一種提高tlc快閃記憶體穩定性的方法
2023-05-11 05:40:46
一種提高tlc快閃記憶體穩定性的方法
【專利摘要】本發明針對某些TLC快閃記憶體相鄰區域如果存儲電平相同的話，存儲特性穩定性下降的特性，對操作快閃記憶體的數據進行處理，以提高其穩定性。屬於NAND快閃記憶體，尤其是TLC快閃記憶體操作領域。具體操作方法為：對寫入快閃記憶體的數據先進行加擾處理，實現數據離散化；然後再寫入快閃記憶體存儲單元；由此避免寫入快閃記憶體的相鄰數據相同的情況，提高TLC快閃記憶體的穩定性；從快閃記憶體讀出數據後，先進行去擾處理，恢復原始數據後輸出。
【專利說明】一種提高TLC快閃記憶體穩定性的方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及NAND快閃記憶體，尤其是TLC快閃記憶體。
【背景技術】
[0002]目前市場上NAND快閃記憶體類型分為SLC、MLC、TLC三種類型。其中SLC(Single-LevelCell)，在I個存儲器儲存單元(cell)中存放I個位(bit)的資料;MLC (Mult1-LevelCell),在I個存儲器儲存單元(cell)中存放2個位(bit)的資料；而TLC(Trinary-LevelCell)，在I個存儲器儲存單元(cell)中存放3個位(bit)的資料，穩定性最差。SLC速度快壽命長，約10萬次擦寫壽命，價格很高(約為MLC價格的3倍)；MLC速度一般，壽命一般，價格較高，約300010000次擦寫壽命；TLC也有Flash廠家叫8LC，價格低廉，但速度慢，穩定性差，壽命短，在應用中受到很多限制。
【發明內容】
[0003]為改善TLC穩定性差的問題，本發明特提出一種操作TLC flash的處理方法。根據快閃記憶體的存儲特性，如果相鄰存儲單元之間的壓差大時，有利於保持快閃記憶體數據的有效和穩定。本發明的主要目的是提供一種快閃記憶體寫入/讀出數據的處理方式，改變TLC快閃記憶體寫入的數據，使相鄰存儲單元之間始終保持數據的差異性，在電氣特性上，表現為使其相鄰存儲單兀一直保持一定的電壓差。從而提高TLC快閃記憶體的數據穩定性。
[0004]本發明涉及一種快閃記憶體寫入和讀出的管理方法，尤指一種將對寫入快閃記憶體數據進行加擾預處理，然後寫入快閃記憶體；對讀出數據進行去擾處理，恢復原文的數據操作管理方法。
[0005]本發明的目的是通過以下技術方案實現的:
[0006]一種快閃記憶體寫入和讀出的管理方法，它包括向快閃記憶體寫入數據前先加擾處理和讀出數據後先進行去擾處理恢復原始數據。
[0007]快閃記憶體寫入數據的處理方法為:在向快閃記憶體寫入數據前，先對寫入數據進行加擾處理，將連續相同的數據打散，從而避免相同的數據寫入相鄰的存儲單元中。以避免TLC快閃記憶體之間相鄰存儲單元(cell)中的bit電平一致時導致穩定性降低的問題。
[0008]快閃記憶體數據讀出的處理方法為:為將打散的快閃記憶體數據恢復成原來的數據，將對從快閃記憶體輸出的數據先進行去擾處理，恢復成原來的數據。
[0009]通過這種處理方式，提高快閃記憶體主要是TLC快閃記憶體數據存儲的穩定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1為本發明的數據處理流程框圖；
[0011]圖2為本發明數據寫入快閃記憶體處理流程圖；
[0012]圖3為本發明數據讀出快閃記憶體處理流程圖；
【具體實施方式】
[0013]以下結合附圖對本發明實例進行說明:
[0014]如圖1所示，裝置包括加擾模塊、去擾模塊、加擾去擾開關，快閃記憶體等主要模塊。
[0015]如圖2所示，數據寫入快閃記憶體處理流程步驟包括:
[0016]步驟1，收到數據寫入快閃記憶體指令；
[0017]步驟2，如果加擾使能開關打開，則對寫入的數據通過加擾模塊進行處理，然後寫入快閃記憶體。如果加擾使能開關關閉，則數據直接寫入快閃記憶體。加擾的方式可以根據加擾種子不同而不同，以適應快閃記憶體的不同存儲特性。
[0018]如圖3所示，數據讀出快閃記憶體處理流程步驟包括:
[0019]步驟1，收到讀快閃記憶體指令，對快閃記憶體進行讀出操作；
[0020]步驟2，如果去擾使能開關打開，則對讀出的數據通過去擾模塊進行去擾處理，將原數據單元恢復。如果去擾使能開關關閉，則將快閃記憶體輸出的數據直接輸出。去擾的方式可以根據去擾種子不同而不同，去擾方式及去擾種子與加擾方式及加擾種子有一定相關性。
【權利要求】
1.一種提高TLC快閃記憶體穩定性的方法，其特徵在於:它包括數據寫入快閃記憶體前加擾，將數據打散；快閃記憶體數據讀出後先進行去擾處理，恢復原始數據的流程和方法。
【文檔編號】G11C16/06GK104167221SQ201310186054
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年5月15日 優先權日:2013年5月15日
【發明者】萬波 申請人:萬波, 王浩