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一種金屬釕納米線的製備方法

2023-05-04 03:49:41

專利名稱:一種金屬釕納米線的製備方法
技術領域:
本發明涉及一維納米材料的製備方法,特別是一維金屬釕納米線的製備方法。
背景技術:
金屬納米線因其優異的光學性能、電學性能、力學性能以及催化性能等特性而受到廣泛關注,近年來成為納米材料研究的熱點。儘管目前有很多方法雷射燒蝕法(Mater.Res.Soc.Symp.Proc.,1998,526,73-77)、蒸發冷凝法(Appl.Phys.Lett.1998,73(25),3700-3702)成功的合成了金屬納米線,其中直接模板法(J.Electrochem.Soc.,1999,146(5),1696-1701)和溶液反應法(Adv.Mater.,1998,10(17),1479-1481)應用最為廣泛,然而,將金屬納米線從模板(碳納米管、多孔氧化鋁膜、聚碳酸酯膜、生物分子等)和有機溶劑(乙二醇、N,N-二甲基甲醯胺等)中成功分離依然面臨挑戰,從而限制了金屬納米線的應用。

發明內容
本發明的目的是提供一種金屬納米線的製備方法,以實現納米線的原位合成和催化反應,避免了納米線分離過程中的弊端(如氧化、團聚等問題)。
本發明所提供的金屬釕納米線的製備方法,具體為Ru3+可溶性無機鹽在水溶液中與絡合劑聚乙烯吡咯烷酮反應,形成高分子保護的釕配合物,低溫還原得到釕納米線。該法工藝簡單,條件溫和,採用水溶液體系,綠色環保,製備的金屬釕納米線水溶液無須做任何處理,即可直接作為催化劑用於水/有機兩相反應體系。
具體製備方法按如下步驟進行a)將Ru3+可溶性無機鹽與絡合劑溶解在水中,其中Ru原子與絡合劑單體的摩爾比為1∶1-100,升溫至60-80℃,保持1-3小時;b)將步驟a的溶液置入密封容器中,還原氣氛下,升溫至60-80℃,保持1-3小時,得目標產物;所述絡合劑為聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。
其中聚乙烯吡咯烷酮的K值為15、30或90。
其中Ru原子與聚乙烯吡咯烷酮單體的摩爾比為1.5-50。
其中Ru3+的前驅體為硝酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽、氯化物等水溶性無機鹽。
其中還原氣氛是加入KBH4、NH2NH2或H2。
其中還原氣氛是充入H2。
其中H2的壓力為3-5MPa。


圖1為本發明實施例1製備的釕納米線透射電鏡(TEM)照片;圖2為本發明實施例2製備的釕納米線TEM照片;圖3為本發明實施例3製備的釕納米線TEM照片;圖4為本發明實施例4製備的釕納米線TEM照片;圖5為本發明實施例5製備的釕納米線TEM照片;圖6為本發明實施例6製備的釕納米線TEM照片。
具體實施例方式
以下通過具體實施例對本發明進一步加以說明。
實施例1將PVP(K90)和RuCl3溶解於適量水中(PVP單體和釕原子的摩爾比為10/1),升溫至80℃,絡合2h。將上述溶液投入密閉的反應釜中,充入4MPa氫氣後,升溫至80℃保持2h,得到一維釕納米線。
實施例2將PVP單體和釕原子的摩爾比改為50/1,其餘製備條件同實施例1。
實施例3將PVP單體和釕原子的摩爾比改為1.5/1,其餘製備條件同實施例1。
對比實施例1將溶劑水改為乙醇,其餘製備條件同實施例1。得到釕納米顆粒。
實施例4將還原劑改為KBH4,其餘製備條件同實施例1。
實施例5將還原劑改為NH2NH2,用硝酸釕,其餘製備條件同實施例1。
實施例6將PVP(K90)改為PVP(K30),其餘製備條件同實施例1。
實施例7將PVP(K90)改為PVP(K15),用硫酸釕,其餘製備條件同實施例1。
實施例8PVP單體和釕原子的摩爾比改為100/1,用乙酸釕,其餘製備條件同
權利要求
1.一種金屬釕納米線的製備方法,其步驟為a)將Ru3+可溶性無機鹽與絡合劑溶解在水中,其中Ru原子與絡合劑單體的摩爾比為1∶1-100,升溫至60-80℃,保持1-3小時;b)將步驟a的溶液置入密封容器中,還原氣氛下,升溫至60-80℃,保持1-3小時,得目標產物;所述絡合劑為聚乙烯吡咯烷酮。
2.根據權利要求1所述的方法,其中聚乙烯吡咯烷酮的K值為15、30或90。
3.根據權利要求1所述的方法,其中Ru原子與聚乙烯吡咯烷酮單體的摩爾比為1∶1.5-50。
4.根據權利要求1所述的方法,其中Ru3+的可溶性無機鹽為硝酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽或氯化物。
5.根據權利要求1所述的方法,其中還原氣氛是加入KBH4、NH2NH2或H2。
6.根據權利要求1或5所述的方法,其中還原氣氛是充入H2。
7.根據權利要求6所述的方法,其中H2的壓力為3-5MPa。
全文摘要
本發明提供了一種金屬釕納米線的製備方法,具體為Ru
文檔編號B01J35/00GK1903427SQ20051001226
公開日2007年1月31日 申請日期2005年7月28日 優先權日2005年7月28日
發明者徐傑, 路芳, 劉菁 申請人:中國科學院大連化學物理研究所

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