一種霍山石斛栽培方法
2023-12-04 13:34:46 5
一種霍山石斛栽培方法
【專利摘要】一種霍山石斛栽培方法，採用遮蔭大棚進行，栽培養料為：袋袋裝木屑、碎石料、碎樹葉；充分利用當地林木加工後的廢棄資源，充分利用當地的建築工地加工的廢料，在大棚內控制水、溫度、光照，開創了一條廢棄資源的循環利用之路。本發明方法栽培所得霍山石斛的投入產出比其他霍山石斛栽培方法產出率高，實現了霍山石斛的安全高效栽培，既實現了可持續發展的經濟發展模式，又保護了瀕危絕跡的野生霍山石斛資源。
【專利說明】一種霍山石斛栽培方法 【【技術領域】】
[0001] 本發明涉及一種霍山石斛栽培方法，屬於植物栽培【技術領域】。 【技術背景】
[0002] 霍山石斛（學名：Dendrobium huoshanense)俗稱米斛，是蘭科石斛屬的草本植 物。主產於大別山區的安徽省霍山縣，大多生長在雲霧繚繞的懸崖峭壁崖石縫隙間和參天 古樹上。霍山石斛能大幅度提高人體內SOD(延緩衰老的主要物質）水平，對經常熬夜、用 腦、菸酒過度，體虛乏力的人群，經常飲用非常適宜。霍山石斛具有明目作用，也能調和陰 陽、壯陽補腎、養顏駐容，從而達到保健益壽的功效。具有獨特的藥用價值，以其莖入藥，中 藥名：石斛，屬補益藥中的補陰藥。霍山石斛的生長環境比較特殊，而且霍山石斛成活率低， 種子不易發芽，自然繁殖率極低；又因為生態破壞嚴重，生存環境惡化，加上人們長期的採 挖，野生霍山石斛資源越來越稀少，種源已瀕臨枯竭，因此發展人工栽培霍山石斛已經成為 保護和利用霍山石斛資源的必然之路。 【
【發明內容】
】
[0003] 本發明的目的是提供了一種霍山石斛栽培方法，實現了霍山石斛的安全高效栽 培，既實現了可持續發展的經濟發展模式，又保護了瀕危絕跡的野生霍山石斛資源。
[0004] 為達到上述目的，本發明採用的技術方案如下：
[0005] (1)採用木屑、碎石料、碎樹葉按照2 : 1 : 2的比例混合作為霍山石斛的栽培基 質，在使用木屑、碎石料、碎樹葉前均需要經過高溫消毒滅菌後，再加入3%的納米碳、加入 2%的鑰酸銨、加入1%的紅糖、加入4%氫氧化名品、加入3%酒精廢液，攪拌混合均勻；
[0006] (2)選種1年生的生長健壯、萌芽多、根系發達、無病蟲害的株種做為霍山石斛的 培養幼苗。
[0007] (3)將株種以3株一叢種植在按比例配好的栽培基質上，叢與叢之間相距30釐米， 株與株之間相隔20-25釐米使其自然伸展生長，基質將其根系全部覆蓋住為宜。
[0008] (4)栽植後要注意調節大棚內的溫度，霍山石斛最適宜生長的溫度為20-32°C， 採用大棚栽培，大棚溫度也應調在25-28 °C之間；最適宜霍山石斛生長的光照強度為 5000-100001UX，採用大棚栽培，大棚要注意遮陰，調節光照強度，避免光照過強或光照不足 而影響霍山石斛幼苗的生長。
[0009] (5)澆水給栽培的石斛幼苗要注意加強對水分的控制，保持基質處於溼潤狀態，相 對水份控制在質含水量在40%?50%之間為宜，移栽後7天內（幼苗尚未發新根）空氣溼 度保持在85 %左右，7天後，植株開始發生新根，空氣溼度保持在70 %?80 %，過幹影響成 活率，過溼容易爛根。栽種後的一個月施一次有機肥，幫助其茁壯成長，之後每隔兩個月再 施一次有機肥。
[0010] (6)定時給其修枝除草，在採收老莖時要將叢內的枯莖剪除，每年要除草2次，每 隔半年除草一次。
[0011] (7)病蟲害的預防，霍山石斛幼苗在生長期間容易發生煤汙病、腐爛病、炭疽病等， 要以預防為注，因此沒有發生嚴重的病蟲害前要用託布津稀釋或多菌靈液噴霧。
[0012] (8)採用大棚栽培，要3年採收一次，以栽培霍山石斛的當月進行，將無葉的莖條 和乾燥的莖剪下，留嫩去老。
[0013] 所述的有機肥是由25% -35%的人畜糞、20% -30%的水稻秸杆、20% -30%的花 生殼經發酵而成，預防病蟲害的託布津和多菌靈為，75 %託布津稀釋1000倍或50 %多菌靈 500倍液噴霧。 【【具體實施方式】】
[0014] 一種霍山石斛栽培方法，包括以下步驟：
[0015] (1)採用木屑、碎石料、碎樹葉按照2 : 1 : 2的比例混合作為霍山石斛的栽培基 質，在使用木屑、碎石料、碎樹葉前均需要經過高溫2消毒滅菌後，再加入3%的納米碳、力口 入2%的鑰酸銨、加入1%的紅糖、加入4%氫氧化名品、加入3%酒精廢液，攪拌混合均勻；
