一種限流電路的製作方法

2023-11-29 23:19:51 1

專利名稱：一種限流電路的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種限流電路。
背景技術：
在一些可攜式電子電路中，部分的電路所需電流較小，因此就需要對電流進行限制。現有技術的限流電路一般是通過雙極型電晶體和/或電阻構建限流限流電路。這種限流電路自身的功耗較大，在集成電路裡雙極型電晶體和/或電阻在半導體集成電路裡面所佔面積較大，不利於集成電路的應用。

實用新型內容本實用新型的發明目的在於針對上述存在的問題，提供一種MOS結構的限流電路。本實用新型採用的技術方案是這樣的一種限流電路，包括輸入端、輸出端，該電路還包括第一 PMOS電晶體、第二 PMOS電晶體、第三PMOS電晶體、第四PMOS電晶體、第一NMOS電晶體、第二 NMOS電晶體、第三NMOS電晶體、第四NMOS電晶體、第五NMOS電晶體、第六NMOS電晶體、電阻和恆流源。電壓源連接至第一 PMOS電晶體的源極、第二 PMOS電晶體的源極、第三PMOS電晶體的源極和第四PMOS電晶體的源極；輸入端連接至第一PMOS電晶體的漏極和第二PMOS電晶體的柵極；第一 PMOS電晶體的柵極和第一 NMOS電晶體的漏極通過電阻連接至電壓源；第二 PMOS電晶體的漏極連接至第一 NMOS電晶體的柵極和第二 NMOS電晶體的漏極；第三PMOS電晶體的柵極和第四PMOS電晶體的柵極連接至第三PMOS電晶體的漏極和第五NMOS電晶體的漏極；第四PMOS電晶體的漏極連接至第二 NMOS電晶體的柵極、第三NMOS電晶體的柵極和漏極；第一 NMOS電晶體的源極、第二 NMOS電晶體的源極、第三NMOS電晶體的源極和第四NMOS電晶體的漏極連接至輸出端；第四NMOS電晶體的源極、第五NMOS電晶體的源極和第六匪OS電晶體的源極均接地；第四NMOS電晶體的柵極和漏極、第五NMOS電晶體的柵極和漏極、第六NMOS電晶體的柵極和漏極均通過恆流源連接至電壓源。在上述的電路中，所述第一 PMOS電晶體與第二 PMOS電晶體為參數相同的PMOS電晶體。在上述的電路中，所述第三PMOS電晶體與第四PMOS電晶體為參數相同的PMOS電晶體。在上述的電路中，所述第一 NMOS電晶體與第二 NMOS電晶體為參數相同的NMOS電晶體。在上述的電路中，所述第四NMOS電晶體、第五NMOS電晶體和第六NMOS電晶體為參數相同的NMOS電晶體。綜上所述，由於採用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是電路結構簡單，MOS管體較小功耗小，便於集成電路中的應用。
圖I是本實用新型限流電路的電路原理圖。
具體實施方式
以下結合附圖，對本實用新型作詳細的說明。為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，
以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，並不用於限定本實用新型。如圖I所示，是本實用新型限流電路的電路原理圖。本實用新型的一種限流電路，包括輸入端IN、輸出端0UT，該電路還包括第一 PMOS電晶體P1、第二 PMOS電晶體P2、第三PMOS電晶體P3、第四PMOS電晶體P4、第一 NMOS電晶體NI、第二 NMOS電晶體N2、第三NMOS電晶體N3、第四NMOS電晶體N4、第五NMOS電晶體N5、第六NMOS電晶體N6、電阻Rl和恆流源II。
以下結合附圖I對本實用新型上述的各電子元器件之間的連接關係做詳細說明電壓源VDD連接至第一 PMOS電晶體Pl的源極、第二 PMOS電晶體P2的源極、第三PMOS電晶體P3的源極和第四PMOS電晶體P4的源極；輸入端IN連接至第一 PMOS電晶體Pl的漏極和第二 PMOS電晶體P2的柵極；第一 PMOS電晶體Pl的柵極和第一 NMOS電晶體NI的漏極通過電阻Rl連接至電壓源VDD ;第二 PMOS電晶體P2的漏極連接至第一 NMOS電晶體NI的柵極和第二 NMOS電晶體N2的漏極；第三PMOS電晶體P3的柵極和第四PMOS電晶體P4的柵極連接至第三PMOS電晶體P3的漏極和第五NMOS電晶體N5的漏極；第四PMOS電晶體P4的漏極連接至第二 NMOS電晶體N2的柵極、第三NMOS電晶體N3的柵極和漏極；第一 NMOS電晶體NI的源極、第二 NMOS電晶體N2的源極、第三NMOS電晶體N3的源極和第四NMOS電晶體N4的漏極連接至輸出端OUT ;第四NMOS電晶體N4的源極、第五NMOS電晶體N5的源極和第六NMOS電晶體N6的源極均接地；第四NMOS電晶體N4的柵極和漏極、第五NMOS電晶體N5的柵極和漏極、第六NMOS電晶體N6的柵極和漏極均通過恆流源Il連接至電壓源VDD。