光記錄介質和光記錄方法

2023-11-02 23:27:47

專利名稱：：光記錄介質和光記錄方法
技術領域：
：本發明涉及一種具有相變記錄層的高密度光記錄介質如DVD+RW、DVD-RW、BD-RE、HDDVDRW以及該光記錄介質的記錄方法。
背景技術：
：電子信息容量的增加已很顯著，而且由於處理大量數據的記錄裝置需要更多的記錄時間，因此需要能夠更快記錄的光記錄介質。特別地，盤形光記錄介質的提速已在增加，因為轉速可以提高記錄和再現速度。在這種光記錄介質中，具有筒單的記錄機制的那些已變得普遍，因為它們能夠使光記錄介質和記錄裝置的價格降低，所述簡單的記錄機制為僅利用記錄期間照射光的強度調製來進行記錄。僅在槽中記錄的光記錄介質也變得很普遍，因為它能保證與光學只讀裝置的高兼容性。例如在專利文獻l中公開的常身見槽記錄中，形成記錄標記，使得該標記在槽寬度上延伸以滿足DVD-ROM的調製標準，即"調製M〉0.6，其中調製M二(最大反射率-最小反射率)/最大反射率。該實例中，記錄速度是DVD基準速度的2.4x，其中2.4x速度約為8.4米/秒。在這種低的記錄速度的情況下，光束的掃描速度較小，即使記錄標記的寬度大於槽寬度，也能獲得足夠的擦除比，因為結晶利用來自通過的光束的餘熱進行。在僅在槽中記錄的光碟中，光記錄介質如CD-RW、DVD+RW和DVD-RW已經作為使用可重寫的相變介質的光記錄介質付諸實際應用，並且已為各種介質開發了可高速記錄的光記錄介質。此外，包括允許較大容量記錄的藍光光碟、可以通過藍色雷射二極體(LD)進行更大容量記錄的光碟系統已經付諸實際使用，並且可預期對這種光碟系統的提速。在上迷可重寫DVD中，DVD+RW已經標準化到8x速度(約28米/秒)、DVD-RW標準化到6x速度(約21米/秒)、並且Blu射線盤標準化到2x速度(約9.84米/秒)。已期待對提速的進一步開發。到現在為止，相變光記錄介質的提速已經通過將具有高結晶速度的材料用於記錄層或通過與保護層結合來提高結晶化速度而實現。然而，已經了解到，對應於超過8x速度的DVD的快速記錄速度，光記錄介質的結晶速度的提高會引起如下所述的各種負面影響。第一點是，在記錄過程中大晶體在非晶標記中生長，表觀標記長度短於預定的，導致再現(reproducing)中的誤差。如圖1A-1C中所示，當在高結晶速度的光記錄介質上進行記錄時，依賴於記錄條件在標記中發生異常晶體生長。已知的是，異常的晶體生長導致再現信號的失真(distortion)並增加誤差。此處，圖1A是表示異常再結晶區域的示意圖；A和C代表正常標記，而B是具有異常再結晶區域的標記。此外，圖1B顯示了標記A至C的再現信號，圖1C顯示了二進位化(binarization)後標記A至C的再現信號。該誤差傾向於隨著可記錄速度的提高而增加。該問題的可能對策是在低速區域解決該問題而不大量地增加記錄層中的結晶速度，以及開發改善較高速度區域的記錄特性的記錄方法。然而，從相變記錄的原理可容易地推斷出，低結晶速度下的高速記錄抑制了記錄標記形成期間的晶體生長速度並且拓寬了作為非晶態層的記錄標記，並發生上述問題。因此認為，難以既實現高速度的記錄又實現寬範圍的可記錄速度。此外，專利文獻2公開了作為嘗試通過改變寫入策略的時間常數來實現具有寬範圍記錄速度的足夠的重寫性能的實例。這種情況中，通過拓寬記錄標記而進行了嘗試。此外，在專利文獻3公開的方法中，在較高速度下蓋寫變得困難且具有不足的記錄速度範圍的問題。第二點是所謂的交叉光，其中已記錄的非晶標記被在相鄰道內進行的記錄部分再結晶。具有高結晶速度的光記錄介質容易再結晶，因此應該分配足夠的熔化區域以便足夠大小的非晶標記即使在再結晶的情況下也能被記錄。為此，應該」提高LD的功率，存在的問題是LD傾向於不必要地加熱相鄰道並使已記錄的非晶態標記的一部分結晶。第三點的問題是用相當於常規低速光記錄介質的記錄條件進行低速記錄是不可能的。換句話說，不能保持向後的兼容性。即使對DVD來說實現了超過8x速度的記錄，也存在問題，即犧牲了使用者的方便，除非可以使用8x速度的常規驅動器。還沒有實現用於更高速記錄的光碟系統，其不具有因異常的再結晶而使誤差增加和因交叉光而使抖動增加的問題且保持向後的兼容性，即使用常規的低速記錄驅動器仍保持在低速下在相同光記錄介質中進行記錄。目前，需要立即提供這種光碟系統。通常，高反射率的晶相被認為是非記錄態，由低反射率的非晶相組成的標記和由高反射率的晶相組成的間隙是通過對施加的雷射束進行強度調製來形成，並用相變記錄材料將信息記錄在光碟上。圖2顯示了記錄中雷射束照射圖案的實例。由非晶相組成的標記可由反覆的、交替的峰值功率(PP=PW)和偏壓功率(Pb)的脈衝照射來形成。