一種高光電轉換率晶體矽太陽能電池及其製造方法
2023-10-10 08:44:39
專利名稱：一種高光電轉換率晶體矽太陽能電池及其製造方法
技術領域：
本發明屬於太陽能利用技術領域，具體涉及一種高光電轉換率晶體矽太陽能電池及其製造方法。
背景技術：
當電力、煤炭、石油等不可再生能源頻頻告急，能源問題日益成為制約國際社會經濟發展的瓶頸時，越來越多的國家開始實行「陽光計劃」，開發太陽能資源，尋求經濟發展的新動力。太陽能光伏發電在不遠的將來會佔據世界能源消費的重要席位，不但要替代部分常規能源，而且將成為世界能源供應的主體。預計到2030年，可再生能源在總能源結構中將佔到30%以上，而太陽能光伏發電在世界總電力供應中的佔比也將達到10%以上；到2040年，可再生能源將佔總能耗的50%以上，太陽能光伏發電將佔總電力的20%以上。
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自從矽PN結太陽能電池問世以來，雖經半個多世紀技術改進，開發了多種幾何結構和製造工藝的太陽能電池產品，但晶體矽太陽電池依然是當今光伏工業的主流。現有技術晶體矽太陽能電池結構包括P-N結晶矽基體、P區背電極、N區前柵電極和減反射層，其製造工藝包括清洗制絨一擴散制P-N結一洗磷和刻蝕一製備反射膜一電極印刷一背電極鈍化一高溫燒結一測試分選。由於採用絲網印刷銀電極技術通過銀膠製備前柵電極，然後進行快速燒結，銀漿裡的玻璃體會穿透氮化矽減反射層以形成對矽的接觸。這種方法工藝簡單成熟、設備產能較高，得到了大規模應用，但存在如下缺陷1、燒結後的銀電極和矽之間存在一層不導電的玻璃體，接觸電阻很大；2、銀漿中有機物在燒結過程中蒸發，使得銀電極呈疏鬆多孔的結構，體電阻大；3、絲網印刷的柵線一般大於100 μ m,而且很難減少線寬，且一次印刷只能產生小於25 μ m的線高，雖然可以多次印刷增高，但又會造成柵線進一步加寬，因此高寬比小，較寬的線寬降低了太陽能電池的工作面積，故陰影損耗大；4、由於銀材料本身的價格昂貴，加之目前銀漿技術被國外大公司所壟斷，導致我國企業生產成本大幅度升高。為了克服太陽能電池採用絲網印刷技術的缺陷，開發了一些新的前柵電極加工技術其一為絲網印刷或噴印形成柵狀金屬塗層，燒結形成矽接觸種子層，然後電鍍或光誘導電鍍製備金屬傳導層。其二是採用光刻、化學腐蝕和機械刻蝕方式在矽片的減反射層上開槽，然後採用電鍍、光誘導電鍍或者化學鍍方式製備前柵電極。其它還有雷射燒結技術等。第一種方式雖然可以有效減少印刷銀漿用量，並且減少體電阻和陰影損耗小，但不可避免地有一個製備電鍍種子層的過程，仍然存在接觸電阻過大、工序複雜、成本過高的缺點。第二種方式噴印雖然可以產生較窄的柵線，由於原理同絲網印刷相似，依然存在接觸電阻過大、含金屬墨水成本高、生產效率低的缺點。雖然這種方式不存在燒結漿料的過程，因此接觸電阻小，也可以有效減少體電阻和陰影損耗，但都需要採用光刻、化學定向腐蝕或機械刻蝕開槽以便為電鍍、化學鍍或光誘導電鍍提供掩膜板，雖然解決了絲網印刷存在的接觸電阻大、體電阻大、陰影損失大的缺點，但卻因工藝過於複雜、成本過高、設備生產效率低等問題，並未得到大規模工業應用。其它如雷射燒結法，也存在金屬粉末分離和重新收集難、生產效率低的問題。總之，現有技術太陽能電池加工工藝均難以使電極金屬與電池基體良好且緊密接觸，僅依靠後期高溫燒結形成絕緣玻璃體維持接觸狀態，在振動或刮擦情況下容易造成起層而接觸不良，且主柵和細柵在後期生產中均暴露在空氣中，特別是細柵比較脆弱，容易因刮擦、氧化而造成斷柵而影響光生電子的捕獲，影響太陽能電池的轉化效率。因此，開發一種基於光誘導電鍍技術的太陽能電池加工方法，生產光電轉換效率更高的、成本更低的太陽能電池有著重大經濟和社會意義，以及更為廣闊的應用前景。
發明內容
本發明的第一目的在於提供一種生產工藝簡單、光電轉換效率高、製作成本低、前柵電極陰影損失小、接觸電阻及體電阻低、細前柵電極不易斷線、電池表面反射率低、光電轉化效率高的高光電轉換率晶體矽太陽能電池；另一目的在於提供一種該電池的製造方法。
