一種晶體矽rie制絨的表面損傷層清洗工藝的製作方法
2023-05-25 05:48:21 2
專利名稱：一種晶體矽rie制絨的表面損傷層清洗工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及晶體矽太陽能電池生產工藝，尤其是涉及一種晶體矽RIE制絨的表面 損傷層清洗工藝。
背景技術：
現在晶體矽太陽能電池產業化生產中一般會採用強鹼性化學品(NaOH、KOH等)， 或者強酸性化學品(HF+HNO3)的水溶液對矽片表面的損傷層進行清洗。一般應用在電池表 面絨面製備中的表面處理過程，目的為消除矽片表面的切割損傷層，矽片減薄一般在5 15 μ m。在採用RIE(反應離子刻蝕)的晶體矽表面絨面製備過程中，會引入一定的表面損 傷層，但此種表面的損傷層厚度在0. 1-0. 4 μ m，使用常規去損傷工藝會出現過度刻蝕，影響 到表面的陷光效果。
發明內容
本發明要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種晶體矽RIE制絨的 表面損傷層清洗工藝，使得在RIE精細化的絨面上去除損傷層的同時能夠降低對表面絨面 結構的影響。本發明解決其技術問題所採用的技術方案是一種晶體矽RIE制絨的表面損傷層 清洗工藝，首先對反應離子刻蝕後的矽片表面損傷層進行去離子水表面預清洗；然後利用 HF、HNO3與緩衝腐蝕劑按體積比HF HNO3 緩衝腐蝕劑=1 50 100的混合溶液進 行第一次去損傷清洗；之後再次進行去離子水清洗；然後採用HN40H、H2O2與H2O按體積比 HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5的混合溶液在60°C 75°C進行二次清洗刻蝕，二次清洗 時間控制在5 15分鐘的範圍；完成後用0. 5%濃度的HF溶液進行沾洗；最後用去離子水 進行清洗。進一步地，所述的緩衝腐蝕劑為水或醋酸。本發明的有益效果是本發明為了儘可能在去除損傷的情況下不對正常絨面產生 影響，採用兩次清洗去損傷刻蝕工藝，以降低刻蝕過程中對矽片本身的RIE絨面產生的影 響，同時，在第一次去損傷清洗中加入緩衝腐蝕劑，因此，清洗工藝對損傷層的刻蝕速率較 慢，在未完全去除損傷層的情況下即停止第一次去損傷清洗，區別於正常去損傷工藝。本 發明的刻蝕過程採用二次刻蝕，更好地保證刻蝕過程不對矽片表面精細的絨面結構產生影 響。本發明對損傷層的刻蝕速率較慢，適用於晶體矽RIE制絨的精細化表面結構的去損傷 過程。
具體實施例方式一種晶體矽RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，具體工藝步驟如下(1)對反應離子刻蝕後的矽片表面損傷層進行去離子水表面預清洗；
(2)利用HF、HN03與水或醋酸按體積比HF HNO3 水或醋酸=1 50 100的
混合溶液進行第一次去損傷清洗；(3)再次進行去離子水清洗；(4)採用而40!1、!1202 與!120 按體積比 HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5 的混合溶液 在60°C 75°C進行二次清洗刻蝕，二次清洗時間控制在5 15分鐘的範圍；(5)用0. 5%濃度的HF溶液進行沾洗；(6)最後用去離子水進行清洗。本發明的清洗工藝對損傷層的刻蝕速率較慢，適用於晶體矽RIE制絨的精細化表 面結構的去損傷過程，本發明區別於正常去損傷工藝，本發明的刻蝕過程採用二次刻蝕，更 好地保證刻蝕過程不對矽片表面精細的絨面結構產生影響。
權利要求
1.一種晶體矽RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，其特徵在於首先對反應離子刻蝕後 的矽片表面損傷層進行去離子水表面預清洗；然後利用HF、HNO3與緩衝腐蝕劑按體積比 HF HNO3 緩衝腐蝕劑=1 50 100的混合溶液進行第一次去損傷清洗；之後再次進 行去離子水清洗；然後採用而40!1、!1202與!120按體積比HN4OH H2O2 H2O = 1 1 5的 混合溶液在60°C 75°C進行二次清洗刻蝕，二次清洗時間控制在5 15分鐘的範圍；完成 後用0. 5%濃度的HF溶液進行沾洗；最後用去離子水進行清洗。
2.根據權利要求1所述的晶體矽RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，其特徵在於所述 的緩衝腐蝕劑為水或醋酸。 v
全文摘要
本發明涉及一種晶體矽RIE制絨的表面損傷層清洗工藝，首先對矽片表面損傷層進行去離子水表面預清洗；然後利用HF、HNO3與水或醋酸按體積比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液進行第一次去損傷清洗；之後再次進行去離子水清洗；然後採用HN4OH、H2O2與H2O按體積比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃進行二次清洗刻蝕，二次清洗時間控制在5～15分鐘的範圍；完成後用0.5％濃度的HF溶液進行沾洗；最後用去離子水進行清洗。本發明適用於晶體矽RIE制絨的精細化表面結構的去損傷過程，更好地保證刻蝕過程不對矽片表面精細的絨面結構產生影響。
文檔編號H01L31/18GK102097526SQ20101029888
公開日2011年6月15日 申請日期2010年10月8日 優先權日2010年10月8日
發明者盛健 申請人:常州天合光能有限公司