由晶相組成的間隙由具有上述功率的中等強度的擦除功率(Pe)連續照射來形成。當照射由峰值功率和偏壓功率組成的脈衝序列時，在記錄層中反覆進行熔化和驟冷，從而形成非晶標記。當照射擦除功率時，將記錄層熔化，然後退火或保持其固體狀態的同時退火以進行結晶，從而形成間隙。圖2是1T寫入策略的實例，其中形成非晶標記的脈沖周期為1T(T代表基準時鐘周期)。2T寫入策略用於更高速的記錄，其中脈衝周期為2T。如上所述，為了形成非晶標記，有必要熔化記錄層一次。因為在高速記錄中縮短了照射峰值功率的時間，所以需要較高的功率。然而，由於雷射二極體(LD)的輸出功率有限，所以因功率不足而不能形成有利的標記。因此，對用於高速記錄的記錄層材料來說，較低的熔點是必要的。已經提出了各種滿足上述需要的相變記錄材料。其中，已知Ag-In-Sb-Te材料作為具有優異的重寫性能的材料並被廣泛用於CD-RW和DVD+RW。Ag-In-Sb-Te材料是通過將Ag和In引入作為包含63原子％-83原子％的Sb的Sb-Te二元體系固溶體的Sb-Te5相中製成。具有各種附加元素的Sb-TeS體系通常能夠通過增加Sb的組成比來提高結晶速度，因此能夠對應於高速記錄。這種Sb-TeS相的缺點在於，它具有12(TC-130。C的低結晶溫度。因此，有必要引入如Ag、In和Ge的元素以將結晶溫度提高到160。C-180。C來改善非晶標記的穩定性。這能夠形成適合於在高達約4x速度下進行高速DVD記錄的記錄層。為了對例如相當於DVD的8x速度或更快的高速記錄進一步提速，必須提高Sb組分，以改善結晶速度。然而，提高Sb組分傾向於使初始化變難，導致初始化後反射率不均勻。這樣增加了噪音，且不能實現低抖動的有利記錄。此外，Sb的增加進一步降低了結晶溫度，所以它沒有幫助，反而增加添加劑的量。添加劑的簡單增加也使初始化變難，導致噪音增加，且不能實現具有低抖動的有利記錄。換句話說，很難獲得具有Sb-Te5體系的記錄層，其滿足相當於DVD的8x速度的高速記錄的結晶速度、簡單的初始化和非晶標記的保存穩定性。考慮到該因素，已經建議將具有附加元素、以Sb為主要成分的促進非晶材料如Ga-Sb體系和Ge-Sb體系作為具有較高結晶速度和優異的非晶標記穩定性的Sb-Te5相的代替。Ga-Sb和Ge-Sb兩者都具有富含Sb組成的共晶點，其中Sb的成分超過80原子。/。，具有它們的共晶點附近的組成的這些材料可用作高速記錄材料。與Sb-Te5相體系類似，Sb組分的增加能加速結晶。因為結晶在180。C左右，非晶標記的穩定性優異而不用添加其它元素。然而，這些共晶點為59(TC左右，高於Sb-Te5相體系55(TC的共晶點，記錄功率可能不足。此外，根據本發明的發明人的研究，高熔點的材料容易在初始化後反射率不均勻。因此，最終初始化後噪音也增加，進行具有低抖動的有利記錄是困難的。其原因並不清楚，但通過簡單地增加初始化功率並不能解決。因此，較低的熔點是有利的。本發明的發明人研究了Sb組分68原子％、低共晶點約49(TC的In-Sb體系並發現該In-Sb體系是結晶速度高、初始化後發射率不均勻性小和非晶標記穩定性優異的材料。然而，進一步的研究表明，儘管其有優異的非晶相穩定性，但該In-Sb體系具有低結晶穩定性的缺點。例如，圖3A和3B中的波形圖顯示了在80。C的溫度下進行100小時的保存試驗前(圖3A)和後(圖3B)的組成接近其共晶組成的In-Sb合金非記錄部分(晶體部分)的反射率降低。保存試驗結果表明反射率降低了10%或更多，並有該介質不滿足標準的風險。此外，在反射率降低的條件下記錄引起了嚴重劣化的抖動，從而不能進行有利的記錄。另一方面，專利文獻4針對In-Sb體系提出了一種合金，具有表示如下的組成seeoriginaldocumentpage8其中x和y表示原子%；x為40原子％-80原子％,且0原子％<y<30原子％。表示為M的元素的實例為Zn、Cd、Tl、Pb、Po、Li和Hg。而且，專利文獻5提出將微晶用作由20原子％-60原子％的In和40原子0/0-80原子％的Sb組成的記錄薄層。另外，作為添加到該記錄薄層中的元素，給出了Al、Si、P、S、Zn、Ga、Ge、As、Se、Ag、Cd、Sn、Te、Ti、Pb和Bi。而且，專利文獻6提出使用一種合金，其具有表示如下的組成In50—xSb50—xM2x其中0原子。/cKx<5原子％。該合金中表示為M的元素的實例為Bi、Cd、P、Sn、Zn和Se，In與Sb的組成比限定為1/1。而且，專利文獻7提出使用作為記錄層的一種合金，其具有表示如下的組成(M100-xSbx)100-ylny其中x和y表示原子。/。；x為20原子％-80原子％，且y為2原子。/。-50原子％。