一種平面型二極體的製作方法

2023-11-06 20:09:52 1

一種平面型二極體的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種平面型二極體，包括陰極引線，所述陰極引線與金屬片連接，所述金屬片上方設置有N型區，所述N型區中設置有P型區，所述N型區與P型區之間設置有PN結，所述P型區上方設置有二氧化矽襯底，所述二氧化矽襯底中設置有金屬連接結構，所述金屬連接結構下端與P型區上表面歐姆接觸，所述金屬連接結構上端設置有陽極引線。本發明結構簡單、易封裝、製造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿。
【專利說明】一種平面型二極體

【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種半導體器件，尤其涉及一種平面型二極體。

【背景技術】
[0002] 二極體是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極體和晶體二極體之分，電子 二極體現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極體。二極體的單向導電特性，幾乎在 所有的電子電路中，都要用到半導體二極體，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生 最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。
[0003] 目前，二極體製造技術已經相當成熟，但仍然存在結構複雜、成本高、封裝難、容易 被擊穿等問題。


【發明內容】

[0004] 本發明所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、易封裝、製造成本低廉，所承載 的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿的平面型二極體。
[0005] 本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種平面型二極體，包括陰極引線，所 述陰極引線與金屬片連接，所述金屬片上方設置有N型區，所述N型區中設置有P型區，所 述N型區與P型區之間設置有PN結，所述P型區上方設置有二氧化矽襯底，所述二氧化矽 襯底中設置有金屬連接結構，所述金屬連接結構下端與P型區上表面歐姆接觸，所述金屬 連接結構上端設置有陽極引線。
[0006] 所述N型區，擴散P型雜質，構成P型區，並利用二氧化矽表面氧化膜的屏蔽作用， 在N型區上選擇性地擴散一部分而形成的PN結，由於PN結的表面被二氧化矽氧化膜覆蓋， 有利於-極管穩定性和使用壽命長的提商。
[0007] 在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。
[0008] 進一步，所述金屬片為銅金屬片，所述銅金屬片電阻率低、導電性強，用於PN結整 流電流的收集與傳輸。
[0009] 進一步，所述陽極引線、陰極引線為鍍銅金屬，所述鍍銅金屬硬度大，有利於引線 的的支撐，同時鍍銅引線電阻率低，有助於降低對整流電流的幹擾。
[0010] 進一步，所述金屬連接結構為鋁金屬，所述鋁金屬可塑性較好，易於二極體的封裝 與封閉，所述鋁金屬導電性好，有利於各結構之間的導通。
[0011] 本發明的有益效果是：結構簡單、易封裝、製造成本低廉，所承載的整流電流、反響 電壓較大，不易被擊穿。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1為本發明一種平面型二極體結構示意圖；
[0013] 附圖中，各標號所代表的部件列表如下：1、陰極引線，2、金屬片，3、N型區，4、PN 結，5、P型區，6、二氧化矽襯底，7、金屬連接結構，8、陽極引線。

【具體實施方式】
[0014] 以下結合附圖對本發明的原理和特徵進行描述，所舉實例只用於解釋本發明，並 非用於限定本發明的範圍。
[0015] 如圖1所示，一種平面型二極體，包括陰極引線1，所述陰極引線1與金屬片2連 接，所述金屬片2上方設置有N型區3,所述N型區3中設置有P型區5,所述N型區3與P 型區5之間設置有PN結4,所述P型區5上方設置有二氧化矽襯底6,所述二氧化矽襯底6 中設置有金屬連接結構7,所述金屬連接結構7下端與P型區5上表面歐姆接觸，所述金屬 連接結構7上端設置有陽極引線8。
[0016] 所述N型區3,擴散P型雜質，構成P型區5,並利用二氧化矽6表面氧化膜的屏蔽 作用，在N型區3上選擇性地擴散一部分而形成的PN結4,由於PN結4的表面被二氧化矽 6氧化膜覆蓋，有利於二極體穩定性和使用壽命長的提高。
[0017] 所述金屬片2為銅金屬片，所述銅金屬片電阻率低、導電性強，用於PN結整流電流 的收集與傳輸；所述陽極引線8、陰極引線1為鍍銅金屬，所述鍍銅金屬硬度大，有利於引線 的的支撐，同時鍍銅引線電阻率低，有助於降低對整流電流的幹擾；所述金屬連接結構7為 鋁金屬，所述鋁金屬可塑性較好，易於二極體的封裝與封閉，所述鋁金屬導電性好，有利於 各結構之間的導通。
[0018] 以上所述僅為本發明的較佳實施例，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和 原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1. 本發明涉及一種平面型二極體，其特徵在於，包括陰極引線，所述陰極引線與金屬片 連接，所述金屬片上方設置有N型區，所述N型區中設置有P型區，所述N型區與P型區之 間設置有PN結，所述P型區上方設置有二氧化矽襯底，所述二氧化矽襯底中設置有金屬連 接結構，所述金屬連接結構下端與P型區上表面歐姆接觸，所述金屬連接結構上端設置有 陽極引線。
2. 根據權利要求1所述一種平面型二極體，其特徵在於，所述金屬片為銅金屬片。
3. 根據權利要求1所述一種平面型二極體，其特徵在於，所述陽極引線、陰極引線為鍍 銅金屬。
4. 根據權利要求1所述一種平面型二極體，其特徵在於，所述金屬連接結構為鋁金屬。
【文檔編號】H01L29/06GK104218071SQ201410521503
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年9月30日 優先權日:2014年9月30日
【發明者】夏洪貴 申請人:夏洪貴