N型矽太陽能電池的製作方法

2023-05-09 07:30:21 1

專利名稱：N型矽太陽能電池的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種太陽能電池，具體說是一種N型矽太陽能電池。
背景技術：
目前國際上通行的是在P型矽片上以絲網印刷方法製造的矽太陽能電池。這種電池得到認可的最高光電轉換率在16％左右。在此基礎上進一步提高性價比的空間非常有限。並且，近年來人們發現常規太陽能電池用的P型矽切克勞斯直拉單晶(CZ)材料的少數載流子壽命會在光照下衰退。因而嘗試著尋找其他性能更好的材料，如超磁直拉單晶(MCZ)、摻鎵直拉單晶等等，但這樣會提高太陽能電池的成本。
目前現有的N型矽太陽能電池是美國SunPower公司生產的N型背面點接觸太陽能電池。其結構是電極、接觸金屬全部在電池背面，為實現金屬與背面10微米的細小擴散區點陣的互聯，又要防止背面金屬之間短路，因此要做多次光刻、氧化和擴散，結構相當複雜，製作難度大，成本高。
實用新型內容本實用新型的發明目的在於彌補現有技術存在的缺陷，提供一種提供一種結構合理，製作工藝簡單，成本較低，光電轉化率較高的N型矽太陽能電池。
本實用新型N型矽太陽能電池，以N型直拉單晶矽片(CZ)為基體，其特徵是N型直拉單晶矽片的正面設有隨機正金字塔絨面結構層，隨機正金字塔絨面結構層上附設絲網印刷的金屬電極；N型直拉單晶矽片的的背面設有硼擴散製備的P型發射結層，在P型發射結層上附設絲網印刷的金屬電極。
本實用新型N型矽太陽能電池，結構合理，製作工藝簡單，成本較低，光電轉化率較高。


圖1為本實用新型N型矽太陽能電池結構(放大)局部示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例，對本實用新型作進一步詳細說明。
實施例如圖1所示，本實用新型N型矽太陽能電池，以N型直拉單晶矽片(CZ)為基體1，N型直拉單晶矽片的正面設有隨機正金字塔絨面結構層2，隨機正金字塔絨面結構層上附設絲網印刷的金屬電極3；N型直拉單晶矽片的的背面設有硼擴散製備的P型發射結層4，在P型發射結層上附設絲網印刷的金屬電極3。
本實用新型N型矽太陽能電池是按下述方法製備的將N型矽片進行前道化學預處理，腐蝕隨機正金字塔絨面結構層；在N型矽片背面硼擴散製備背面的P型發射結，生長氧化層；N型矽片正面PECVD澱積氧化層，絲網印刷正面、背面金屬電極；燒結金屬即電極金屬化。從而得到本實用新型N型矽太陽能電池。
權利要求1.一種N型矽太陽能電池，以N型直拉單晶矽片(CZ)為基體(1)，其特徵是N型直拉單晶矽片的正面設有隨機正金字塔絨面結構層(2)，隨機正金字塔絨面結構層上附設絲網印刷的金屬電極(3)；N型直拉單晶矽片的的背面設有硼擴散製備的P型發射結層(4)，在P型發射結層上附設絲網印刷的金屬電極(3)。
專利摘要本實用新型公開了一種N型矽太陽能電池，以N型直拉單晶矽片(CZ)為基體，其特徵是N型直拉單晶矽片的正面設有隨機正金字塔絨面結構層，隨機正金字塔絨面結構層上附設絲網印刷的金屬電極；N型直拉單晶矽片的的背面設有硼擴散製備的P型發射結層，在P型發射結層上附設絲網印刷的金屬電極。本實用新型N型矽太陽能電池，結構合理，製作工藝簡單，成本較低，光電轉化率較高。
文檔編號H01L31/042GK2886808SQ200620068809
公開日2007年4月4日 申請日期2006年1月24日 優先權日2006年1月24日
發明者趙建華, 王愛華, 張鳳鳴 申請人:中電電氣(南京)光伏有限公司