該合金中表示為M的元素的實例為Zn、Cd、Hg、Tl、Pb、P、As、B、C和S。M的量較大，在M的最小量即x=20原子％且y=50原子％的情況下，Sb的組成為40原子％，In的組成為50原子％。而且，專利文獻8提出使用作為記錄層的一種合金的結晶層，其具有表示:feo下的糹且成(In100-xSbx)ioo-yMy其中x和y表示原子。/。；50原子％≤X≤70原子％,且0原子。/。≤y≤20原子％。該合金中表示為M的元素的實例為Al、Si、P、Zn、Ga、Ge、As、Se、Ag、Cd、Sn、Te、Tl、Bi、Pb、Mo、Ti、W、Au、P和Pt。在上述組成式中，In的比率為24原子％-70原子％。然而，考慮到20世紀80年代，提交這些申請的大致年代即1984-1987年的技術水平，上述專利文獻4-8並沒有考慮在目前DVD的最短標記長度為0.4pm或更低的情況下具有能形成極小標記的層組成的光記錄介質。當然它們不會考慮與DVD和藍光光碟的高速記錄的適應性，並且它們既沒有公開也沒有暗示任何具體細節。專利文獻1:日本公開未審專利申請(JP-A)No.2002-2370969專利文獻2JP-ANo.2003-16643專利文獻3日本專利(JP-B)No.3572068專利文獻4JP-ANo.63-79242專利文獻5日本專利公開(JP-B)No.04-1933專利文獻6JP-ANo.63-206922專利文獻7JP-ANo.63-66742專利文獻8JP-ANo.63-155440
發明內容本發明旨在提供一種光記錄介質和光記錄方法，其能夠實現可以進行高速記錄的光碟系統，其中所述光碟系統能夠在沒有以下問題的情況下進行記錄，所述問題例如因異常再結晶引起的誤差增加和因交叉光引起的抖動增加，並且可以在高速記錄的同時保持向後的兼容性，從而在低速記錄的驅動器中可以在相同的光記錄介質上進行低速記錄。此外，本發明提供了用於高密度記錄的光記錄介質，其中所述光記錄介質能夠在8x速度或更快速度下與DVD兼容或在4x速度或更快速度下與藍光光碟兼容，且所述光記錄介質包括重寫性能優異的相變記錄層並提供穩定的非晶相和晶相以及簡單的初始化。解決上述問題的方法如下。即一種光記錄方法，包括以下步驟使光照射到包括具有導向槽的基底並至少包括在該基底上的相變記錄層的光記錄介質上，以及從光的入射方向觀測，對應於該槽的凸起部分或凹入部分的任一種，在該相變記錄層上記錄非晶相的標記和晶相的間隙，其中，通過標記長度記錄法記錄信息，並且標記和間隙的臨時長度表示為nT,其中T表示基準時鐘周期，且n表示自然數；所述間隙至少由照射功率Pe的擦除脈衝來形成；所有4T或更大長度的標記是由交替照射功率Pw的加熱脈衝和功率Pb的冷卻脈衝且Pw〉Pb的多脈沖而形成的；並且Pe和Pw滿足下式0.15《Pe/Pw《0.4,且0.4<tw/(tw+tb)<0.8,其中，tw表示加熱脈沖的長度之和，且Tb表示冷卻脈沖的長度之和。—種光記錄方法，包括以下步驟使光照射到包括具有導向槽的基底並至少包括在該基底上的相變記錄層的光記錄介質上，以及從光的入射方向觀測，對應於該槽的凸起部分或凹入部分的任一種，在該相變記錄層上記錄非晶相的標記和晶相的間隙，其中，通過標記長度記錄法記錄信息，並且標記和間隙的臨時長度表示為nT，其中T表示基準時鐘周期，且n表示自然數；所述間隙至少由照射功率Pe的擦除脈沖來形成，且所述標記可由照射功率Pw的加熱脈衝來形成，lPw>Pb;並且Pe和Pw滿足下式0.15《Pe/Pw<0.5。根據和任一項的光記錄方法，其中，當用波長640nm-660nm的雷射束進行記錄和再現時，在10x速度或更快的基準速度下進行記錄，以及當用波長400nm-410nm的雷射束進行記錄和再現時，在4x速度或更快的基準速度下進行記錄。根據至任一項的光記錄方法，其中，進行記錄，4吏得徑向上兩相鄰道上的標記之間的平均最小距離大於道間距的一半。<5〉根據至任一項的光記錄方法，其中，最長標記的調製M滿足下式0,35<M《0.60。—種光記錄方法，包括將對應於根據至任一項的光記錄方法的信息預先記錄在其基底上。<7〉一種光記錄介質，包括具有導向槽的基底並至少包括在該基底上的相變記錄層，其中所述光記錄介質的旋轉線速度是變量，並且對應於在光記錄介質上用拾取頭(pick-uphead)以連續光照射測得的反射率開始下降的點的過渡線速度(transitionlinearvelocity)為5米/秒至35米/秒；並且所述相變記錄層包括由以下組成式(1)表示的相變材料(Sb100-xInx)100-yZny…組成式(1)其中，組成式(l)中，x和y表示各個元素的原子百分比；10原子％≤x≤27原子。/。，且1原子％y≤10原子％。