矽片全面檢測裝置的製作方法
2023-05-14 11:32:06
專利名稱：矽片全面檢測裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種矽片檢測裝置，具體說，涉及一種矽片全面檢測裝置。
背景技術：
目前，矽片檢測主要包括電阻率、少子壽命、微晶、隱裂等方面，這些方面的檢測需要各種不同的設備來實現，如電阻率測試儀、少子壽命測試儀等，造成了檢測過程複雜，使生產效率較低的同時，無形中增加了誤差率，使碎片率也居高不下。現有技術中可知，利用特定波長的雷射作為激發光源，提供一定能量的光子，矽片中處於基態的電子在吸收這些光子後而進入激發態，處於激發態的電子屬於亞穩態，在短時間內會回到基態，並發出1150nm (SI電池為例)左右的紅外光為波峰的螢光。利用高靈敏高解析度的照相機進行感光，然後將圖像通過軟體進行分析，可獲得少數載流子壽命。發 光的強度與該區域的非平衡少數載流子的濃度成正比，而缺陷將是少數載流子的強複合中心，因此該區域的少數載流子濃度變小導致螢光效應減弱，在圖像上表現出來就成為暗色的點、線，或一定的區域，而在矽片內複合較少的區域則表現為比較亮的區域。因此，可通過觀察光致發光成像，來判斷矽片是否存在缺陷，雜質等等。由此可見，利用光致發光法可以實現對矽片快速、全面的檢測，如何實現是一個亟待解決的技術問題。
發明內容本發明所解決的技術問題是提供一種矽片全面檢測裝置，為矽片全面檢測提供了新的途徑，減少了其他儀器的使用的同時，提高了檢測效率，降低了誤差率。技術方案如下一種矽片全面檢測裝置，包括機箱及其內部的傳送模塊、雷射器、攝像頭、厚度測試模塊、電阻率測試模塊和終端；所述雷射器、攝像頭、厚度測試模塊和電阻率測試模塊沿所述傳動模塊傳送方向依次排放在所述傳送模塊上端；所述傳送模塊、雷射器、攝像頭、厚度測試模塊和電阻率測試模塊與分別與所述終端電連接。進一步所述厚度測試模塊包括厚度測量上、下探頭和厚度測量控制器，所述厚度測量上、下探頭為一對電容原理位移測量探頭。進一步所述電阻率測試模塊包括電阻率測量上、下探頭和電阻率測量控制器，所述電阻率測量上、下探頭為一對電渦流原理電阻率測量探頭。進一步所述攝像頭為近紅外攝像頭。進一步所述攝像頭的波長範圍為900-1700nm。進一步所述雷射器為功率30W、發射雷射波長810nm的雷射器。本實用新型優點和有益效果，具體體現在以下幾個方面I、本實用新型為全面檢測矽片提供了新的途徑；2、本實用新型中矽片全面檢測裝置檢測速度可達到I片/秒，大大提高了檢測效率;[0015]3、本實用新型中矽片全面檢測裝置實現了矽片電阻率、少子壽命、微晶等方面的全面檢測，無需其他設備，節約運行成本；4、本實用新型中矽片全面檢測裝置實現一次檢測獲得全面結果，極大的降低了矽片的碎片率，保證了矽片的質量。
圖I為本實用新型中矽片全面檢測裝置剖面結構示意圖。
具體實施方式