本發明第一目的是這樣實現的，包括晶體矽P-N結、P區背電極，所述的P區背電極與晶體矽P-N結電性連接，晶體矽P-N結之N區表面設置前柵電極；所述的前柵電極由電化學沉積形成且與晶體矽P-N結之N區的高導電性金屬構成，所述的晶體矽P-N結之N區表面由內至外設置SiO2層和減反射層。本發明另一目的是這樣實現的，將原料矽片依次經過清洗制絨、擴散製成P-N結、去磷矽玻璃與邊緣結刻蝕後製備背電極，將矽片上的背電極與電解電極、直流電源和電量測量裝置連接，並在矽片N區表面敷設柵狀遮光板，並將矽片N區置於電解池中的電解液中且正對誘導光源，開啟誘導光源，光透過柵狀遮光板未遮擋縫隙照在矽片N區並誘導產生光電子，與電解液的金屬經電化學沉積於N區表面形成前柵電極，再經高溫氧化燒結、電鍍、沉積減反射層後製得高光電轉換率晶矽太陽能電池。本發明的電池前柵電極，是將高導電性金屬直接通過電化學沉積在晶體矽P-N結襯底上製成的，前柵金屬電極與晶體矽基體結合更加緊密，接觸電阻小、導電性更好，克服了現有技術中採用絲網印刷或噴墨印刷在晶矽板減反射層上的後期高溫燒結造成玻璃體阻隔和柵線多孔，從而導致的接觸電阻大及體電阻大的缺陷。SiO2層及其上的減反射層，使晶體矽太陽能電池形成雙層減反射的膜結構，能夠大幅度減低太陽能電池正面的反射率。經試驗，單層SiO2減反射層的加權平均反射率了 16. 54%，單層Ti3O2減反射膜的加權平均反射率了 13. 98%，由SiO2和Ti3O2構成的雙層減反射膜的加權平均反射率了 4. 88%。主前柵電極採用底層接觸層和表層傳導層的結構，可以兼顧光誘導電鍍特點和金屬導電率的不同需求，有利於減低生產成本。細前柵電極設置於反射層之下，有效避免了製造和運輸、使用過程中斷柵現象的發生，並且可以減小細柵的陰影損耗。本發明電池製造方法採用光誘導電鍍生成前柵電極，不僅使形成的金屬電極與矽基體結合更加緊密，接觸電阻小，而且克服了現有技術生成方法中需要高溫燒結易導致電極翹曲變形的問題，而且本發明的柵狀遮光板可以很方便地調整柵狀電極寬度。控制光誘導電鍍時間能夠得到理想的電極線高，從而有效減少前柵電極對電池板表面的覆蓋面積，提高光電轉換效率；另外，光誘導電鍍採用合金或金屬作為對電極，用普通金屬鹽作為電鍍液電解質，取代昂貴導電銀漿和含金屬墨水，降低了生產成本。高溫氧化燒結使前柵電極、背電極形成歐姆接觸、背電極鈍化及基體表面SiO2鈍化層同步形成，簡化了生產工藝。製備減反射膜工序使細前柵電極包埋於減反射層中，有效避免了斷柵現象的發生，並且可以減小細柵的陰影損耗；而且形成的SiNx或TiO2和SiO2的雙層減反射膜結構進一步增加了光的吸收率。所以，本發明的方法相比光刻、化學腐蝕和機械刻蝕等方法工藝更簡單、效率更高、製作成本低，前柵電極陰影損失小、接觸電阻及體電阻低、細前柵電極不易斷線、電池表面反射率低、光電轉化效率高的特點，有利於大規模工業化生產應用。
圖I為現有技術中晶體娃太陽能電池結構不意 圖2為本發明的太陽能電池結構示意 圖1、2中1_背電極，2-晶體矽之P區，3-晶體矽N區，4-減反射層，5-細前柵電極，6-主前柵電級，74102層； 圖3為本發明太陽能電池製造方法的工藝流程示意 圖3中A1-損傷的表層，A2-P型矽，A3-N型矽，A4-磷矽玻璃，A5-背電極，A6-接觸層，A7~Si02層，A8-傳導層，A9-減反射層；
