑上；因此通過在開始蒸發時關閉該閥，可以加熱該材料而不會洩漏蒸氣。由於這個原因，可以容易地將壓力保持為穩定在依賴於在蒸氣產生源側面的材料溫度的平衡壓力。在這種情況下，可以在蒸氣產生源該側保持完全一致或均勻的壓力。
然而，根據本發明，如上面提到的在分子束源內設置加熱器，設置在分子釋放開口的側面的該加熱器具有一纏繞密度，與設置在蒸氣產生源的側面的加熱器相比，其為密集的或擁擠的。這樣作，可以確保防止蒸氣在分子釋放開口處再凝結或固化。
此外，根據本發明，如上面提到的在分子束源內設置加熱器，該內導件和外導件製作為在指向膜形成表面方向上可互相相對移動。這樣，可以調節分子釋放開口的開口部為寬或窄。而且，由於可以改變分子釋放開口的開口部的中央位置，因此可依賴於例如要形成薄膜的膜形成表面的區域的尺寸等，任意地決定分子的釋放條件。
參考附圖，從下面的詳細描述中，本發明這些及其他目的、特徵和優點將變得更明顯，在附圖中圖1是示出根據本發明一實施例的用於堆積有機薄膜的分子束源的實施例的垂直剖視圖；圖2是上面提到的用於堆積有機薄膜的分子束源的正視圖；圖3是放大的垂直剖視圖，示出上面提到的用於堆積有機薄膜的分子束源的主要的部分，包括分子釋放部和設置在其外部的致冷/加熱部件；圖4是放大的垂直剖視圖，示出該主要部分，特別是，在用上面提到的用於堆積有機薄膜的分子束源對一基底形成膜時的情況下；圖5是放大的垂直剖視圖，示出該主要部分，特別是，在將內導件從上面的圖4所示的位置改變到一位置處對該基底形成膜時的情況下；圖6是垂直剖視圖，示出加熱材料包含在上面提到的用於堆積有機薄膜的分子束源的坩鍋內；圖7是示出當釋放分子時，在分子加熱室的側面及也在分子釋放開口側面的溫度的圖示，其中在上面提到的用於堆積有機薄膜的分子束源內，加熱器不僅設置在分子加熱室的側面，也設置在分子釋放開口的側面；及圖8也是示出當釋放分子時，在分子加熱室側面和在分子釋放開口側面的溫度的圖示，其中在上面提到的用於堆積有機薄膜的分子束源內，加熱器不僅設置在分子加熱室的側面，也設置在分子釋放開口的側面。
具體實施例方式
根據本發明，閥設置在蒸氣的路線上，由此使得能關閉釋放的蒸氣。而且，加熱器設置在蒸氣容易凝結或固化的分子釋放開口的側面；由此防止蒸發材料在分子釋放開口附近分離或沉積。
以下，參考附圖將完整地解釋根據本發明的實施例。
圖1示出通過升華或蒸發發射膜形成材料「a」的分子束源發射區1。
分子束源發射區1的加熱材料容納部3具有金屬如SUS或類似物即具有高熱傳導率的材料製成的圓柱狀蒸氣產生源31，在坩鍋31內容納要加熱的加熱材料「a」。如圖6所示，此加熱材料「a」具有在核心即粒狀熱導或熱傳輸介質「c」的表面上的作為膜的主要成分的膜形成材料「b」覆蓋層。這樣，加熱材料「a」容納在上述加熱材料容納部3的坩鍋31中。
而且，除了(in the place)將膜形成材料「b」包覆在熱傳輸介質「c」，膜形成材料「b」和熱傳輸介質「c」可以容納在加熱材料容納部3的坩鍋31內，在以適當比例均勻混合或結合的情況下。例如，在容納在其中的膜形成材料「b」和熱傳輸介質「c」之間的體積比優選為70％30％，或多或少。
熱傳輸介質「c」是熱穩定及化學穩定的，而且它有具有比膜形成材料「b」的熱傳導率更高的熱傳導率的材料製成。例如，熱傳輸介質「c」由高熱傳輸材料如熱裂解氮化硼PBN、碳化矽或氮化鋁等製成。
如圖1所示，圍繞坩鍋31設置有加熱器32，其外周被使用液態氮等冷卻的護罩39包圍。藉助於溫度測量裝置(未在圖中示出)，例如熱電偶等，例如其設置在坩鍋31上，控制加熱器32的產熱值或熱量值，通過加熱在坩鍋31中的加熱材料「a」容納在坩鍋31內的膜形成材料「b」升華或蒸發；由此產生分子。而且，當加熱器32停止產生熱量時，使得藉助於護罩39使坩鍋的內部冷卻，於是冷卻加熱材料「a」，同時，膜形成材料的升華和蒸發停止。
在加熱時，通過熱傳輸介質「c」加熱膜形成材料「b」。由於熱傳輸介質「c」在熱傳導率上高於膜形成材料「b」，因此，即使在如果坩鍋僅含有膜形成材料「b」則熱量不能到達坩鍋31的中心的情況下，在熱傳輸介質「c」的幫助下熱量傳輸或傳播到坩鍋31的中心，然後設置在坩鍋31的中心的膜形成材料「b」被加熱到融解及/或蒸發。這樣作，容納在坩鍋31中的膜形成材料「b」可以被完全地或均勻地加熱、融解和蒸發。
而且，由於熱傳輸介質「c」由熱穩定的及化學穩定的材料如熱裂解氮化硼PBN、碳化矽或氮化鋁等製成，如果被加熱器32加熱到這樣的程度即可蒸發膜形成材料「b」時，熱傳輸介質「c」不會融解或蒸發。因此，在從坩鍋31的蒸氣釋放開口2發出的蒸氣分子中不會含有熱傳輸介質「c」的分子，因此，它不會對生長結晶的膜的組成產生有害影響。