如圖I所示，為本實用新型中矽片全面檢測裝置結構示意圖。矽片全面檢測裝置包括機箱I內部的傳送模塊2、雷射器3、攝像頭4、厚度測試模塊5、電阻率測試模塊6和終端構成。雷射器3、攝像頭4、厚度測試模塊5和電阻率測試模塊6並排設置在傳送模塊2上端，並沿傳動模塊傳送方向依次排放。傳送模塊2、雷射器3、攝像頭4、厚度測試模塊5和電阻率測試模塊6與分別與終端電連接。傳送模塊2用於傳送矽片；雷射器3採用功率10W，發射雷射波長810nm的雷射器，用於激發矽片表面的少數載流子；攝像頭4採用近紅外攝像頭，波長範圍900-1700nm，用於拍攝紅外圖片，攝像頭4獲取傳送模塊2上矽片圖像信息後，將圖像信息傳輸到終端；終端對圖像信息進行分析處理，對圖像灰度和少數載流子壽命進行擬合，獲得矽片少數載流子壽命值，利用採集的圖像信息完成紅外探傷。厚度測試模塊5包括厚度測量上、下探頭和厚度測量控制器，電阻率測試模塊6包括電阻率測量上、下探頭和電阻率測量控制器。厚度測量上、下探頭為一對電容原理位移測量探頭，電阻率測量上、下探頭為一對電渦流原理電阻率測量探頭；終端接收厚度測試模塊5和電阻率測試模塊6採集的矽片數據信息並進行處理，獲得矽片厚度與電阻率。使用矽片全面檢測裝置時，傳送模塊2傳送矽片分別經過雷射器3、攝像頭4、厚度測試模塊5、電阻率測試模塊6，雷射器3將雷射束照射到矽片表面，攝像頭4獲得矽片圖像信息，並將圖像信息傳輸到終端；終端對圖像信息進行分析處理，對圖像灰度和少數載流子壽命進行擬合，獲得矽錠少數載流子壽命值，利用採集的圖像信息完成紅外探傷。厚度測量控制器控制厚度測量上、下探頭獲取傳送模塊2上的矽片數據後，將相關數據傳輸給終端，終端計算出矽片厚度並將厚度作為參數；電阻率測量控制器控制電阻率測量上、下探頭獲取傳送模塊2上的矽片數據後，將相關數據傳輸給終端，終端計算出矽片電阻率。
權利要求1.一種矽片全面檢測裝置，其特徵在於包括機箱及其內部的傳送模塊、雷射器、攝像頭、厚度測試模塊、電阻率測試模塊和終端；所述雷射器、攝像頭、厚度測試模塊和電阻率測試模塊沿所述傳動模塊傳送方向依次排放在所述傳送模塊上端；所述傳送模塊、雷射器、攝像頭、厚度測試模塊和電阻率測試模塊與分別與所述終端電連接。
2.如權利要求I所述的矽片全面檢測裝置，其特徵在於所述厚度測試模塊包括厚度測量上、下探頭和厚度測量控制器，所述厚度測量上、下探頭為一對電容原理位移測量探頭。
3.如權利要求I所述的矽片全面檢測裝置，其特徵在於所述電阻率測試模塊包括電阻率測量上、下探頭和電阻率測量控制器，所述電阻率測量上、下探頭為一對電渦流原理電阻率測量探頭。
4.如權利要求I所述的矽片全面檢測裝置，其特徵在於所述攝像頭為近紅外攝像頭。
5.如權利要求4所述的矽片全面檢測裝置，其特徵在於所述攝像頭的波長範圍為900_1700nm。
6.如權利要求I所述的矽片全面檢測裝置，其特徵在於所述雷射器為功率30W、發射雷射波長8IOnm的雷射器。
專利摘要本實用新型公開了一種矽片全面檢測裝置，包括機箱及其內部的傳送模塊、雷射器、攝像頭、厚度測試模塊、電阻率測試模塊和終端；所述雷射器、攝像頭、厚度測試模塊和電阻率測試模塊沿所述傳動模塊傳送方向依次排放在所述傳送模塊上端；所述傳送模塊、雷射器、攝像頭、厚度測試模塊和電阻率測試模塊與分別與所述終端電連接。本實用新型為矽片全面檢測提供了新的途徑，減少了其他儀器的使用的同時，提高了檢測效率，降低了誤差率。
文檔編號G01B7/06GK202614177SQ20122030274
公開日2012年12月19日 申請日期2012年6月25日 優先權日2012年6月25日
發明者陳才曠, 肖宗傑, 白德海, 羅世鋌, 常平 申請人:北京合能陽光新能源技術有限公司