圖4為本發明電池前柵電極加工裝置原理 圖4中B1-光源，B2-電解液，B3-光照方向，B4-電解池，B5-直流電源，B6-電量測量裝置，B7-導線，B8-太陽能電池，B81-晶體矽N區，B82-矽片背電極，B9-對電極，BlO-柵狀遮光板。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的說明，但不以任何方式對本發明加以限制，依據本發明的教導所作的任何變更或替換，均屬於本發明的保護範圍。圖I為現有技術太陽能電池結構，包括背電極I、晶體矽P區2、晶體矽N區3、減反射層4、細前柵電極5和主前柵電級6。所述細柵線電極5和主柵線電電極6與晶體矽3區通過燒穿減反射層4接觸，接觸電阻大。所述細柵線電極5裸露在外，容易出現斷柵和氧化，導致串聯電阻增大。圖2為本發明的高光電轉換率晶體矽太陽能電池，包括晶體矽P-N結、P區背電極，所述的P區背電極與晶體矽P-N結電性連接，晶體矽P-N結之N區表面設置前柵電極；所述的前柵電極由電化學沉積形成且與晶體矽P-N結之N區的高導電性金屬構成，所述的晶體矽P-N結之N區表面由內至外設置SiO2層和減反射層。所述的前柵電極之主電極包括連接晶體矽P-N結之N區的接觸層和其外的高導電性金屬傳導層，高導電性金屬傳導層由Cu、Ag、Sn中的一種或兩種以上組合沉積而成。所述的前柵電極之細電極位於減反射層之下，所述的減反射層為SiNx或TiO2和/或SiO2反射膜層。圖3示出了本發明高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法的工藝流程，將原料矽片依次經過清洗制絨、擴散製成P-N結、去磷矽玻璃與邊緣結刻蝕後製備背電極，將矽片上的背電極與電解電極、直流電源和電量測量裝置連接，並在矽片N區表面敷設柵狀遮光板，並將矽片N區置於電解池中的電解液中且正對誘導光源，開啟誘導光源，光透過柵狀遮光板未遮擋縫隙照在矽片N區並誘導產生光電子，與電解液的金屬經電化學沉積於N區表面形成前柵電極，再經高溫氧化燒結、電鍍、沉積減反射膜後製得高光電轉換率晶矽太陽能電池。所述的電解電極為附-1卞、(0-1- 、(0-1、祖-1合金或(0、附金屬型電極。所述的電解液為CoSO4或NiSO4電解液，或CoS04、NiSO4分別與Na2W04、Na3Cit組成的複合電解液。所述的電解液為CoS04*NiS04電解液濃度分別為O. Olmol/L lmol/L，或O. 01
O.5mol/L 的 CoSO4 或 NiSO4 分別與 O. 01 O. 5mol/L 的 Na2WO4^O. 02 lmol/L Na3Cit 組成的複合電解液。所述的氧化燒結是把矽片置於純氧氣氛或氮氧混合氣氛中快速燒結。
所述的減反射膜採用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD )、物理濺射、凝膠溶膠法製備。所述的前柵電極上至少電鍍沉積一層高導電性金屬作為電子傳導層，高導電性金屬為Cu、Ag、Sn的一種或兩種以上任意組合。所述的矽片為單晶矽或多晶矽。圖4為製備高光電轉換率晶體矽太陽能電池中進行光誘導電鍍的裝置，該裝置可以使該工序達到最佳的工藝效果。所述的誘導光源為自然光、突光燈、氖光燈、LED光源、白熾燈、紅色雷射、氣氣燈、
氪燈等。本發明的工作原理
本發明的太陽能電池接收太陽光線，光線依次經矽片表層的減反射層、SiO2層進入晶體矽P-N結襯底，從而產生光電效應；前柵電極收集晶體矽P-N結襯底N區的光生電子，經導線帶動負載並流回背電極所在的P區；同時，射入晶體矽P-N結襯底的光線經晶體矽絨面的反射和折射，一部分反射光被晶體矽吸收轉化為能量，一部分反射光經SiO2層和減反射層的雙重反射，之後又有一部分反射光被晶體矽吸收並轉化為電能；並且，一部分射到細柵上的光，由於埋在減反射層中，再一次經過減反射層反射回P-N結，剩餘的少部分被反射和折射回大氣中。本發明電池的製造方法將經過清洗制絨、擴散制P-N結、刻蝕和去磷、制背電極後的矽片N區置於金屬離子電解液中，矽片N區表面用柵狀遮光板遮擋，誘導光透過柵狀遮光板照射在矽片N區表面，產生光誘導電解將金屬離子還原成金屬，並沉積於矽片N區的光照區形成柵狀電極。光生空穴則沿導線B7傳輸到對電極B9，並將金屬溶解為金屬離子以補充溶液中離子的損耗，電解反應持續至規定的反應時間，即完成前柵電極的製備。然後把矽片置於純氧氣氛或氮氧混合氣氛中高溫氧化燒結，使前柵電極、背電極歐姆接觸，經背電極鈍化以及矽片基體表面形成SiO2鈍化層。光誘導電鍍方式使主前柵電極高度增加，並能電鍍沉積Cu、Ag或Sn等導電良好的金屬，從而降低前柵電極體電阻。再通過PECVD、物理濺射、凝膠溶膠法等方式，製備SiNx或TiO2和SiO2的雙層減反射膜。這種製備方法不同於傳統工藝的方式(傳統的方式是先製備減反射層，後製備前柵電極)，使細前柵電極包埋於減反射層中，有效避免了斷柵現象的發生，並且可以減少細柵的陰影損耗；減反射膜增加了光吸收，提高了太陽能電池的光電轉換效率。
