應用於雷射退火設備的吹掃裝置製造方法

2023-10-08 22:15:24

應用於雷射退火設備的吹掃裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種應用於雷射退火設備的吹掃裝置，設置在雷射退火設備工件臺上方區域的周圍，包括一組以上氣流腔。本實用新型通過在雷射退火設備工件臺上方設置一組或多組氣流腔，向工件臺吹純淨氣體，將矽片析出的金屬離子及時吹走，同時阻止空氣中的金屬離子沉積到工件臺上，從而在不影響雷射退火設備使用效率和效果的前提下，實現了對工件臺金屬離子的有效控制，避免了金屬離子對器件性能的影響。
【專利說明】應用於雷射退火設備的吹掃裝置

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及集成電路製造領域，特別是涉及矽片背面雷射退火領域，更具體 地說，是涉及一種應用於雷射退火設備的吹掃裝置。

【背景技術】
[0002] 在IGBT (絕緣柵雙極型電晶體）等工藝中，需要對矽片背面進行雷射退火的步驟， 以實現對背面金屬離子的激活。由於雷射退火是矽片背面朝下的，且此時的矽片基本已完 成前道的工藝，因此部分金屬會暴在面對著工件臺的方向上，這些金屬離子可能通過空氣 傳播，在工件臺上產生沉積。同時，空氣中的微量金屬離子也會隨著時間的增加而容易沉積 到工件臺上。由於雷射退火時是一個高溫狀態，且正面貼著工件臺，這些原來沉積在工件臺 上的金屬離子容易在高溫作用下通過保護層進入到器件中，影響器件的性能，甚至引起功 能的失效。
[0003] 通過跑控片的方式可以帶走金屬離子，但是跑控片的方式既增加工藝成本也影響 設備的有效利用率。通過使工件臺不斷地處於運動狀態，也可以使這些金屬離子不易沉積 到工件臺上，但是工件臺不斷的處於運動狀態不利於設備本身。 實用新型內容
[0004] 本實用新型要解決的技術問題是提供一種應用於雷射退火設備的吹掃裝置，它可 以有效控制金屬離子沉積到工件臺上。
[0005] 為解決上述技術問題，本實用新型的應用於雷射退火設備的吹掃裝置，設置在激 光退火設備工件臺上方區域的周圍，包括一組以上氣流腔。
[0006] 本實用新型通過在雷射退火設備工件臺上方設置吹掃裝置，吹走工件臺上的金屬 離子，同時阻止空氣中的金屬離子沉積到工件臺上，在不影響雷射退火設備使用效率和效 果的前提下，實現了對工件臺金屬離子的有效控制和改善，避免了金屬離子對器件性能的 影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1是帶本實用新型的吹掃裝置的雷射退火設備的工件臺的結構示意圖。
[0008] 圖2?圖5是本實用新型的吹掃裝置的氣流腔結構示意圖。

【具體實施方式】
[0009] 為對本實用新型的技術內容、特點與功效有更具體的了解，現結合附圖，詳述如 下：
[0010] 如圖1所示，本實用新型的應用於雷射退火設備的吹掃裝置，設置在工件臺上方 區域周圍，主要由一組以上可以形成一定氣流的氣流腔組成。吹掃裝置的位置高度和到工 件臺的距離可調。吹掃裝置可以只包含一組單向氣流腔(見圖2)，也可以包含兩組雙向氣流 腔(見圖3)，或包含多組多向氣流腔(見圖4);也可以將氣流腔設計成環形(見圖5)。
[0011] 吹掃裝置可以和雷射退火設備設計成關聯裝置，即：當雷射退火開始時，吹掃裝置 自動關閉氣流，以避免由於局部高溫引起矽片上方的氣流波動，導致空氣折射變化，影響退 火效果；當雷射退火結束後，吹掃裝置自動開啟氣流，向工件臺吹純淨的氣體（比如空氣或 N2等)，並在工件臺上方形成一定速度的氣流(氣流風速和強度可調)，將矽片中析出的金屬 離子及時吹走，並使空氣中的微量金屬離子不易沉積在工件臺上，以保持工件臺不受金屬 離子的汙染。
[0012] 表1有無使用吹掃裝置，對工件臺金屬離子數量的影響 [0013]

【權利要求】
1. 應用於雷射退火設備的吹掃裝置，其特徵在於，設置在雷射退火設備工件臺上方區 域的周圍，包括一組以上氣流腔。
2. 根據權利要求1所述的吹掃裝置，其特徵在於，所述氣流腔呈環形。
3. 根據權利要求1或2所述的吹掃裝置，其特徵在於，所述吹掃裝置和雷射退火設備相 關聯，當雷射退火開始時，吹掃裝置自動關閉氣流；當雷射退火結束後，吹掃裝置自動開啟 氣流，向雷射退火設備工件臺吹純淨的氣體。
【文檔編號】B23K26/142GK204135553SQ201320818003
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年12月12日 優先權日:2013年12月12日
【發明者】童宇鋒, 胡榮星 申請人:上海華虹宏力半導體製造有限公司