金屬拋光液和拋光方法
2023-12-05 17:08:26
/>其中，在所述式(I)中，R1表示含1至4個碳原子的烷基，並且R2表示含1至4個碳原子的亞烷基。2.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述由式(I)表示的胺基酸衍生物是選自由N-甲基甘氨酸、N-甲基丙氨酸和N-乙基甘氨酸組成的組中的至少一種。3.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是陰離子表面活性劑。4.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是磺酸或磺酸鹽。5.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含芳基。6.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含苯基。7.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑包含烷基。8.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是垸基二苯醚一磺酸或烷基二苯醚一磺酸鹽。9.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是烷基二苯醚二磺酸或烷基二苯醚二磺酸鹽。10.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是烷基二苯醚一磺酸或烷基二苯醚一磺酸鹽與烷基二苯醚二磺酸或烷基二苯醚二磺酸鹽的混合物。11.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是非離子表面活性劑。12.根據權利要求ll所述的金屬拋光液l，其中所述表面活性劑是有機矽表面活性劑。13.根據權利要求12所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是聚醚改性的有機矽表面活性劑，所述聚醚改性的有機矽表面活性劑在其側鏈或末端具有醚鍵。14.根據權利要求12所述的金屬拋光液，其中所述表面活性劑是HLB值為8以上但小於20的聚醚改性的有機矽表面活性劑。15.根據權利要求1所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液還包含氧化劑。16.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述金屬拋光液的pH為4至11。17.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中所述金屬拋光液的表面張力小於55mN/m。18.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中當將所述表面活性劑的含量調節至3x10—3質量％時，表面張力小於55mN/m。19.根據權利要求18所述的金屬拋光液，其中當將所述表面活性劑的含量調節至3x10—3質量％時，所述表面張力小於50mN/m。20.根據權利要求1所述的金屬拋光液，其中鐵離子的濃度小於1ppm。21.根據權利要求20所述的金屬拋光液，其中所述鐵離子的濃度小於0.3ppm。22.根據權利要求1所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液含有具有三個或更多個氮原子的芳族雜環化合物。23.根據權利要求22所述的金屬拋光液，其中所述芳族雜環化合物是選自由三唑和三唑衍生物、四唑和四唑衍生物以及苯並三唑和苯並三唑衍生物組成的組中的至少一種化合物。24.根據權利要求1所述的金屬拋光液，所述金屬拋光液還包含選自由二氧化鈰顆粒、二氧化矽顆粒、氧化鋁顆粒和有機-無機複合顆粒組成的組中的至少一種磨料粒。25.—種在半導體器件的製造過程中的化學和機械拋光方法，所述方法包括通過使用根據權利要求1的金屬拋光液，將具有銅或銅合金的導體膜的襯底拋光。26.根據權利要求25所述的拋光方法，其中通過使附著到拋光壓磨板上的拋光墊和要被拋光的表面相對於彼此移動，同時將所述金屬拋光液供給到所述拋光墊上，將所述要被拋光的表面拋光。全文摘要一種金屬拋光液，其在半導體器件的製造過程中用於銅或銅合金的導體膜的化學機械拋光，所述金屬拋光液包含(1)由式(I)表示的胺基酸衍生物；和(2)表面活性劑，其中在所述式(I)中，R1表示含1至4個碳原子的烷基，並且R2表示含1至4個碳原子的亞烷基。文檔編號B24B37/00GK101275057SQ20081008735公開日2008年10月1日申請日期2008年3月21日優先權日2007年3月30日發明者富賀敬充,山田徹,松野孝洋,稻葉正,菊池信,高橋和敬申請人:富士膠片株式會社