實施例I
將配製好O. 01mol/L的Co金屬離子(CoSO4)光誘導電鍍電解液注入電解池中，將經過制絨、擴散、刻蝕、去磷、製作了背電極的矽片電性連接於電解池及其控制電路中，即將矽片的背電極與Cu對電極、電源電路連接好，固定好矽片位置且保持N區表面與電解液面平行，矽片N區表層浸入電解液中。在電池矽片N區表面與螢光燈光源間設置柵狀遮光板並保證其與N區表面平行，啟動光源，使光線透過柵狀遮光板照射到矽片N區的表面，發生光誘導電化學反應，電解液中的金屬離子還原成金屬並沉積於柵狀光照區，形成前柵電極，然後把電池矽片置於純氧氣氛(流量6L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min，再於接觸層電鍍一層金屬Cu傳導層，通過PECVD方式在太陽能電池基體表面製備一層Si3N4減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。實施例2
以lmol/L的Ni金屬離子(NiSO4)電解液作為光誘導電鍍液，以Cu電極作為對電極，Ag作為沉積金屬，以自然光作為光源，按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極， 然後把矽片置於氧氮混合氣氛(氧流量6L/min，氮流量10L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min，再於接觸層電鍍一層金屬Sn傳導層，通過物理濺射方式在太陽能電池基體表面製備一層TiO2減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。實施例3
以O. 3mol/L的Co金屬離子(CoSO4)電解液作為光誘導電鍍液，以Cu電極作為對電極，Sn作為沉積金屬，以LED燈作為光源，按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極，然後把矽片置於純純氧氣氛(流量6L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min，再於接觸層電鍍一層金屬Ag傳導層，通過凝膠溶膠法在太陽能電池基體表面製備一層Si3N4減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。實施例4
以O. lmol/L的Co金屬離子(CoSO4)和O. 7mol/L的Ni金屬離子(NiSO4)電解液作為光誘導的複合電鍍液，以Cu電極作為對電極,Ag作為沉積金屬，以氖燈作為光源；按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極，然後把矽片置於氧氮混合氣氛(氧流量6L/min，氮流量10L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min,再於接觸層電鍍一層金屬Ag和Sn傳導層，通過LPCVD方式在太陽能電池基體表面製備一層Si3N4減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。實施例5
