一種電源鉗位電路的製作方法
2023-05-25 18:20:36
專利名稱：一種電源鉗位電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及ー種電源鉗位電路，尤其涉及一種柵極和襯底同時觸發的電源鉗位電路。
背景技術：
隨著現代IC製程按照摩爾定律不斷縮小，ESD的問題越來越受到重視。ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電,簡稱「ESD)的研究在近年成為熱點。而在ESD體系中，電源之間的保護更加是重中之重。研究高效率，低觸發和更可靠的電源箝位電路成為提升ESD的關鍵。目前，(柵極觸發電源箝位電路)是普遍採用的結構，如圖I所示。當P點發生ESD事件，P點產生瞬間高電壓(在此只討論正ESD事件)，A點由於電阻、電容延時，保持一段時間的低電壓。這樣，通過反相器後，B點出現一段時間的高電壓(時間由RC決定)，所以，MN此時導通，從而洩放電流。柵極觸發電源箝位電路通過溝道放電，加大MN的尺寸，可以洩放較大的電流。但是，隨著柵極電壓的提高，襯底寄生三極體的It2(二次崩潰電流)變小，所以，柵極觸發電源箝位電路的ESD性能是有限的。近年來，更加高效的襯底觸發電源箝位電路也被廣泛採用。由於柵極觸發電源箝位電路的缺陷，出現了襯底觸發電源箝位電路，襯底觸發電源箝位電路中，B點接放電MOS管匪的襯底，放電MOS管匪的源極接地。當P點發生ESD時間吋，P、A、B點和柵極觸發電源箝位電路中電壓波形相同。B點出現一段時間的高電平，這樣，襯底會出現一段時間的電流。而襯底電流會觸發襯底寄生三極體，這樣P點的電流通過MN的寄生三極體放電。寄生三極體的It2 (二次崩潰電流)隨襯底電流變大而變高，而且，寄生三極體的電流路徑相對溝道放電路徑深，電流相對更加均勻。這樣，襯底觸發電源箝位電路的ESD性能大大超過柵極觸發電源箝位電路。但這種方式僅僅利用寄生三極體放電，則完全放棄了先前的溝道放電，未能達到更加理想的效果。
發明內容
本發明解決的技術問題是構建ー種電源鉗位電路，克服現有技術靜電放電性能不理想的技術問題。本發明的具體技術方案是構建ー種電源鉗位電路，包括靜電偵測電路、進行靜電放電的放電MOS管MN,所述靜電偵測電路包括靜電偵測點B,所述靜電偵測點B連接所述放電MOS管匪的柵極和襯底。本發明的進ー步技術方案是所述靜電偵測電路包括電阻R、電容Q1、放電MOS管，所述電阻R、電容Ql串聯組成延時電路，在電阻R、電容Ql之間接反相器以驅動放電MOS管。
本發明的進一步技術方案是所述電容Ql為MOS管。本發明的進一步技術方案是所述放電MOS管MN包括襯底電阻和寄生二極體。本發明的進一步技術方案是所述放電MOS管MN包括寄生三極體。本發明的進一步技術方案是所述放電電流包括漏極到源極的溝道電流及寄生三極體電流。本發明的技術效果是構建一種電源鉗位電路，包括靜電偵測電路、進行靜電放電的放電MOS管麗,所述靜電偵測電路包括靜電偵測點B,所述靜電偵測點B連接所述放電MOS管麗的柵極和襯底。本發明一種電源鉗位電路，利用放電MOS管麗的溝道和寄生三極體兩路進行放電，達到更理想的放電效果。
圖I為本發明的現有技術結構圖。圖2為本發明的結構電路圖。圖3為本發明的放電電流示意圖。
具體實施例方式下面結合具體實施例，對本發明技術方案進一步說明。如圖2所示，本發明的具體實施方式
是構建一種電源鉗位電路，包括靜電偵測電路I、進行靜電放電的放電MOS管麗,所述靜電偵測電路I包括靜電偵測點B,所述靜電偵測點B連接所述放電MOS管MN的柵極和襯底。如圖2所示，本發明的具體實施過程是晶片正常工作時，A點(電阻、電容中間點)電壓高，靜電偵測點B電壓低，放電MOS管MN的柵極和襯底電壓都為低，放電MOS管麗斷開，不影響晶片正常工作。但靜電發生時，靜電偵測點B監測到一段時間高電壓，放電MOS管MN的柵極上出現一段時間高電壓，襯底也出現一段時間高電壓，由於襯底電阻Rsub和襯底對地的寄生二極體的存在，襯底電壓不會上升很高，只會被箝位到二極體的導通電壓。本發明中，所述靜電偵測點B連接所述放電MOS管MN的柵極和襯底，當放電MOS管MN的柵極有一段時間高電壓，襯底有一段時間0. 7V左右電壓，並產生襯底電流。這樣，當放電MOS管MN的溝道導通，並且襯底電流觸發寄生三極體，形成寄生三極體電流。圖3是修改後電路ESD洩放通路，其中通路I和2是溝道電流，通路3和4是寄生三極體電流。本發明的進一步技術方案是所述靜電偵測電路包括電阻R、電容Q1、放電MOS管，所述電阻R、電容Ql串聯組成延時電路，在電阻R、電容Ql之間接反相器以驅動放電MOS管。具體實施例中，所述電容Ql為MOS管。本發明的技術效果是構建一種電源鉗位電路，包括靜電偵測電路I、進行靜電放電的放電MOS管MN,所述靜電偵測電路I包括靜電偵測點B,所述靜電偵測點B連接所述放電MOS管麗的柵極和襯底。本發明一種電源鉗位電路，利用放電MOS管麗的溝道和寄生三極體兩路進行放電，達到更理想的放電效果。以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明，不能認定本發明的具體實施只局限於這些說明。對於本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在 不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬於本發明的保護範圍。
權利要求
1.ー種電源鉗位電路，其特徵在於，包括靜電偵測電路、進行靜電放電的放電MOS管MN,所述靜電偵測電路包括靜電偵測點B,所述靜電偵測點B連接所述放電MOS管MN的柵極和襯底。
2.根據權利要求I所述的電源鉗位電路，其特徵在於，所述靜電偵測電路包括電阻R、電容Ql、放電MOS管，所述電阻R、電容Ql串聯組成延時電路，在電阻R、電容Ql之間接反相器以驅動放電MOS管匪。
3.根據權利要求2所述的電源鉗位電路，其特徵在於，所述電容Ql為MOS管。
4.根據權利要求I所述的電源鉗位電路，其特徵在於，所述放電MOS管匪包括襯底電阻和寄生ニ極管。
5.根據權利要求I所述的電源鉗位電路，其特徵在於，所述放電MOS管匪包括寄生三極體。
6.根據權利要求I所述的電源鉗位電路，其特徵在於，所述放電電流包括源極與漏極的溝道電流及寄生三極體電流。
全文摘要
本發明涉及一種電源鉗位電路，包括靜電偵測電路、進行靜電放電的放電MOS管MN，所述靜電偵測電路包括靜電偵測點B，所述靜電偵測點B連接所述放電MOS管MN的柵極和襯底。本發明一種電源鉗位電路，利用放電MOS管MN的溝道和寄生三極體兩路進行放電，達到更理想的放電效果。
文檔編號H02H9/04GK102646970SQ20121007602
公開日2012年8月22日 申請日期2012年3月21日 優先權日2012年3月21日
發明者劉玉青 申請人:敦泰科技有限公司