—種光記錄介質，包括具有導向槽的基底和在該基底上的至少一個相變記錄層，其中所述光記錄介質的旋轉線速度是變量，並且對應於在光記錄介質上用拾取頭以連續光照射測得的反射率開始下降的點的過渡線速度為5米/秒至35米/秒；並且所述相變記錄層包括由以下組成式(2)表示的相變材料seeoriginaldocumentpage12其中，組成式(l)中，x、y和z表示各個元素的原子百分比；0原子%《2《25原子％，10原子％≤x≤27原子。/。，且l原子％≤y《10原子％。根據至任一項的光記錄介質，保護層、相變記錄層、第二保護層和反射層。根據至任一項的光記錄介質，其中所述相變記錄層具有6nm至22nm的厚度。根據至l/2.Ltp。圖7A是表示用於由標記和間隙組成的重寫數據的1T寫入策略的實例的示意圖。圖7B是表示圖7A的脈沖發射條件的示意圖。圖8是表示2T寫入策略實例的示意圖。圖9A是表示寫入策略實例以及再結晶區域與小數值T;w/(Tw+Tb)W非晶標記之間關係的示意圖，其中，對於具有4T或更大長度的每個標記長度來說，T^表示加熱脈沖Pw的照射周期之和，Tb表示加熱脈沖Pw的照射周期之和，且Tw/(TW+Tb)的數值是可變的。圖9B是表示大數值Tw/(Tw+Tb)情況下的示意圖。圖10是表示塊寫入策略(blockwritestrategy)實例的示意圖。圖IIA是表示當用圖10的寫入策略進行記錄時再結晶區域和非晶標記之間的關係以及表示形成淚滴形標記狀態的示意圖。圖IIB是表示當用圖10的寫入策略進行記錄時再結晶區域和非晶標記之間的關係以及表示即使用長的脈沖也能獲得有利形狀標記的狀態的示意圖。圖12是表示本發明的塊寫入策略實例的示意圖。圖13是表示本發明的另一塊寫入策略實例的示意圖。圖14是表示本發明的又一塊寫入策略實例的示意圖。圖15是表示本發明的再一塊寫入策略實例的示意圖。圖16是表示本發明的光記錄介質實例的示意圖，展示了DVD+RW、DVD-RW和HDDVDRW。圖17是表示本發明的光記錄介質實例的示意圖，展示了藍光光碟。圖18是表示以2T寫入策略、6x速度的記錄速度和通過改變記錄功率來調節調製的情況下再現中的誤差率評價結果的示意圖。圖19是表示實施例A-19中10次重寫後t:w/(tw+Tb)和抖動cj/Tw之間關係的示意圖，其中；表示加熱脈衝的長度之和，Tb表示加熱脈衝的長度之和。圖20是表示實施例A-21中IO次重寫後獲得最小值抖動時的抖動數值的示意圖。圖21是表示實施例A-24和比較例A-14到A-15中抖動與調製之間關係的示意圖。圖22是表示實施例A-24和比較例A-14到A-15中抖動與調製之間關係的示意圖。圖23是表示Sb(In+Sb)與反射率下降(△%)之間關係的示意圖。圖24是表示在實施例B-14所用的標記形成過程中無冷卻脈沖的寫入策略的示意圖。具體實施方式(光記錄方法)本發明的光記錄方法將光照射到包括具有導向槽的基底和在該基底上的至少一個相變記錄層的光記錄介質上，並且從光的入射方向觀測，對應於該槽的凸起部分或凹入部分的任一種，將非晶相的標記和晶相的間隙記錄在該相變記錄層上，通過標記長度記錄法記錄信息並將標記和間隙的臨時長度表示為nT，其中T表示基準時鐘周期，n表示自然數。在第一方面，所述間隙至少由功率Pe的擦除脈衝來形成，所有4T或更大長度的標記由交替照射功率Pw的加熱脈衝和功率Pb的冷卻脈沖且Pw〉Pb的多脈衝形成；並且Pe和Pw滿足下式0.15《Pe/Pw<0.4,且0."Tw/(i;w+"cb)《0.8,其中，Tw表示加熱脈沖的長度之和，Tb表示冷卻脈沖的長度之和。在第二方面，所述間隙至少由照射功率Pe的擦除脈沖來形成，所述標記由照射功率Pw的加熱脈衝來形成，且Pw〉Pe;並且Pe和Pw滿足下式0.15《Pe/Pw《0.5。下文通過說明本發明的光記錄方法來揭示本發明的光記錄介質的詳情。首先，為了形成能夠用其進行高速重寫的光記錄介質，通常將具有快速結晶速度的相變材料用於記錄層，或者通過與保護層結合來加速結晶速度。當結晶很快時，可以高速地擦除非晶標記，並且可以高速重寫。然而，結晶速度不能大幅提高，因為根據高速記錄的提高的結晶速度引發上述問題。此外，當光記錄介質的結晶速度不足時，非晶標記的殘留部分保留在高速記錄中，導致再現誤差。實際用作相變光記錄介質記錄層的材料主要可分為Te為主要組分的材料和Sb為主要組分的其它材料。包括DVD+RW和DVD-RW在內的僅在槽中進行記錄的光碟系統使用Sb為主要組分的記錄層。Sb為主要組分的記錄層可以提供較筒單的層組成的情況下的有利的重寫性能，以及與只讀光學設備的高兼容性。對於非晶態的結晶過程來說，在Te為主要組分的材料中，成核是主導的，而在Sb為主要組分的材料中，非晶區或者熔化區與結晶區的邊界的晶體生長為主導。