然而，在膜形成材料「b」是具有電致發光作用或能力的有機低分子材料或有機聚合物材料的情況中，比起金屬如銅等其蒸發溫度很低；幾乎它們都等於或低於200℃。另一方面，其耐熱溫度也比較低，因此必須在等於或高於其蒸發溫度且也等於或小於其耐熱溫度的溫度下加熱，以獲得上面提到的這樣的有機低分子或有機聚合物的蒸發。
閥33設置在膜形成材料的分子從坩鍋31釋放出的側面。該閥33，所謂的針形閥，具有尖銳的針部34和包括分子通過開口的閥座35，該分子通過開口通過插入針部34的尖頭，可以在其流動通道的橫截面區域上被關閉或阻塞或變狹窄。上面提到的針部34通過線性運動在其中心軸方向上移動，所述線性移動在伺服馬達36幫助下經過一個皮腔37引入。
如圖1所示，分子通過可以被閥33打開或關閉的閥座35的開口，通過引導通道21與分子釋放部11連通或導通。該分子釋放部11具有圓柱形分子加熱室12，加熱器15設置該分子加熱室12周圍。該分子加熱室12通過用於將蒸發分子引導或引入到分子加熱室12中的引導通道21與上面提到的閥33連通。膜形成材料的分子，從上面提到的閥33的側面漏出並通過該引導通道21到達分子釋放部11，然後，它被再次加熱，被分子加熱室12內的加熱器15加熱到想要的溫度，並從分子釋放開口14發射出而朝向設置在真空室或真空容器內的基底。
圖2和圖3示出在分子束源發射區1的頂端的分子釋放部11的細節。
在分子釋放開口14和分子加熱室12的頂端的周圍部分之間，設置有外導件13。該外導件13的內表面限定一錐形引導表面，其直徑沿從分子加熱室12的頂端周圍側到分子釋放開口14的方向逐漸變大。
此外，在該外導件13內設置有內導件16。如圖3所示，內導件16的外表面也限定一引導表面，其具有與上面提到的外導件13的內引導表面相同的斜坡或斜面；即該引導表面也被成形為錐形，其直徑沿從分子加熱室12的頂端周圍側到分子釋放開口14的方向逐漸變大。在該內導件16的引導表面和外導件13的引導表面之間限定了從分子加熱室12的頂端周圍側延伸到分子釋放開口14的分子釋放通道17。
在徑向上間隔45°將支柱23插入到在內導件16和外導件13之間確定的分子釋放通道17中。在圖中示出的本實施例的每個支柱23由兩個板狀組件構成，該組件設置在內導件16和外導件13上在圓周方向上以一間距分開。螺絲釘24插入到這些支柱23中，藉助於螺絲釘24這些支柱23被固定到內導件16和外導件13上。藉助於支撐部件的這種支撐結構，其主要包括這些支柱23和螺絲釘24等，內導件16和外導件13安裝於中心軸而以同心方式相互設置，並相互固定。
內導件16可以向外導件13移動，在指向要形成薄膜的基底的膜形成表面的方向上，而固定在任意位置。內導件16的可移動的方向是圖3中的垂直方向(或上下方向)。內導件16的位置，其由圖3中的兩點劃線示出，顯示出當它被向後移動從由實線示出的內導件16的位置後退到分子釋放部11的側面的情形。在當內導件16位於實線所示的位置的時候，比起兩點劃線所示的位置，內導件16的錐形引導表面接近另一引導表面即外導件13的內表面；因此，分子釋放通道17變窄。圖4示出當內導件16在由圖3中實線所示的位置的情況。同樣，圖5示出示出當內導件16在由圖3中兩點劃線所示的位置的情況。以這種方式，內導件16可在圖3中的垂直方向上移動，它也可固定在任意位置。
在外導件13外側設置有致冷/加熱部件21，其包括加熱器18和冷卻器22，而外導件13被該致冷/加熱部件21包圍。通過使用致冷液體例如水或液態氮等，致冷/加熱部件21的冷卻器22從周圍使外導件13冷卻或變冷。同樣，致冷/加熱部件21的加熱器18使用例如其中的微加熱器從周圍加熱外導件13，由此加熱設置在其內部的分子釋放通道17。致冷/加熱部件21的加熱器18的產熱量的密度，即每單位面積產生熱量的量，設定為大於設置在分子加熱室12外圍的加熱器15的產熱密度。由於此原因，加熱器18的纏繞密度要比在分子加熱室12中的加熱器15的更密集或更稠密。
此外，在內導件16內還安裝有加熱器19。該加熱器19也使用例如其中的微加熱器來從內部加熱內導件16，由此加熱設置在其外部的分子釋放通道17。內導件16的加熱器19的產熱量的密度，即每單位面積產生熱量的量，設定為大於設置在分子加熱室12外圍的加熱器15的產熱密度。由於此原因，加熱器19的纏繞密度要比在分子加熱室12中的加熱器15的更密集或更稠密。
在設置在外導件13和內導件16之間的分子釋放通道17中，設置或連接貫穿其中的加熱器20。該加熱器20，在當上面提到的螺絲釘插入到支柱23中時其也被插入到支柱23中的情況下，即其接近支柱23和其中的螺絲釘24時，貫穿分子釋放通道17。由於加熱器20貫穿分子釋放通道17，適合利用加熱器的中線在外部加熱器18和內部加熱器19之間連接，然而，加熱器20可以是獨立的，與那些加熱器18、19分開。
