一種晶片封裝結構的製作方法

2023-11-30 01:47:01 1

本實用新型屬於半導體技術領域，具體涉及一種晶片封裝結構。

背景技術：

晶片的接地對晶片的性能影響很大，良好的接地有利於晶片的散熱，增加晶片可靠性，特別是對於射頻晶片，良好的接地可以明顯提升晶片增益、功率、效率、線性度、穩定性及噪聲等性能。目前，業內比較流行採用晶圓通孔或者背孔通金的方式將晶片接地，但這兩種方式散熱效果差，且均會產生寄生電感和寄生電阻，且受工藝限制無法進一步縮小寄生電感及寄生電阻，這成為晶片性能改善的一個阻礙。

技術實現要素：

本實用新型的目的在於提供一種晶片封裝結構，該結構可以很好地解決現有封裝結構散熱效果差的問題。

為達到上述要求，本實用新型採取的技術方案是：提供一種晶片封裝結構，包括：

半導體襯底，襯底上具有若干源極；

聚醯亞胺層，覆蓋在半導體襯底表面，並露出所述源極；

第一金屬層，形成於每個源極表面；

第二金屬層，形成於第一金屬層和聚醯亞胺層構成的上表面；

銅層，形成於所述第二金屬層表面；

焊料凸點，形成於所述銅層表面。

與現有技術相比，本實用新型具有以下優點：通過第一金屬層將每個源極引出，然後通過第二金屬層將所有源極連接在一起，在第二金屬層表面製備銅層，通過銅層進行倒裝焊接地，使晶片具有更良好的接地端，縮短晶片散熱路徑，增加晶片可靠性，縮小晶片面積。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標號來表示相同或相似的部分，本申請的示意性實施例及其說明用於解釋本申請，並不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

為使本申請的目的、技術方案和優點更加清楚，以下結合附圖及具體實施例，對本申請作進一步地詳細說明。為簡單起見，以下描述中省略了本領域技術人員公知的某些技術特徵。

如圖1所示，本實施例提供一種晶片封裝結構，包括：

半導體襯底1，襯底1上具有兩個源極2、兩個柵極及一個漏極；

聚醯亞胺層3，覆蓋在半導體襯底1表面，並露出兩個源極2；

第一金屬層4，形成於每個源極2表面且與源極2相連，第一金屬層4上表面與聚醯亞胺層3上表面齊平；第一金屬層4的材料為Au；

第二金屬層5，形成於第一金屬層4和聚醯亞胺層3構成的上表面，且第二金屬層5與兩個第一金屬層4連接，即第二金屬層5將兩個源極2連接在一起；第二金屬層5的材料包括Au；

銅層6，形成於第二金屬層5表面；

焊料凸點7，形成於銅層6表面；焊料金屬包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

該晶片封裝結構的封裝方法包括：

S1、提供一表面覆蓋有聚醯亞胺層3的半導體襯底1，在聚醯亞胺層3旋塗光刻膠，刻蝕聚醯亞胺層3在源極2位置打開窗口，使得源極2暴露出來；

S2、基於上述窗口，在源極2表面製備第一金屬層4，第一金屬層4與源極2相連；

S3、在第一金屬層4和聚醯亞胺層3構成的上表面製備第二金屬層5，第二金屬層5與第一金屬層4相連，將所有源極2連接在一起；

S4、在第二金屬層5表面製備金屬銅，形成銅層6；

S5、在銅層6表面澱積焊料金屬。

以上實施例僅表示本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能理解為對本實用新型範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本實用新型保護範圍。因此本實用新型的保護範圍應該以權利要求為準。