以 O. Olmol/L 的 CoS04、0. Olmol/L 的 Na2W04、0. 02mol/L 的 Na3Cit 作為光誘導複合電鍍液，以Al電極作為對電極，Cu作為沉積金屬，以氖燈作為光源；按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極，然後把矽片置於純氧氣氛(流量6L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min,再於接觸層電鍍一層金屬Cu和Sn傳導層,通過PECVD方式在太陽能電池基體表面製備一層Si3N4減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。實施例6
以O. 5mol/L的CoS04、0. 5mol/L的Na2WO4和lmol/L的Na3Cit作為光誘導複合電鍍液，以Al電極作為對電極，Ag作為沉積金屬，以白熾燈作為光源；按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極，然後把矽片置於氧氮混合氣氛(氧流量6L/min，氮流量10L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min，再於接觸層電鍍一層金屬Cu傳導層，通過物理濺射方式在太陽能電池基體表面製備一層TiO2減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。實施例7
以O. 5mol/L的CoS04、0. 3mol/L的Na2WO4和O. 5mol/L的Na3Cit作為光誘導複合電鍍液，以Al電極作為對電極，Sn作為沉積金屬，以紅色雷射作為光源；按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極，然後把矽片置於純氧氣氛(流量6L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min，再於接觸層電鍍一層金屬Cu和Sn傳導層，通過PECVD方式在太陽能電池基體表面製備TiO2 -SiO2雙層減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電 阻低於現有技術製備的電池。實施例8
以O. 5mol/L的NiS04、0. 5mol/L的Na2WO4和O. 6mol/L的Na3Cit作為光誘導複合電鍍液，以Al電極作為對電極，Cu作為沉積金屬，以氣氣燈作為光源；按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極，然後把矽片置於氧氮混合氣氛(氧流量6L/min，氮流量IOL/min)中於780°C高溫氧化燒結20min,再於接觸層電鍍一層金屬Ag和Sn傳導層,通過凝膠溶膠法在太陽能電池基體表面製備一層Si3N4減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。實施例9
以O. 3mol/L的NiS04、0. 4mol/L的Na2WO4和O. 8mol/L的Na3Cit作為光誘導複合電鍍液，以Al電極作為對電極，Cu作為沉積金屬，以氪燈作為光源；按與實施例I相同的工序步驟製備矽片的前柵電極，然後把矽片置於純氧氣氛(流量6L/min)中於780°C高溫氧化燒結20min,再於接觸層電鍍一層金屬Ag和Cu傳導層,通過PECVD方式在太陽能電池基體表面製備TiO2 -SiO2雙層減反射膜，經後處理得到晶體矽太陽能電池原板。經檢測串聯電阻低於現有技術製備的電池。
權利要求
1.一種高光電轉換率晶體矽太陽能電池，包括晶體矽P-N結、P區背電極，所述的P區背電極與晶體矽P-N結電性連接，晶體矽P-N結之N區表面設置前柵電極，其特徵是所述的前柵電極由電化學沉積形成且與晶體矽P-N結之N區的高導電性金屬構成，所述的晶體矽P-N結之N區表面由內至外設置SiO2層和減反射層。
2.根據權利要求I所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池，其特徵是所述的前柵電極之主電極包括連接晶體矽P-N結之N區的接觸層和其外的高導電性金屬傳導層，高導電性金屬傳導層由Cu、Ag、Sn中的一種或兩種以上組合沉積而成。
