一種區熔爐反射環的製作方法

2023-05-08 00:55:11 1

一種區熔爐反射環的製作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種區熔爐反射環，包括反射環固定件,固定件包括圓環固定架和和夾持件,固定架位於夾持件的一端,固定架內固定一封閉圓環,封閉圓環的上半部開有若干U型槽。該反射環的設計，能夠避免矽單晶在區熔保持過程中產生開裂的情況。
【專利說明】一種區熔爐反射環

【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種矽單晶區熔爐的反射環。

【背景技術】
[0002]如圖1、2所述，現有的技術中的區熔爐反射環，為上部帶有冷卻水管的銅質非封閉圓環。而實際生產中我們發現，矽單晶在區熔保持的過程中會產生開裂的情況。


【發明內容】

[0003]本實用新型要解決的問題是提供一種區熔爐反射環，避免出現矽單晶保持過程中開裂的情況。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型採用的技術方案是:包括反射環固定件，所述固定件包括圓環固定架和和夾持件，所述圓環固定架位於夾持件的一端，所述圓環固定架內固定一封閉圓環，所述封閉圓環的上半部開有若干U型槽。
[0005]進一步，所述封閉圓環為銅質圓環。
[0006]優選的，所述圓環高度為15_60mm。
[0007]優選的，所述U型槽深度為5-20_。
[0008]本實用新型具有的優點和積極效果是:本實用新型改變了原有反射環的結構，取消了冷卻水管，並在圓環上開槽，該結構的設計能降低矽單晶在保持過程中的內應力，有效地避免了矽單晶的開裂。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是現有技術中反射環的俯視結構示意圖
[0010]圖2是現有技術中反射環的側視結構示意圖
[0011]圖3是本實用新型反射環的俯視結構示意圖
[0012]圖4是本實用新型反射環的側視結構示意圖
[0013]圖中:
[0014]1、冷卻水路2、非封閉圓環 3、夾持件
[0015]4、圓環固定架5、封閉圓環6、U型槽

【具體實施方式】
[0016]如圖1所示，現有技術中的反射環包括非封閉圓環I和位於非封閉式圓環I外部的冷卻水路2，該非封閉圓環2的厚度約為15-40mm。而經過我方的試驗的研究論證，發現這種設計容易造成矽單晶在保持過程中由於內應力過大產生開裂的情況。故針對這個問題對反射環進行了重新設計和改進。
[0017]本申請的區熔爐反射環，包括反射環固定件，固定件包括圓環固定架4和和夾持件3，圓環固定架4位於夾持件3的一端，圓環固定架4內固定一封閉圓環5，封閉圓環5的上半部開有若干U型槽6。該封閉圓環5為銅質圓環。圓環高度為15-60mm。上半部開有深度為5-20mm的若干個U型槽6。
[0018]本申請的反射環的結構能將單晶輻射出的熱量反射回去，並且由於電磁感應原理，反射環產生磁感線對單晶產生輔助加熱的作用，減小了單晶軸向溫度梯度，減少了開裂的機率。
[0019]以上對本實用新型的一個實施例進行了詳細說明，但所述內容僅為本實用新型的較佳實施例，不能被認為用於限定本實用新型的實施範圍。凡依本實用新型申請範圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬於本實用新型的專利涵蓋範圍之內。
【權利要求】
1.一種區熔爐反射環，其特徵在於:包括反射環固定件，所述固定件包括圓環固定架和夾持件，所述固定架位於夾持件的一端，所述固定架內固定一封閉圓環，所述封閉圓環的上半部開有若干U型槽。
2.根據權利要求1所述的反射環，其特徵在於:所述封閉圓環為銅質圓環。
3.根據權利要求1所述的反射環，其特徵在於:所述圓環高度為15-60mm。
4.根據權利要求1所述的反射環，其特徵在於:所述U型槽深度為5-20mm。
【文檔編號】C30B29/06GK204111913SQ201420575042
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年9月30日 優先權日:2014年9月30日
【發明者】王遵義, 姚長娟, 劉旭光, 馮嘯桐, 孫昊, 劉琨, 鄔麗麗, 張雪囡 申請人:天津市環歐半導體材料技術有限公司