觸控裝置結構的製作方法
2023-05-23 21:58:06
專利名稱：觸控裝置結構的製作方法
技術領域：
觸控裝置結構技術領域[0001]本實用新型涉及觸控技術領域，特別是有關於一種觸控裝置結構。
背景技術：
[0002]隨著資訊科技的發展，觸控裝置成為人機之間資訊傳遞的方式之一。觸控裝置分 為可視區及邊框區，在可視區中製作電極，在邊框區分布電極引線，電極引線通過軟性電路 板將電極的訊號傳遞到訊號處理器中，完成觸控感應的功能。電極通常由複數X方向電極 及複數Y方向電極交錯形成。例如，X方向電極及Y方向電極設置在同一透明基底的同側， X方向電極為連續的，Y方向電極為不連續的。在X方向電極及Y方向電極交錯位置設置絕 緣層及導電架橋，導電架橋連接相鄰兩個Y方向電極，絕緣層設置於導電架橋與X方向電極 之間，藉此，X方向電極及Y方向電極相互絕緣並確保在各自方向導通。[0003]這種具有導電架橋、絕緣層及電極等數層結構的觸控裝置的製作方法，通常是通 過多道濺鍍及光刻製程在基底上依序製作出X方向及Y方向電極、覆蓋X方向及Y方向電 極的絕緣層以及連接Y方向電極的導電架橋。[0004]然而，上述觸控裝置的製作方法中，形成次一層結構時會對前一步驟已形成之層 結構產生影響。例如，上述製作方法中經過多次真空濺鍍、曝光、顯影與蝕刻製程後，電極可 能會出現裂紋或脫離基底等問題。[0005]再者，上述製作方法採用真空濺鍍及光刻製程的多道程序，所需設備昂貴，製作成 本較高，且化學藥劑汙染性大。[0006]因此，有必要尋求一種新的觸控裝置結構之製造方法，其能夠解決或改善上述的 問題。實用新型內容[0007]本實用新型提供一種觸控裝置結構，通過轉印製程製作導電架橋、絕緣層及感測 電極，以降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響，進而 提升良率。[0008]本實用新型提供一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區分有一可視區；複數第一 感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於可視區的基底上，其中第二感測電極 為不連續，且相鄰的第二感測電極之間具有一架橋區；一絕緣層，設置於第一感測電極及第 二感測電極上；一轉印基膜；以及複數導電架橋，相互間隔地設置於轉印基膜上，其中導電 架橋通過一轉印製程設置於絕緣層上，且對應於架橋區，每一導電架橋電性連接相鄰的第 二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。[0009]本實用新型提供另一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區分有一可視區；複數第 一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於可視區的基底上，其中第二感測電 極為不連續，且相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；一轉印基膜；複數導電架橋，相 互間隔地設置於轉印基膜上；以及一絕緣層，設置於導電架橋上，其中導電架橋及絕緣層通過一轉印製程設置於第一感測電極及第二感測電極上，且其中導電架對應於架橋區，每 一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。[0010]本實用新型提供另一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區分有一可視區；一轉印 基膜；複數導電架橋，相互間隔地設置於轉印基膜上；一絕緣層，設置於導電架橋上；以及 複數第一感測電極及複數第二感測電極，交錯排列在絕緣層上，其中第二感測電極為不連 續，且相鄰第二感測電極之間界定出一架橋區，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電 極，且與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣，且其中導電架橋、絕緣層、第一感測電極及第 二感測電極通過一轉印製程設置於可視區的基底上。[0011]進一步的，所述基底更區分有圍繞所述可視區的邊框區，且所述觸控裝置結構更 包括複數引線，設置於所述邊框區的所述基底上，以分別電性連接所述第一感測電極及所 述第二感測電極。[0012]進一步的，所述基底更區分有圍繞所述可視區的邊框區，且所述觸控裝置結構更 包括複數引線，設置於所述轉印基膜上，且對應於所述邊框區，以分別電性連接所述第一感 測電極及所述第二感測電極。[0013]進一步的，所述導電架橋的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶 膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶 膠。