一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法

2023-12-06 08:12:41 1

專利名稱：一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體裝置的製造方法，特別涉及一種去除氧化物-氮化物 -氧化物層的方法。
背景技術：
在快閃記憶體的製造過程中，在蝕刻的時候，由於底部多晶介電質的側部的氧化
物-氮化物-氧化物(ONO)不容易被清除乾淨，這樣很容易形成ONO圍籬(ONO Fence),如圖1所示，由於有ONO Fence的存在，會對底部的多晶介電質產生 一種保護，從而產生多晶介電質殘留。多晶介電質殘留會嚴重影響產品的合格 率。

發明內容
本發明提出了一種移除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，以便有效去除蝕 刻時殘留的多晶介電質，增加產品合格率。
鑑於上述目的，本發明提出了一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，包
括以下步驟
步驟l，在基底上沉積底層多晶介電質， 步驟2，再沉積氧化物-氮化物-氧化物層，
步驟3，對氧化物-氮化物-氧化物層進行蝕刻，去除部分氧化物-氮化物-氧
化物層，
步驟4，再沉積頂層多晶介電質，對頂層多晶介電質和底層多晶介電質進行 蝕刻。作為優選，上述底層多晶介電質為單級階梯狀。
作為優選，上述多晶介電質為多晶矽，上述氧化物-氮化物-氧化物層為氧化 矽-氮化矽-氧化矽層。
利用本發明的方法蝕刻，可以有效地清除ONO，避免ONO Fence的形成， 提高產品合格率，使後續製造變得容易。
下面結合附圖，對本發明的具體實施方式
作進一步的詳細說明。對於所屬 技術領域的技術人員而言，從對本發明的詳細說明中，本發明的上述和其他目 的、特徵和優點將顯而易見。


圖1為現有技術中的薄膜結構蝕刻示意圖。
圖2為本發明 一較佳實施例的底部多晶介電質和氧化物-氮化物-氧化物示意圖。
圖3為本發明一較佳實施例的最終形成的薄膜結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明所述的移除氧化物-氮化物-氧化物層 的方法作進一步的詳細說明。
如圖2所示，首先在基底14上形成底部多晶介電質13，該多晶介電質可以 是多晶矽，而後在底部多晶介電質13上形成氧化物-氮化物-氧化物層(ONO 層)12，該氧化物-氮化物-氧化物層可以是氧化矽-氮化矽-氧化矽層，其中底部多 晶介電質13為多個單階梯狀，底部多晶介電質13上的ONO層12也是單階梯 狀，由於傳統的製造方法中，在沉積頂部多晶介電質ll後才進行蝕刻，而多晶 介電質蝕刻時對ONO的選擇比較高，因此ONO蝕刻時對多晶介電質的選擇比 基本上是1比1，這就使得蝕刻過後，底部多晶介電質13在低處會形成ONO 圍籬fence,圍籬fence處有可能形成多晶介電質的殘留，而本發明在沉積ONO 層12之後，便進行蝕刻，首先蝕刻部分ONO層，蝕刻的部分ONO層的區域與 蝕刻的底部多晶介電質13和頂部多晶介電質11的區域是一樣的，從而在生成單元門(cell gate)的時候不會存在ONO Fence,從而減少甚至避免因多晶介電 質的殘留而使電路失效。在進行ONO蝕刻時，採取相應的設備和方法，而後再 沉積頂部多晶介電質ll，如圖3所示，之後進行單元門蝕刻時，由於應當蝕刻 的ONO層已被蝕刻，僅需蝕刻底部多晶介電質13和頂部多晶介電質11，不會 產生多餘的多晶介電質殘留。採用此種方法，可以有效地去除ONO,避免後續 製造的困難。
以上所述僅為本發明的較佳實施例，並非用來限定本發明的實施範圍；如 果不脫離本發明的精神和範圍，對本發明進行修改或者等同替換的，均應涵蓋 在本發明的權利要求的保護範圍當中。
權利要求
1. 一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，其特徵在於包括以下步驟步驟1，在基底上沉積底層多晶介電質，步驟2，再沉積氧化物-氮化物-氧化物層，步驟3，對氧化物-氮化物-氧化物層進行蝕刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物層，步驟4，再沉積頂層多晶介電質，對頂層多晶介電質和底層多晶介電質進行蝕刻。
2. 根據權利要求1所述的一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，其特徵在於上述底層多晶介電質為單級階梯狀。
3. 根據權利要求1所述的一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法,其特徵在於上述多晶介電質為多晶矽，上述氧化物-氮化物-氧化物層為氧化矽-氮化 矽-氧化矽層。
全文摘要
本發明提出了一種去除氧化物-氮化物-氧化物層的方法，包括以下步驟步驟1，在基底上沉積底層多晶介電質，步驟2，再沉積氧化物-氮化物-氧化物層，步驟3，對氧化物-氮化物-氧化物層進行蝕刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物層，步驟4，再沉積頂層多晶介電質，對頂層多晶介電質和底層多晶介電質進行蝕刻。利用本發明的方法蝕刻，可以有效地清除ONO，避免ONO Fence的形成，提高產品合格率，使後續製造變得容易。
文檔編號H01L21/02GK101414556SQ20071018202
公開日2009年4月22日 申請日期2007年10月17日 優先權日2007年10月17日
發明者張建偉, 海 曾, 李秋德, 洪文田 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司