一種平面電阻蝕刻方法

2023-09-19 07:43:20 2

專利名稱：一種平面電阻蝕刻方法
技術領域：
本發明屬於印製線路板製作技術領域，具體涉及的是一種平面電阻蝕刻方法。
背景技術：
埋電阻，又稱埋阻或薄膜電阻，是將特殊的電阻材料壓合在絕緣基材上，通過蝕刻等工藝，形成設計所需的電阻值的內(外)材料，然後壓合在PCB上(內)，形成平面電阻層的一種技術。隨著可攜式電子產品和高速收發信息數字產品的驟增，高密度封裝技術越來越顯示出其重要性。其主要作用就是能使複雜的電子產品小型、輕量、薄型及高性能、高功能化。而埋入式元件PCB板可提高封裝的可靠性，並降低成本，把大量可埋入的無源元件埋入到印製電路板內部中，可以縮短元件相互之間的線路長度，改善電氣特性，提高有效的印製電路板封裝面積，有效減少大量印製電路板板面的焊接點，從而提高封裝的可靠性，並降低成本。埋入電阻PCB產品是一類新型的PCB產品，使用內鑲嵌電阻的模式替代了傳統的電阻元器件，使得產品更具有平整性和良好的電氣性能。目前埋入電阻PCB的製作流程如下首先對包含電阻層的內層芯板進行開料，在銅層上製作內層圖形，然後在銅層上貼保護幹膜，進行內層蝕刻，在銅層上形成線路圖形，將無線路圖形的銅層蝕刻掉，露出電阻層，之後再對電阻層表面進行酸性蝕刻，露出電阻層內層，褪膜，對板面進行微蝕、去氧化，使銅表面粗化，然後貼膜保護線路，再次進行內層圖形製作和外層鹼性蝕刻，蝕刻出電阻，之後褪膜，測量電阻值。其中上述流程中對電阻層進行酸性蝕刻時存在操作難度較大的問題，主要是因為電阻層表面有一層鎳磷合金保護層，採用普通的酸性蝕刻藥水很難將其蝕刻掉，而且蝕刻後，也容易造成電阻阻值波動範圍較大、不穩定，很難達到要求的阻值範圍。因此採用這種方式，存在蝕刻難度大，產品報廢率高，成品率低的問題。