[0014]進一步的，所述第一感測電極及所述第二感測電極的材質包括納米銀溶膠、銦錫 氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米 碳管溶膠或導電高分子溶膠。[0015]進一步的，所述絕緣層包括彼此隔開的複數絕緣塊，對應於所述架橋區。[0016]進一步的，所述絕緣層具有複數對孔洞對應於所述架橋區，使每一導電架橋經由 每一對孔洞電性連接所述相鄰的第二感測電極。[0017]根據本實用新型實施例，由於通過轉印製作觸控裝置的導電架橋、絕緣層及感測 電極，可降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響，進而 提升良率。另外，以轉印製程取代濺鍍及光刻製程，可簡化製程，進而提高生產效率。另外 由於無需昂貴的製程(例如，濺鍍及光刻製程)設備，因此可提高價格競爭優勢以及降低化 學藥劑的汙染。
[0018]圖1A至1E-2為本實用新型一實施例之觸控裝置結構的製造方法的剖面示意圖；[0019]圖2A至2E為本實用新型另一實施例之觸控裝置結構的製造方法的剖面示意圖；[0020]圖3A至3E為本實用新型另一實施例之觸控裝置結構的製造方法的剖面示意圖；[0021]圖1D-1、1D_2、2D及3D為本實用新型不同實施例的觸控裝置結構剖面示意圖；以 及[0022]圖4為圖1D-1所示觸控裝置結構的爆炸圖。
具體實施方式
[0023]以下說明本實用新型實施例觸控裝置結構及其製造方法。然而，可輕易了解本實用新型所提供的實施例僅用於說明以特定方法製作及使用本實用新型，並非用以局限本實用新型的範圍。再者，在本實用新型實施例之圖式及說明內容中使用相同的標號來表示相同或相似的部件。[0024]請參照圖1D-1及圖4，其為根據本實用新型一實施例之觸控裝置結構剖面示意圖及爆炸圖。在本實施例中，觸控裝置結構包括一基底100、複數導電架橋210、一絕緣層 224、複數第一感測電極230、複數第二感測電極240及一轉印基膜2 00。基底100區分有一可視區110。第一感測電極230及第二感測電極240相互絕緣且交錯排列於可視區110的基底100上，其中第一感測電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續結構。第二感測電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續，且相鄰的第二感測電極240之間界定出架橋區120。其中第一軸向與第二軸向相互交叉，例如第一軸向與第二軸向相互垂直，但不以此為限。架橋區120位於可視區110內。絕緣層224設置於第一感測電極230及第二感測電極240上。導電架橋210相互間隔地設置於轉印基膜200上，且對應於架橋區120，每一導電架橋210電性連接相鄰的第二感測電極240，且與第一感測電極 230通過絕緣層224相互絕緣。[0025]第一感測電極230及第二感測電極240可通過轉印製程形成於可視區110的基底 100上。在本實施例中，可先通過印刷製程，例如凹版印刷製程，在一轉印基膜(未繪示) 上形成第一感測電極230及第二感測電極240。接著，通過轉印製程將轉印基膜上的第一感測電極230及第二感測電極240轉印至可視區110的基底100上。在其他實施例中，也可通過印刷製程將第一感測電極230及第二感測電極240形成於基底100上。相較於傳統的濺鍍及光刻製程，由於進行轉印製程時不需要高溫處理，因此第一感測電極230及第二感測電極240的材料不受限於耐高溫的導電材料。第一感測電極230及第二感測電極240 的材料可為光學透明導電油墨，透明導電油墨包括納米銀溶膠、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)溶膠、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO)溶膠、銦錫氟氧化物(Indium Tin Fluorine Oxide, ITF0)溶膠、招鋒氧化物(Aluminum Zinc Oxide, ΑΖ0)溶膠、氟鋒氧化物 (Fluorine Zinc Oxide, FZ0)溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子(例如，聚乙烯二氧噻吩 (poly (3,4-ethylenedioxythiophene), PED0T)溶膠,其中透明導電油墨的導電率可高於 1/Ωοπι0在其他實施例中，也可通過濺鍍及光刻製程取代上述轉印製程，其中第一感測電極 230及第二感測電極240的材質包括ΙΤ0、ΙΖ0、ITF0, AZO或FZO等耐高溫材料。[0026]在本實施例中，絕緣層224包括彼此隔開的複數絕緣塊222。絕緣塊222對應於架橋區120，且設置於第一感測電極230上，以使連接相鄰第二感測電極240的導電架橋210 與第一感測電極230電性絕緣。絕緣層224可通過轉印或沉積製程形成。
