一種石墨單晶片的製備裝置的製作方法
2023-05-24 11:53:16 2
專利名稱：一種石墨單晶片的製備裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型是關於一種石墨單晶片的製備裝置，屬於微/納米材料製備領域。
背景技術：
近年來，微/納米材料的用途十分廣泛，其中石墨單晶片的製備具有十分重要的意義。目前已有人用粘膠帶去粘塊狀石墨的方法，從塊狀石墨上粘下石墨單晶片。但工效相當低，難以形成產業化生產。其次，石墨單晶片上會粘有一些粘膠帶的物質，影響了石墨單晶片的純度。
發明內容為了克服現有技術的不足，本實用新型的目的是提供一種石墨單晶片的高效製備裝置。 本實用新型是這樣實現的主要由電阻加熱爐、空氣管、風扇和鉗鍋組成；風扇置於電阻加熱爐口，空氣管和鉗鍋置於電阻加熱爐內；空氣管的一端連接於電阻加熱爐外的氣源。在電阻加熱爐中將石墨加熱到100(TC以上，保溫40分鐘；待石墨分子間的範德華力完全消失後，然後打開鉗鍋蓋和電阻加熱爐蓋，同時用熱空氣噴擊石墨；飄揚起來的石墨單晶片和尚未成為單晶片的石墨晶片，隨熱空氣上升，逸出電阻加熱爐口後，被設置在電阻加熱爐口的風扇吹向遠處；由於物質的自重因素，石墨單晶片將被吹得最遠，在石墨晶片下落的最遠處，可以收集到石墨單晶片。
本實用新型的有益效果是生產石墨單晶片的工效高，產品質地純淨。
下面結合圖和實施例對本實用新型進一步說明。
圖1是本實用新型製備裝置的示意圖。
圖2是本實用新型加熱結束後的狀態。 圖3是本實用新型製備裝置的立體示意圖。 圖4是圖3的局部放大視圖A。 圖5是本實用新型鉗鍋的立體示意圖。 圖6是圖5的局部放大視圖B。
具體實施方式
本實用新型製備裝置見圖l :主要由電阻加熱爐11、空氣管13、風扇7和鉗鍋10組成；風扇置於電阻加熱爐口 16，空氣管13和鉗鍋IO置於電阻加熱爐11內。空氣管13由外管131和盤管132構成；外管的一端1311置於電阻加熱爐內，設有外螺紋，另一端1312連接於電阻加熱爐外的氣源；盤管132繞鉗鍋10盤旋若干圈，其一端1321置於鉗鍋10內；另一端1322含有內螺紋，其與外管的一端1311螺紋連接。盤管132與外管131使用螺紋連接的目的在於兩者可以分開(外管131可以轉動)，鉗鍋10可以連同盤管132 —起拉出於爐門111夕卜。(見圖5)鉗鍋10設有鉗鍋蓋101和手柄102，鉗鍋蓋101和手柄102固定連接，鉗鍋蓋101與鉗鍋10通過鉸鏈103連接；轉動手柄102，鍋蓋101繞鉸鏈103擺動，開合於鉗鍋10。(見圖3、圖4)電阻加熱爐11設有電阻加熱爐蓋113、爐門111和爐門口 112 ;爐門口和爐門各設有一個半圓孔1111和1121，關上爐門，所述的兩個半圓孔合在一起，形成一圓孔114。該圓孔114正好容納手柄102。這樣，操作人可以在電阻加熱爐外操作手柄，打開或合上鉗鍋蓋101。 先按圖1所示，將裝有石墨5的鉗鍋IO放入電阻加熱爐11中，然後升溫到IOO(TC以上，保溫40分鐘。石墨晶體中層與層之間屬於分子晶體，是以範德華力結合起來的。當溫度達到1000C以上，石墨晶體中層與層之間的範德華力就會消失。此後，打開鉗鍋蓋101和電阻加熱爐蓋113 (見圖2)，與此同時，對準石墨，噴入空氣14 (噴入的空氣由於經過盤繞的空氣管13，得到加溫，故噴在石墨上不致於使石墨快速降溫至100(TC以下。另一種方法是噴入的空氣本身已經在電阻爐外經過其它方法加熱過的，這樣效果更好一些)。已失去範德華力的石墨，受加熱的空氣14衝擊後，形成的一些單晶片和一些尚未成為單晶片的石墨粉狀物。這些石墨粉狀物隨著熱空氣的上升，經過電阻加熱爐的導流道6，逸出電阻加熱爐口16。這時被位於電阻加熱爐口的風扇7吹向剪頭所示方向。由於物質的自重因素，石墨單晶片將被吹得最遠，從而在石墨晶片下落的最遠處，可以收集到石墨單晶片。
權利要求一種石墨單晶片的製備裝置，其特徵在於主要由電阻加熱爐、空氣管、風扇和鉗鍋組成；風扇置於電阻加熱爐口，空氣管和鉗鍋置於電阻加熱爐內；空氣管的一端連接於電阻加熱爐外的氣源。
2. 根據權利要求l所述的石墨單晶片的製備裝置，其特徵在於所述的空氣管由外管 和盤管構成；外管的一端置於電阻加熱爐內，設有外螺紋，另一端連接於電阻加熱爐外的氣 源；盤管繞鉗鍋盤旋若干圈，其一端置於鉗鍋內；另一端含有內螺紋，其與外管螺紋連接。
3. 根據權利要求1所述的石墨單晶片的製備裝置，其特徵在於所述鉗鍋設有鉗鍋蓋和 手柄，鉗鍋蓋和手柄固定連接，鉗鍋蓋與鉗鍋鉸鏈連接；轉動手柄，鉗鍋蓋繞鉸鏈擺動，開合 於鉗鍋。
4. 根據權利要求1所述的石墨單晶片的製備裝置，其特徵在於所述的電阻加熱爐設有 爐門和爐門口 ；爐門口和爐門各設有一個半圓孔，關上爐門，所述的兩個半圓孔合在一起， 形成成一圓孔。
專利摘要本實用新型是關於一種石墨單晶片的製備裝置。其特別之處是主要由電阻加熱爐、空氣管、風扇和鉗鍋組成；風扇置於電阻加熱爐口，空氣管和鉗鍋置於電阻加熱爐內；空氣管的一端連接於電阻加熱爐外的氣源。在電阻加熱爐中將石墨加熱到1000℃以上，保溫40分鐘；待石墨分子間的範德華力完全消失後，然後打開鉗鍋蓋和電阻加熱爐蓋，同時用熱空氣噴擊石墨；飄揚起來的石墨單晶片和尚未成為單晶片的石墨晶片，隨熱空氣上升，逸出電阻加熱爐口後，被設置在電阻加熱爐口的風扇吹向遠處；由於物質的自重因素，石墨單晶片將被吹得最遠，在石墨晶片下落的最遠處，可以收集到石墨單晶片。其有益效果是生產石墨單晶片的工效高，產品質地純淨。
文檔編號B02C23/30GK201485537SQ200920162949
公開日2010年5月26日 申請日期2009年8月9日 優先權日2009年8月9日
發明者杜文娟 申請人:杜文娟