[0016] (2)選種1年生的生長健壯、萌芽多、根系發達、無病蟲害的株種做為霍山石斛的 培養幼苗。
[0017] (3)將株種以3株一叢種植在按比例配好的栽培基質上，叢與叢之間相距30釐米， 株與株之間也要給予適當的空間使其自然伸展生長，基質將其根系全部覆蓋住為宜。
[0018] (4)栽植後要注意調節大棚內的溫度，霍山石斛最適宜生長的溫度為20度-32 度，採用大棚栽培，大棚溫度也應調在25?28°C之間；最適宜霍山石斛生長的光照強度為 5000-100001UX，採用大棚栽培，大棚要注意遮陰，調節光照強度，避免光照過強或光照不足 而影響霍山石斛幼苗的生長。
[0019] (5)澆水給栽培的石斛幼苗要注意加強對水分的控制，保持基質處於溼潤狀態，相 對水份控制在質含水量在40%?50%為宜度之間，移栽後7天內（幼苗尚未發新根）空氣 溼度保持在85 %左右，7天後，植株開始發生新根，空氣溼度保持在70 %?80 %，過幹影響 成活率，過溼容易爛根。栽種後的一個月施一次有機肥，幫助其茁壯成長，之後每隔兩個月 再施一次有機肥。
[0020] (6)定時給其修枝除草，在採收老莖時要將叢內的枯莖剪除，每年要除草2次，每 隔半年除草一次。
[0021] (7)病蟲害的預防，霍山石斛幼苗在生長期間容易發生煤汙病、腐爛病、炭疽病等， 要以預防為注，因此沒有發生嚴重的病蟲害前要用託布津稀釋或多菌靈液噴霧。
[0022] (8)採用大棚栽培，要3年採收一次，以栽培霍山石斛的當月進行，將無葉的莖條 和乾燥的莖剪下，留嫩去老。
[0023] 所述的有機肥是由25% -35%的人畜糞、20% -30%的水稻秸杆、20% -30%的花 生殼經發酵而成，預防病蟲害的託布津和多菌靈為，75 %託布津稀釋1000倍或50 %多菌靈 500倍液噴霧。
[0024]
【權利要求】
1. 一種霍山石斛栽培方法，採用遮蔭大棚進行栽培，其特徵在於包括以下步驟： (1) 採用木屑、碎石料、碎樹葉按照2 : 1 : 2的比例混合作為霍山石斛的栽培基質，在 使用木屑、碎石料、碎樹葉前均需要經過適當消毒滅菌後，再加入3%的納米碳、加入2%的 鑰酸銨、加入1 %的紅糖、加入4%氫氧化名品、加入3%酒精廢液，攪拌混合均勻； (2) 選種1年生的生長健壯、萌芽多、根系發達、無病蟲害的株種做為霍山石斛的培養 幼苗； (3) 將株種以3株一叢種植在按比例配好的栽培基質上，叢與叢之間相距30釐米，株與 株之間相隔20-25釐米使其自然伸展生長，基質將其根系全部覆蓋住為宜； (4) 栽植後要注意調節大棚內的溫度，霍山石斛最適宜生長的溫度為20-32 °C， 採用大棚栽培，大棚溫度也應調在25-28°C之間；最適宜霍山石斛生長的光照強度為 5000-100001UX，採用大棚栽培，大棚要注意遮陰，調節光照強度，避免光照過強或光照不足 而影響霍山石斛幼苗的生長； (5) 澆水給栽培的石斛幼苗要注意加強對水分的控制，保持基質處於溼潤狀態，相對水 份控制在質含水量在40%?50%之間為宜，移栽後7天內（幼苗尚未發新根）空氣溼度保 持在85 %左右，7天後，植株開始發生新根，空氣溼度保持在70 %?80%，過幹影響成活率， 過溼容易爛根。栽種後的一個月施一次有機肥，幫助其茁壯成長，之後每隔兩個月再施一次 有機肥； (6) 定時給其修枝除草，在採收老莖時要將叢內的枯莖剪除，每年要除草2次，每隔半 年除草一次； (7) 病蟲害的預防，霍山石斛幼苗在生長期間容易發生煤汙病、腐爛病、炭疽病等，要以 預防為注，因此沒有發生嚴重的病蟲害前要用託布津稀釋或多菌靈液噴霧； (8) 採用大棚栽培，要3年採收一次，以栽培霍山石斛的當月進行，將無葉的莖條和幹 燥的莖剪下，留嫩去老。
2. 如權利要求1所述的霍山石斛栽培方法，其特徵在於，所述的有機肥是由25%-35% 的人畜糞、20% -30%的水稻秸杆、20% -30%的花生殼經發酵而成。
3. 如權利要求1所述的霍山石斛栽培方法，預防病蟲害的託布津和多菌靈為，75%託 布津稀釋1000倍或50%多菌靈500倍液噴霧。
【文檔編號】A01G31/00GK104285773SQ201410627917
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年11月11日 優先權日:2014年11月11日
【發明者】蔣麗紅 申請人:蔣麗紅