權利要求1.一種觸控裝置結構，其特徵在於，包括基底，所述基底區分有一可視區；複數第一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於所述可視區的所述基底上，其中所述第二感測電極為不連續，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；絕緣層，設置於所述第一感測電極及所述第二感測電極上；轉印基膜；以及複數導電架橋，相互間隔地設置於所述轉印基膜上，其中所述導電架橋通過轉印製程設置於所述絕緣層上，且對應於所述架橋區，每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且所述導電架橋與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣。
2.一種觸控裝置結構，其特徵在於，包括基底，所述基底區分有一可視區；複數第一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於所述可視區的所述基底上，其中所述第二感測電極為不連續，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區；轉印基膜；複數導電架橋，相互間隔地設置於所述轉印基膜上；以及絕緣層，設置於所述導電架橋上，其中所述導電架橋及所述絕緣層通過轉印製程設置於所述第一感測電極及所述第二感測電極上，且其中所述導電架對應於所述架橋區，每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且所述導電架橋與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣。
3.—種觸控裝置結構，其特徵在於，包括基底，所述基底區分有一可視區；轉印基膜；複數導電架橋，相互間隔地設置於所述轉印基膜上；絕緣層，設置於所述導電架橋上；以及複數第一感測電極及複數第二感測電極，交錯排列在所述絕緣層上，其中所述第二感測電極為不連續，且所述相鄰的第二感測電極之間界定出一架橋區，每一導電架橋電性連接所述相鄰的第二感測電極，且與所述第一感測電極通過所述絕緣層相互絕緣，且其中所述導電架橋、所述絕緣層、所述第一感測電極及所述第二感測電極通過一轉印製程設置於所述可視區的所述基底上。
4.根據權利要求1至3項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特徵在於，所述基底更區分有圍繞所述可視區的邊框區，且所述觸控裝置結構更包括複數引線，設置於所述邊框區的所述基底上，以分別電性連接所述第一感測電極及所述第二感測電極。
5.根據權利要求1至3項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特徵在於，所述基底更區分有圍繞所述可視區的邊框區，且所述觸控裝置結構更包括複數引線，設置於所述轉印基膜上，且對應於所述邊框區，以分別電性連接所述第一感測電極及所述第二感測電極。
6.根據權利要求1至3項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特徵在於，所述導電架橋的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
7.根據權利要求1至3項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特徵在於，所述第一感測電極及所述第二感測電極的材質包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或導電高分子溶膠。
8.根據權利要求1至3項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特徵在於，所述絕緣層包括彼此隔開的複數絕緣塊，對應於所述架橋區。
9.根據權利要求1至3項中任意一項所述的觸控裝置結構，其特徵在於，所述絕緣層具有複數對孔洞對應於所述架橋區，使每一導電架橋經由每一對孔洞電性連接所述相鄰的第二感測電極。
專利摘要本實用新型提供一種觸控裝置結構，包括一基底，基底區分有一可視區；複數第一感測電極及複數第二感測電極相互絕緣且交錯排列於可視區的基底上，其中第二感測電極為不連續，且相鄰的第二感測電極之間具有一架橋區；一絕緣層，設置於第一感測電極及第二感測電極上；一轉印基膜；以及複數導電架橋，相互間隔地設置於轉印基膜上，其中導電架橋通過一轉印製程設置於絕緣層上，且對應於架橋區，每一導電架橋電性連接相鄰的第二感測電極，且導電架橋與第一感測電極通過絕緣層相互絕緣。通過轉印製程製作導電架橋、絕緣層及感測電極，以降低或排除形成次一層結構時對前一步驟已形成之層結構產生的不良影響，進而提升良率。
文檔編號G06F3/041GK202838264SQ20122051565
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月27日 優先權日2012年9月27日
發明者張恆耀, 張振炘, 吳孟學, 伍哲毅, 陳麗嫻 申請人:寶宸(廈門)光學科技有限公司