以這種方式，除了加熱器18和19再次設置在蒸氣容易再凝結或固化的分子釋放開口附近；即更詳細地說，在分子釋放通道17的外部和內部，還提供了貫穿分子釋放通道17的加熱器20，因而，確保防止蒸發材料在分子釋放開口14附近沉積或分離。有了這一點，幾乎不會發生由於蒸氣的再凝結或固化而產生的在分子釋放開口的變窄及/或阻塞。特別是，由於加熱器20在當螺絲釘插入到支柱23中時其也被插入到支柱23中的情況下，貫穿分子釋放通道17，使得能確保防止蒸氣在設置為貫穿分子釋放通道17的支撐部件如支柱23、螺絲釘24等上再凝結或固化。
圖7和8示出在加熱分子釋放通道17時，通過測量內導件16的壁表面的溫度獲得的結果，在實際分子釋放的試驗或實驗中，除了在分子加熱室12側面上有加熱器15，還在外導件13的側面上有加熱器18以及在內導件16的側面上有加熱器19。特別是，圖7示出測量的結果，該測量在作為測溫點的靠近分子釋放開口14的內導件16的壁表面的頂端側進行。以及，圖8示出測量的結果，該測量在作為測溫點的靠近分子加熱室12的支柱的基部進行。藉助於加熱器15加熱分子加熱室12側面，而在200℃-400℃範圍內改變分子加熱室12的壁表面溫度，來進行測量。在包括不在外導件13的側面提供加熱器18以及內導件16側面提供加熱器19的那些情況中，使用幾種纏繞密度不同的加熱器作為在分子釋放開口14側面的加熱器，來進行測量。按照每個對在分子加熱室12側面的加熱器15的比率，示出了加熱器18和加熱器19的纏繞密度。
由於用於固定外導件13和內導件16的支撐部件面向或面對分子釋放的外側，歸因於輻射，它們容易降溫。因為這個原因，當從分子釋放開口14釋放的膜形成材料的分子接近或接觸到外導件13及/或內導件16時，由於熱吸收，它們容易再次凝結或固化。
因而，提供設置外導件13側面的加熱器18，其具有在分子加熱室12側面的加熱器15的四倍或更多倍的纏繞密度；可以使內導件16的壁表面溫度到達接近分子加熱室12的溫度。此外，還在外導件16側面提供加熱器19，並使兩者的纏繞密度為在分子加熱室12的側面的加熱器15的十二倍；可以保持內導件16的壁表面的溫度等於或高於分子加熱室12的溫度。另外，將加熱器20與螺絲釘24一起插入到支柱23中，貫穿分子釋放通道17；因此，支撐部件如支柱23和螺絲釘24等，其設置為貫穿分子釋放通道17，也可以保持特別是與其溫度相近。
如上面充分論述的，根據所述用於堆積有機薄膜的分子束源，可以防止蒸汽產生源意外地釋放蒸汽，由此，使得能在穩定的不變條件下釋放蒸汽，因此，可以在基底的膜形成表面上穩定地形成薄膜。這樣，即使在大尺寸的基底上也可以形成均勻的薄膜。而且，有了設置在蒸汽釋放開口側面的加熱器，可以防止膜形成材料的蒸汽再凝結或固化，在蒸汽釋放開口處形成膜形成材料的沉積或分離。這樣，在分子釋放開口幾乎不會發生變窄及/或阻塞；因此，可以在較長時間內穩定地釋放分子。以及，能穩定地形成膜。
可以不偏離本發明精神或本質特徵或特點以其他特定形式實施本發明。因此，本實施例被認為是在所有方面上為說明性的而非限制性的，本發明的範圍由所附權利要求而不是上面的描述表示，因此包含等價於權利要求的範圍。
權利要求
1.一種用於堆積有機薄膜的分子束源，用於蒸發有機材料，包括蒸氣產生源；外導件，其在釋放膜形成材料的分子的分子釋放開口的側面具有錐形導壁，該膜形成材料分子在所述蒸氣產生源中產生，朝向膜形成表面；內導件，其設置在所述外導件內部，具有錐形導壁；分子釋放通道，其形成在所述外導件和所述內導件之間，具有其中有直徑的錐形，其沿釋放分子的方向逐漸增大；及設置在所述分子釋放通道內的加熱器，用於加熱要被釋放的膜形成材料的蒸汽粒子。
2.如權利要求1所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一閥，其設置在從所述蒸氣產生源開始到所述用於向膜形成表面釋放在所述蒸氣產生源產生的膜形成材料的分子的分子釋放開口的路徑上。
3.如權利要求1所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，其中所述內導件和所述外導件可在指向膜形成表面方向上互相相對移動。
4.如權利要求2所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，其中所述內導件和所述外導件可在指向膜形成表面方向上互相相對移動。
5.如權利要求1所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，其中所述加熱器分別設置於所述外導件和所述內導件中。
6.如權利要求2所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，其中所述加熱器分別設置於所述外導件和所述內導件中。