3.根據權利要求I所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池，其特徵是所述的前柵電極之細電極位於減反射層之下，所述的減反射層為SiNx或TiO2和/或SiO2反射膜層。
4.一種權利要求I所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法，將原料矽片依次經過清洗制絨、擴散製成P-N結、去磷矽玻璃與邊緣結刻蝕後製備背電極，其特徵是將矽片上的背電極與電解電極、直流電源和電量測量裝置連接，並在矽片N區表面敷設柵狀遮光板，並將矽片N區置於電解池中的電解液中且正對誘導光源，開啟誘導光源，光透過柵狀遮光板未遮擋縫隙照在矽片N區並誘導產生光電子，與電解液的金屬經電化學沉積於N區表面形成前柵電極，再經高溫氧化燒結、電鍍、沉積減反射膜後製得高光電轉換率晶矽太陽能電池。
5.根據權利要求4所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法，其特徵是所述的電解電極為Ni-W-P、Co-W-P、Co-W、Ni-W合金或Co、Ni金屬型電極。
6.根據權利要求4所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法，其特徵是所述的電解液為CoSO4或NiSO4電解液，或CoS04、NiSO4分別與Na2W04、Na3Cit組成的複合電解液。
7.根據權利要求6所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法，其特徵是所述的電解液為CoSO4或NiSO4電解液濃度分別為O. Olmol/L lmol/L，或O. 01 O. 5mol/L 的 CoSO4 或 NiSO4 分別與 O. 01 O. 5mol/L 的 Na2W04、0. 02 lmol/L Na3Cit 組成的複合電解液。
8.根據權利要求4所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法，其特徵是所述的氧化燒結是把矽片置於純氧氣氛或氮氧混合氣氛中快速燒結。
9.根據權利要求4所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法，其特徵是所述的減反射膜採用等離子體增強化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、物理濺射、凝膠溶膠法製備。
10.根據權利要求4所述的高光電轉換率晶體矽太陽能電池的製造方法，其特徵是所述的前柵電極上至少電鍍沉積一層高導電性金屬作為電子傳導層，高導電性金屬為Cu、Ag、Sn的一種或兩種以上任意組合。
全文摘要
本發明公開了一種高光電轉換率晶體矽太陽能電池及其製造方法，所述電池包括晶體矽P-N結襯底；與晶體矽P-N結襯底P區歐姆接觸的背電極；與晶體矽P-N結襯底N區歐姆接觸的前柵電極；前柵電極細柵被包覆於減反射層之下；位於晶體矽P-N結襯底N區表面的SiO2層及其上的減反射層。所述製造方法包括清洗制絨步驟、擴散制結步驟、洗磷和刻蝕步驟、製備背電極步驟、光誘導電鍍前柵電極步驟、氧化燒結步驟、電鍍前柵電極步驟、製備減反射層步驟。本發明採用光誘導電鍍前柵電極、氧化燒結，具有生產工藝簡單、效率高、成本低和太陽能電池前柵電極陰影損失小、接觸電阻及體電阻低、細前柵電極不易斷線、電池表面反射率低、光電轉化效率高的特點。
文檔編號H01L31/0224GK102881732SQ201210394170
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月17日 優先權日2012年10月17日
發明者劉鑄, 肖輝, 徐哲, 馮苑飛 申請人:雲南大學