因此，採用Sb為主要組分的記錄層，對於大的非晶標記來說完全結晶所需的時間長，而對小的標記來說所需時間短。因此，在沒有必要將結晶加速到引起各種問題的速度的情況下，通過使用特定的光記錄方法並通過記錄窄的非晶標記可實現速度和有利的重寫性能。此處，DVD中，槽(groove)是指在入射光的方向上導向槽的凸起部分，而平地(land)為凹進部分。此外，在具有藍色LD的光碟系統中，存在槽為凹進部分而平地為凸起部分的情況。在任何情況下，本發明的槽中的記錄是指在記錄層中對應於導向槽的凸起部分和凹下部分的任一種進行記錄。-結晶速度和記錄速度之間的關係-作為結晶速度的又一性能，可使用過渡線速度的數值。過渡線速度可用通常用於評估記錄和再現性能的裝置，PulstecIndustrialCo.，Ltd.製造的DDU-1000和ODU-1000進行測量。過渡線速度可通過在以恆定線速度旋轉光記錄介質時，照射足以熔化所述記錄層的強度的圓形雷射束後測量反射率而獲得。在使連續照射的光的功率保持恆定的同時，用不同的旋轉線速度反覆相同的測量，反射率在某一線速度下或之上開始下降，而在低的線速度下反射率仍保持較高。該反射率開始下降處的線速度被稱為過渡線速度。這表示在圖4中。該圖中，在相對於線速度反射率幾乎恆定的部分和反射率下降的部分繪製直線，交叉點被確定為過渡線速度。在低於過渡線速度的線速度下熔化後，記錄層處在被完全再結晶的狀態下。在過渡線速度之上的線速度，熔化後記錄層不能完全再結晶，並且記錄層部分保持為非晶相。過渡線速度不僅由記錄層的結晶速度確定，而且由連續照射光的功率和包含於光記錄介質中的層厚度來確定，即由光學條件和熱學條件確定。當用波長為650士10nm且數值孔徑為0.65±0.01的拾取頭照射表面功率為15士lmW的連續光時，由上述記錄層組成的結構和光記錄介質的上述層組成可獲得DVD的8x速度(約28米/秒)下的有利記錄，以使過渡線速度為21米/秒至30米/秒。1然而，當用與8x速度下所用的記錄方法相同的光記錄方法在相同的光記錄介質上在更高的線速度如DVD的10x速度(約35米/秒)和12x速度(約42米/秒)下進行記錄時，由於相對於記錄速度的低結晶速度，非晶標記的殘留部分保留下來，並且不能實現有利的重寫性能。因此認為，具有超過30米/秒的過渡線速度的光記錄介質對於在1Ox速度或更高下的重寫是必需的。然而，如上所述，例如異常再結晶顆粒的出現和交叉光的缺陷變得明顯，僅通過使用具有高過渡線速度的光記錄介質並不能實現有利的重寫性能。考慮到這一因素，用特定的記錄方法在具有相當於8x速度下過渡線速度的21米/秒至30米/秒的過渡線速度的光記錄介質上進行記錄，以使所記錄的非晶標記較窄，並且即使在10x速度或更大下也獲得有利的重寫性能。此外，所述光記錄介質具有與用於8x速度記錄的相同的線速度，並且在可以用常規記錄驅動器進行記錄的高達8x速度下都保持了向後的兼容性。需要注意的是，即使在低速下也能記錄窄標記，或者記錄僅在徑向位置限定的線速度區域進行，因為當將窄標記蓋寫在具有以常規方法記錄的寬標記的部分上時不能實現有利的性能。在本發明的光記錄方法中，當用波長為640nm-660nm的雷射束進行記錄和再現時，優選在10x速度或更大下進行記錄，更優選在10x速度到16x下。此處，基準速度，即lx速度，為大約3.5米/秒。此外，能夠通過波長為405士5nm的雷射二極體進行較高密度記錄的光碟系統如藍光光碟和HDDVDRW也使用僅在槽中記錄的方法。對於藍光光碟，基準速度(lx速度)為4.92米/秒，而對於HDDVDRW為6.61米/秒，每種都已實際應用或發展到高達lx速度到2x速度。類似的光記錄方法也可被有效地應用於這些光學系統的高速記錄中。當用5mW-6mW的表面功率測量過渡線速度時，通過在15米/秒-19米/秒範圍內的光記錄介質的4x速度下，用變窄的標記應用光記錄方法，能夠獲得有利的重寫性能。在本發明的光記錄方法中，當用波長為400nm-410nm的雷射束進行記錄和再現時，優選在4x速度或更大下進行記錄，更優選在4x速度到8x速度下進行記錄。-標記寬度和調製-非晶標記的寬度可通過檢測最長標記的調製M來判斷。當信號記錄方法為EFM+調製時，調製M可表達為(I14H-I14L)/I14H，其中114H是作為最長信號的14T間隙的反射率，且I14L是14T標記的反射率。當調製M大時，標記較寬。當調製M小時，標記較窄。從與ROM的再現的兼容性來看，調製M較大。對於DVD+RW來說，能在高達4x速度下記錄的光記錄，它優選為0.60，能在高達8x速度下記錄的光記錄介質，它優選為0.55或更大。本發明中，調製M優選為0.35-0.60。