7.如權利要求3所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，其中所述加熱器分別設置於所述外導件和所述內導件中。
8.如權利要求4所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，其中所述加熱器分別設置於所述外導件和所述內導件中。
9.如權利要求1所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
10.如權利要求2所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
11.如權利要求3所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
12.如權利要求4所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
13.如權利要求5所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
14.如權利要求6所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
15.如權利要求7所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
16.如權利要求8所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，還包括一加熱器，其設置為貫穿所述分子釋放通道，靠近用於支撐所述外導件和所述內導件的部件。
17.如權利要求5所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
18.如權利要求6所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
19.如權利要求7所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
20.如權利要求8所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
21.如權利要求9所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
22.如權利要求10所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
23.如權利要求11所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
24.如權利要求12所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
25.如權利要求13所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
26.如權利要求14所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
27.如權利要求15所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
28.如權利要求16所述的用於堆積有機薄膜的分子束源，所述設置在所述分子釋放開口的側面的加熱器的纏繞密度，比設置在所述蒸氣產生源的側面的所述加熱器的更大。
全文摘要
一種用於堆積有機薄膜的分子束源，能夠在大尺寸基底的膜形成表面上形成均勻薄膜，而不會在釋放膜形成材料的分子的開口處產生膜形成材料的沉積或分離，其中閥33設置在從所述分子加熱部12開始到所述用於向膜形成表面釋放產生的膜形成材料的分子的分子釋放開口14的空間內，此外，加熱器18和19設置在分子釋放開口14的側面，用於加熱要釋放的膜形成材料的分子。在分子釋放開口14側面設置有具有錐形導壁的外導件13，以及還有具有錐形導壁的內導件16，其設置在所述外導件內。在外導件13和內導件16之間，形成有分子釋放通道17，其直徑沿分子釋放的方向逐漸增大。加熱器18和19分別設置在外導件13和內導件16上，此外，除了這些，加熱器20設置為貫穿分子釋放開口14，由此在釋放開口處幾乎不會發生變窄及/或阻塞。
文檔編號C23C14/24GK1920089SQ20051009231
公開日2007年2月28日 申請日期2005年8月26日 優先權日2005年8月26日
發明者小林理, 齋藤建勇 申請人:株式會社日本微拓科技