在本實用新型上述技術方案的電路中，所述第一 PMOS電晶體Pl與第二 PMOS電晶體P2採用參數相同的PMOS電晶體。在本實用新型上述技術方案的電路中，所述第三PMOS電晶體P3與第四PMOS電晶體P4採用參數相同的PMOS電晶體。在本實用新型上述技術方案的電路中，所述第一 NMOS電晶體NI與第二 NMOS電晶體N2採用參數相同的NMOS電晶體。在本實用新型上述技術方案的電路中，所述第四NMOS電晶體N4、第五NMOS電晶體N5和第六NMOS電晶體N6採用參數相同的NMOS電晶體。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，並不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護範圍之內。
權利要求1.一種限流電路，包括輸入端(IN)、輸出端(OUT)，其特徵在於，還包括第一 PMOS電晶體(PI)、第二 PMOS電晶體(P2 )、第三PMOS電晶體(P3 )、第四PMOS電晶體(P4 )、第一 NMOS電晶體(NI)、第二 NMOS電晶體(N2)、第三NMOS電晶體(N3)、第四NMOS電晶體(N4)、第五NMOS電晶體(N5)、第六NMOS電晶體(N6)、電阻(Rl)和恆流源(Il)； 電壓源(VDD)連接至第一 PMOS電晶體(Pl)的源極、第二 PMOS電晶體(P2)的源極、第三PMOS電晶體(P3)的源極和第四PMOS電晶體(P4)的源極；輸入端(IN)連接至第一 PMOS電晶體(Pl)的漏極和第二 PMOS電晶體(P2)的柵極；第一 PMOS電晶體(Pl)的柵極和第一NMOS電晶體(NI)的漏極通過電阻(Rl)連接至電壓源(VDD);第二 PMOS電晶體 (P2)的漏極連接至第一 NMOS電晶體(NI)的柵極和第二 NMOS電晶體(N2)的漏極；第三PMOS電晶體 (P3)的柵極和第四PMOS電晶體(P4)的柵極連接至第三PMOS電晶體(P3)的漏極和第五NMOS電晶體(N5)的漏極；第四PMOS電晶體(P4)的漏極連接至第二 NMOS電晶體(N2)的柵極、第三NMOS電晶體(N3)的柵極和漏極；第一 NMOS電晶體(NI)的源極、第二 NMOS電晶體(N2)的源極、第三NMOS電晶體(N3)的源極和第四NMOS電晶體(N4)的漏極連接至輸出端(OUT);第四NMOS電晶體(N4)的源極、第五NMOS電晶體(N5)的源極和第六NMOS電晶體(N6)的源極均接地；第四NMOS電晶體(N4)的柵極和漏極、第五NMOS電晶體(N5)的柵極和漏極、第六NMOS電晶體(N6)的柵極和漏極均通過恆流源(Il)連接至電壓源(VDD)。
2.根據權利要求I所述的限流電路，其特徵在於，所述第一PMOS電晶體(Pl)與第二PMOS電晶體(P2)為參數相同的PMOS電晶體。
3.根據權利要求I所述的限流電路，其特徵在於，所述第三PMOS電晶體(P3)與第四PMOS電晶體(P4)為參數相同的PMOS電晶體。
4.根據權利要求I所述的限流電路，其特徵在於，所述第一NMOS電晶體(NI)與第二NMOS電晶體(N2)為參數相同的NMOS電晶體。
5.根據權利要求I所述的限流電路，其特徵在於，所述第四NMOS電晶體(N4)、第五NMOS電晶體(N5)和第六NMOS電晶體(N6)為參數相同的NMOS電晶體。
專利摘要本實用新型公開了一種限流電路，包括輸入端(IN)、輸出端(OUT)，還包括第一PMOS電晶體(P1)、第二PMOS電晶體(P2)、第三PMOS電晶體(P3)、第四PMOS電晶體(P4)、第一NMOS電晶體(N1)、第二NMOS電晶體(N2)、第三NMOS電晶體(N3)、第四NMOS電晶體(N4)、第五NMOS電晶體(N5)、第六NMOS電晶體(N6)、電阻(R1)和恆流源(I1)。本實用新型的有益效果是電路結構簡單，MOS管體較小功耗小，便於集成電路中的應用。
文檔編號H02H9/02GK202797926SQ20122048533
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月21日 優先權日2012年9月21日
發明者餘力, 吳勇, 桑園 申請人:鄭州單點科技軟體有限公司