當調製M小於0.35時，因為甚至從初始記錄起就不能進行記錄和再現，所以抖動和誤差會增加。當調製M超過0.60時，即使第一次記錄是有利的，抖動和誤差也會由於作為殘留部分的標記而在重寫中增加。在可進行8x速度記錄的光記錄介質上，進行記錄以使得調製M為0.63，並在透射電子顯微鏡(TEM)下觀察該光記錄介質。觀察結果表明，如圖5所示，在用於僅在槽部分中記錄的光記錄介質如DVD+RW和DVD-RW上的非晶標記，其寬度要大於槽寬度。通常，平地寬度與槽寬度的比為1:1,所以道間隙Ltp、徑向上相鄰兩道中標記之間的距離Lrm、以及Lrm的平均值A(Lrm)具有A(Lrm)1/2.Ltp的關係下進行記錄，即使在DVD的10x速度(大約35米/秒)到12x速度(大約42米/秒)的速度下的高速重寫中，也可以完全結晶，並且可以進行有利的重寫。然而，圖6中實例的調製較小在約0.5。儘管沒有用TEM檢查標記寬度，發現除了圖6中的實例，當進行記錄使得最長標記的調製M為0.35-0.60時，可以在高速下獲得有利的重寫性能。誤差率可能在標記的較小調製的情況下如上所述增力口，但因為再現裝置通過探測器如光二極體電子轉換和讀取標記的光學調製，所以調製的電動態範圍是重要的。當反射率較小時，即使調製較大，也會存在由於電信號的小的絕對值難以分配動態範圍而引起誤差率的可能增加。另一方面，儘管調製較小，但當光記錄介質整體上的反射率較大時，由於信號的絕對值，對應於調製的電信號的動態範圍可得以加寬。在DVD系統中，根據雙層的ROM、DVD+RW和DVD-RW的標準，最小反射率為18%，當調製和反射率的積設定恆定時，在轉變成電子信號後保證了相同寬度的動態範圍。因此，在DVD系統中，當調製和反射率的積為0.18X0.60=0.108或更大時，能夠獲得相同的動態範圍並能抑制誤差率的增加。在本發明中，在標記窄於槽寬度的10x速度到16x速度的範圍內，調製為0.40-0.55時，27%或更大的反射率對於充分的性能是足夠的。此外，低反射率的光記錄介質在其沒有再現問題時無需滿足這一關係。然而，在這點上，對於可重寫DVD介質的最大反射率為30%或更小，因為光學再現裝置由於DVD系統的特性而難以確定是否高反射率光記錄介質是可重寫的還是只讀的。此外，使用藍色LD的光碟系統可以處理較低反射率的光記錄介質，對單層來說應該滿足最小反射率為0.05，對雙層來說應該滿足最小反射率為0.016。接下來，對記錄標記以保持窄的標記寬度的光記錄方法進行說明。通過使記錄層材料處於驟冷狀態和退火狀態來在將相變介質作為其記錄層的光碟上進行記錄。熔化後，記錄層材料在驟冷時變成非晶態，並且它在退火時結晶。非晶相和晶相的光性能是不同的，因此可將信息記錄和再現。也就是說，通過將雷射束照射到基底上的薄膜記錄層上來加熱記錄層並引發記錄層結構中晶相和非晶相之間的相變以改變盤的反射率，由此相變光記錄介質反覆地記錄信息。通常，高反射率的晶相代表非記錄的狀態，通過形成低反射率的非晶標記和高反射率的晶體間隙來記錄信息。通常，通過照射已將脈沖分成3個或更多的值的強度調製的記錄光來進行信息處理。圖7A顯示了用於重寫由標記和間隙組成的數據的記錄信號圖形即寫入策略的實例。非晶相的標記通過交替照射功率Pw的加熱脈沖和功率Pb的冷卻脈衝且Pw>Pb的多脈衝來形成。晶相的間隙通過照射中等強度的功率Pe的擦除脈衝來形成。當加熱脈衝和冷卻脈衝交替照射時，記錄層在熔化和驟冷之間交替以形成非晶標記。當照射擦除脈衝時，記錄層熔化然後退火，或記錄層在其處於固態下退火以結晶，從而形成間隙。圖7A是1T寫入策略的實例，其中形成非晶標記的脈衝周期為1T,此處T表示基準時鐘周期。2T寫入策略用於在具有高結晶速度的介質上的高速記錄或低速記錄，此處脈衝周期為2T。圖8表示2T寫入策略的實例。這是公開於JP-BNo.3572068中的光記錄方法的實例，其中通過交替照射m次功率Pw的加熱脈衝和功率Pb的冷卻脈沖來進行寫入光的強度調製，其中Pw〉Pb，對於偶數的n來說r^2m,對於奇數的n來說n-2m+l。已經公開的是，與用於例如4x速度DVD+RW的1T寫入策略相比，這種寫入策略使得可以對高達10x速度的記錄速度進行大範圍的調製。在槽中記錄的常規相變盤使用了具有高結晶速度的光記錄介質；因此，為了防止在記錄期間的再結晶的目的以及為了形成具有某一尺寸的非晶標記，為了保證足夠的冷卻時間而利用增加的加熱脈沖功率和縮短的照射時間來進行2T寫入策略是有利的。然而，現在已明了，使用沒有為冷卻分配長時間段的策略並且進一步使用不分配冷卻脈衝的塊寫入策略，即使是在使用了用於在DVD+RW的4x速度下記錄的1T寫入策略或2T寫入策略的情況下，對於在DVD的10x速度或更大下的高速記錄也是有效的。