發明內容
為此，本發明的目的在於提供一種平面電阻蝕刻方法，以解決目前平面電阻蝕刻過程中所存在的蝕刻難度大，產品報廢率高，成品率低的問題。為實現上述目的，本發明主要採用以下技術方案一種平面電阻蝕刻方法，包括步驟C、向蝕刻缸中加入濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進行均勻混合，並調整混合後溶液的PH值為I. 5 2. 5，之後加溫到88°C 92°C，然後將內層芯板置入該溶液中4 6分鐘,使內層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。其中步驟C之前還包括有步驟B、對內層芯板進行開料、製作內層圖形和進行內層酸性蝕刻，在銅箔層上形成內層線路圖形，無線路圖形區域的銅層被蝕刻掉後露出電阻層，之後在形成的線路圖形上貼保護幹膜。
其中步驟B之前還包括有步驟A、在銅箔層上沉積電阻材料，形成電阻層，並將銅箔層對應壓制在基材上，使電阻層位於銅箔層與基材之間，形成內層芯板。其中步驟C之後還包括有步驟D、將線路圖形上的幹膜褪掉，對內層芯板進行微蝕，去掉板面氧化層，且使銅面粗化，之後再次對線路圖形貼保護幹膜。其中步驟D之後還包括有步驟E、在電阻層製作內層圖形，並進行外層鹼性蝕刻，選擇性蝕刻銅層，並蝕刻出所需要的電阻層圖形，之後褪膜，測量電阻值。本發明採用濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進行混合，並在PH值為I. 5 2. 5，溫度為88°C 92°C的情況下，對電阻層表面的鎳磷合金層進行蝕刻，大大降低了平面電阻蝕刻的難度。與現有技術相比，本發明解決了普通酸性蝕刻藥水很難蝕刻掉電阻層表面鎳磷保護層的問題，降低了產品的報廢率，使蝕刻後的電阻值非常穩定、且電阻值波動範圍較小。
具體實施例方式為闡述本發明的思想及目的，下面將結合附圖
和具體實施例對本發明做進一步的說明。本發明提供了一種平面電阻蝕刻方法，該方法主要包括有A、製作電阻層內層芯板在銅箔層上沉積電阻材料，形成電阻層，並將銅箔層對應壓制在基材上，使電阻層位於銅箔層與基材之間，形成內層芯板。B、對內層芯板進行開料、製作內層圖形和進行內層酸性蝕刻，在銅箔層上形成內層線路圖形，無線路圖形區域的銅層被蝕刻掉後露出電阻層，之後在形成的線路圖形上貼保護幹膜。首先製作菲林，通過曝光顯影，使菲林上的線路圖形對應轉移到內層銅箔上，然後對該銅箔進行酸性蝕刻，使多餘的銅層被蝕刻掉，保留線路圖形，而被蝕刻掉銅箔後的區域則對應露出電阻層，此時需要在蝕刻出的圖形線路上貼保護幹膜。C、向蝕刻缸中加入濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進行均勻混合，並調整混合後溶液的PH值為I. 5 2. 5，之後加溫到88°C 92°C，然後將內層芯板置入該溶液中4 6分鐘,使內層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。其中向蝕刻缸中添加的溶液體積具體根據實際蝕刻缸體積大小要求進行，而這裡的硫酸銅溶液和硫酸溶液的對應比例為I : 1，即加入IL濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液的同時對應需要加入IL濃度為4 6ml/l的硫酸溶液，待兩種溶液對應均勻混合後，調整PH值在I. 5 2. 5之間，然後將混合液加熱到88°C 92°C，此時即可將經過銅箔內層蝕刻後的內層芯板放入到蝕刻缸中，保持4 6分鐘,使內層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。D、將線路圖形上的幹膜褪掉，對內層芯板進行微蝕，去掉板面氧化層，且使銅面粗化，之後再次對線路圖形貼保護幹膜。此時需要先將線路圖形上的幹膜褪掉，然後進行化學前處理，即進行微蝕處理，其主要是去掉板面氧化和使板面銅粗化，便於後續貼膜保護。E、在電阻層製作內層圖形，並進行外層鹼性蝕刻，選擇性蝕刻銅層，並蝕刻出所需要的電阻層圖形，之後褪膜，測量電阻值。在對板面線路圖形貼保護膜後，此時則是對電阻層內層進行製作內層圖形了，製作內層圖形後，保留需要部分的電阻，不需要的電阻則通過蝕刻將蝕刻掉，形成內層電阻圖形。電阻圖形蝕刻完成後，則褪膜，對電阻值進行檢測以及對線路板進行檢查，以及對板面進行棕化處理，最後將多個內層芯板進行壓合，形成多層板。以上是對本發明所提供的一種平面電阻蝕刻方法進行了詳細的介紹，本文中應用了具體個例對本發明的結構原理及實施方式進行了闡述，以上實施例只是用於幫助理解本發明的方法及其核心思想；同時，對於本領域的一般技術人員，依據本發明的思想，在具體實施方式
及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制。
權利要求
1.一種平面電阻蝕刻方法，其特徵在於包括C、向蝕刻缸中加入濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進行均勻混合，並調整混合後溶液的PH值為I. 5 2. 5，之後加溫到88°C 92°C，然後將內層芯板置入該溶液中4 6分鐘，使內層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。
2.根據權利要求I所述的平面電阻蝕刻方法，其特徵在於步驟C之前還包括有步驟B、對內層芯板進行開料、製作內層圖形和進行內層酸性蝕刻，在銅箔層上形成內層線路圖形，無線路圖形區域的銅層被蝕刻掉後露出電阻層，之後在形成的線路圖形上貼保護幹膜。
3.根據權利要求2所述的平面電阻蝕刻方法，其特徵在於步驟B之前還包括有步驟A、在銅箔層上沉積電阻材料，形成電阻層，並將銅箔層對應壓制在基材上，使電阻層位於銅箔層與基材之間，形成內層芯板。
4.根據權利要求I所述的平面電阻蝕刻方法，其特徵在於步驟C之後還包括有步驟D、將線路圖形上的幹膜褪掉，對內層芯板進行微蝕，去掉板面氧化層，且使銅面粗化， 之後再次對線路圖形貼保護幹膜。
5.根據權利要求4所述的平面電阻蝕刻方法，其特徵在於步驟D之後還包括有步驟E、在電阻層製作內層圖形，並進行外層鹼性蝕刻，選擇性蝕刻銅層，並蝕刻出所需要的電阻層圖形，之後褪膜，測量電阻值。
全文摘要
本發明公開了一種平面電阻蝕刻方法，包括步驟C、向蝕刻缸中加入濃度為200～300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4～6ml/l的硫酸溶液進行均勻混合，並調整混合後溶液的PH值為1.5～2.5，之後加溫到88℃～92℃，然後將內層芯板置入該溶液中4～6分鐘，使內層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。本發明採用濃度為200～300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4～6ml/l的硫酸溶液進行混合，並在pH值為1.5～2.5，溫度為88℃～92℃的情況下，對電阻層表面的鎳磷合金層進行蝕刻，大大降低了平面電阻蝕刻的難度。與現有技術相比，本發明解決了普通酸性蝕刻藥水很難蝕刻掉電阻層表面鎳磷保護層的問題，降低了產品的報廢率，使蝕刻後的電阻值非常穩定、且電阻值波動範圍較小。
文檔編號H05K3/06GK102612270SQ20121007946
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月23日 優先權日2012年3月23日
發明者劉 東, 彭衛紅, 歐植夫, 焦榮輝 申請人:深圳崇達多層線路板有限公司