這是因為這些策略能夠在不增加標記寬度的情況下進行記錄。-IT寫入策略-1T寫入策略用圖7A中所示的1T寫入策略的實例來說明。這種寫入策略用於高達4x速度的較慢相變的光記錄介質如DVD+RW,並且它使用脈沖調製方法。在4x速度記錄中，基準周期Tw約為9.5納秒。當標準脈沖佔空的佔空比約為0.5時，用於熔化記錄層材料的加熱脈衝(Pw)以及用於將其冷卻並形成作為記錄標記的非晶層的冷卻脈沖(pb)的時間常數分別為4.25納秒。這種情況下，只要雷射束實際具有1.5納秒-2納秒的前邊緣和後邊緣，就保證了足夠的冷卻時間。然而，當將1T寫入策略用於12x速度的DVD+RW時，例如，在佔空比為0.5的情況下，加熱脈沖和冷卻脈沖的時間常數為大約1.6。因此，加熱脈衝和冷卻脈沖不能達到它們的設定值。這可從圖7B中脈沖發射的波形觀察到。當1T寫入策略用於在10x速度或更大下記錄時，由於與低速記錄相比Pw的上升時間不足，不能熔化足夠的區域，並且由於Pb的下降時間不足，再結晶進行較快。與熔化的區域有低的晶體生長速度的情況以及與應用2T寫入策略的情況相比，再結晶可更快地進行，結果，可減小非晶區域。因此，在高速記錄中可以獲得具有減小的記錄標記寬度和有利的擦除比即可進行重寫的調製的光記錄方法，這是本發明的主要目的。此處，對於長度為4T或更長的每個標記長度來說，^表示加熱脈沖Pw的照射周期之和，化表示冷卻脈衝Pb的照射周期之和，且Tw/(Tw+Tb)的值優選為0.4或更大。當Tw/(Tw+Tb)的值小於0.4時，顯然，上升時間對於加熱脈沖Pw來說不足，並且即使設高Pw的值也不能分配出足夠的熔化區域。此外，存在一種趨向，即在太大的Tw/(^+Tb)值的情況下不能得到有利的抖動。該值應該為0.8或更小，優選為0.7或更小。更有利的是通過僅包括代替多脈沖的長脈衝Pw的塊寫入策略進行記錄，而不設定Tw/(Tw+Tb)的值大於0.8。這只是取決於試驗結果，原因並不清楚。關於小於4T的標記，即對於DVD的3T和對於藍光光碟和HDDVD的2T和3T，Tw/(Tw+Tb)的值不必需保持在0.4-0.8的範圍內。此外，間隙由照射Pe形成，並且Pe/Pw的值為0.15-0.4。當Pe/Pw的值小於0.15時，擦除記錄的非晶標記的功率可能不足。當Pe/Pw的值超過0.4時，由於未知的原因，甚至從起始記錄起抖動就劣化。-2T寫入策略-圖9A和圖9B顯示了具有不同Tw/(Tw+Tb)的值的寫入策略實例和再結晶區域11和非晶態標記12的關係，其中對每個長度為4T或更大的標記長度來說，"U表示加熱脈衝Pw的照射周期之和，化表示加熱脈衝Pw的照射周期之和。圖9A是小數值Tw/(Tw+TbW實例，圖9B是大數值W(Tw+Tb)的實例。當調整峰值功率以將熔化區域的面積保持幾乎恆定時，pw的分量越大即、/Ovv+Tb)的值越大則標記越窄，因為更大的面積再結晶。因此，優選較短的冷卻脈沖以在高速下記錄小寬度的標記。Tw/(Tw+V)的值優選為0.4或更大。當對於1T寫入策略和2T寫入策略來說線速度是等同的時，因為2T寫入策略的L是兩倍長，所以在足夠的Pw的上升時間和熔化面積的情況下，該值可小於0.4。這反而增加了冷卻脈衝的時間。因此，再結晶不會進行，標記寬度也不會減小。此外，存在一種傾向，即太大的Tw/(Tw+Tb)值的情況下不能得到有利的抖動。該值應該為0.8或更小。更優選通過用僅包括長脈沖Pw的塊寫入策略來代替多脈沖進行記錄，而不設定Tw/(Tw+Tb)的值大於0.8。這只是基於試驗結果，原因並不清楚。關於小於4T的標記，即對於DVD的3T和對於藍光光碟和HDDVD的2T和3T，Tw/(Tw+Tb)的值不必保持在0.4-0.8的範圍內。此外，間隙由照射Pe形成，Pe/Pw的值為0.15-0.4。當Pe/Pw的值小於0.15時，擦除記錄的非晶標記的功率可能不足。當Pe/Pw的值超過0.4時，由於未知的原因，甚至從起始記錄開始抖動就劣化。-塊寫入策略-如圖10中所示，可以照射僅為Pw的長脈衝來代替多脈沖。已經認為這種連續光是不利的，因為它形成如圖11A中所示的淚滴形狀的標記。這種淚滴標記引起再現誤差並在重寫中於後端的寬部分中留下殘餘部分。淚滴標記形成的原因之一在於熱積聚效應提高了標記後端附近的溫度。另一原因在於連續的加熱促進了再結晶。熱積聚效應在DVD的8x速度或更高的速度下得以減輕，當光記錄介質具有驟冷構成時，可進一步減輕。因此，熔化區域在淚滴形狀中不容易擴展。曾因其低結晶速度而被認為太慢的光記錄介質可以產生長的但具有有利形狀的如圖IIB中所示的標記，因為該介質也具有低的再結晶速度。而且，如圖12-15中所示，通過筒短地向Pw脈衝塊的前部、後部和中部施加強於Pw的功率Ph或者通過在從Pw脈衝塊向Pe擦除脈衝的過渡中施加冷卻脈衝Pb來改進性能。在圖12-14中，Ph簡短地施加給3T脈衝，因為3T周期較短，所以整個脈衝會具有Pw的強度。此外，間隙由照射Pe形成，Pe/Pw的值為0.15-0.5。當Pe/Pw的值小於0.15時，擦除記錄的非晶標記的功率可能不足。當Pe/Pw的值超過0.5時，由於未知的原因，甚至從起始記錄開始抖動就劣化。用於本發明光記錄方法的光記錄介質具有預先在其基底上記錄的與本發明的光記錄方法相關的信息。優選在光記錄介質上預格式化與寫入策略相關的參數如Tdl/T、T。ff、Td2、Td3、dT3、Tmp、T3和T。ffl，這些是圖8中2T寫入策略的實例，因為這些參數對光記錄介質是特定的。對IT寫入策略和塊寫入策略情況和對參數與圖8中那些進行不同限定的2T寫入策略情況也優選對參數進行預格式化。通過在操作前讀取預格式化在主體光記錄介質上的這些參數，光記錄裝置可以為給定掃描速度v設定最佳的記錄參數，即寫入策略。而且，預格式化的寫入功率信息簡化了更佳的記錄條件的配置。可以使用任何的預格式化方法，其實例包括預置坑(pre-pit)法、擺動編碼法和一各式化法。預置小坑法是涉及在光記錄介質的任何給定區域內使用ROM坑的記錄條件的預格式化信息的方法。該方法對於在基底形成中ROM坑形成的高產率以及採用ROM坑的高的再現可靠性和信息容量來說是有利的。然而，仍然存在許多需要解決的與形成ROM坑的技術即混合技術相關的問題，並且使用RW預置坑的預格式化技術仍然認為是十分困難的。格式化法是以與光記錄裝置中普通記錄相同的方式記錄信息的方法。然而，該方法要求光記錄介質在其生產後應該進行格式化，這在大規模生產的情況下是困難的。而且，因為預格式化信息是可重寫的，所以它不適合作為記錄特定信息到光記錄介質中的方法。擺動編碼法是實際中採用的用於預格式化CD-RW和DVD+RW的方法。該方法釆用在溝槽的擺動，即記錄介質的導槽中對光記錄介質的地址信息進行編碼的技術。編碼方法可以是用於CD-RW的ATIP(預置槽中的絕對時間)的頻率調製或者是用於DVD+RW的相位調製。擺動編碼法在生產率方面是有利的，因為溝槽擺動在基底形成期間與地址信息一起在光記錄介質的基底上形成。同時，與應形成特殊ROM坑的預置坑法不同，擺動編碼法不需要這種特殊的措施，從而便於基底的形成。用於本發明的光記錄方法的光記錄介質沒有特別的限制且可根據應用進行適當選擇。該光記錄介質包括具有導槽的基底和該基底上的至少一個相變層；它進一步包括根據需要的其它層。-相變記錄層-記錄層使用以下材料作為其母相，該材料包括作為主要組分的Sb和用於促進向非晶轉變的其它元素。其實例包括Sb-In體系、Sb-Ga體系、Sb-Te體系和Sb-Sn-Ge體系。此處，主要組分定義為組成為50原子％或更高的組分。而且，可向這些母相中加入其它元素以改善各種性能。Sb-In體系優選具有如下組成範圍(Sb1-xIn)1-yMy其中0.15≤x≤0.27，0.0≤y≤0.2,且M代表除Sb和In以外的一種或多種類型的元素。用具有170℃左右的高結晶溫度以及優異的非晶相的保存穩定性的Sb和In的兩組分體系，可以獲得有利的重寫性能。有利地加入元素M以便進一步改善保存穩定性、改善重寫耐久性和易于格式化。選自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Ga、Se、Te、Zr、Mo、Ag和稀土元素中的任何一種元素都可作為元素M加入。這些元素的加入容易降低結晶速度；因此，可進一步加入Sn或Bi來改進結晶速度。元素M的總含量優選為20原子％或更低，以便不會損失重寫性能。Sb-Ga體系優選在如下組成範圍內使用(Sb1-xGax)1-yMy其中0.05≤x≤0.2，0.0≤y≤0.3,且M代表除Ga和Sb以外的一種或多種類型的元素。用具有180℃左右的高結晶溫度以及優異的非晶相的保存穩定性的Sb和In的兩組分體系，可以獲得有利的重寫性能。然而，為了更高的結晶速度而增加Sb的比例會引起如格式化後不均勻的反射率的問題。因此，有利地加入元素M以便改善高速記錄的反射率的不均勻性。元素M的實例包括Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Se、Zr、Mo、Ag、In、Sn、Bi和稀土元素。這些元素的加入降低了室溫或高溫下保存後的結晶穩定性和反射率，引發了如下問題，即在等同於保存前的條件下不能進行記錄。因此，可進一步加入Ge或Te。元素M的總含量優選為30原子﹪或更低，以便不會損失重寫性能。Sb-Te體系優選在如下組成範圍內使用(Sb1-xTex)1-yMy其中0.2≤x≤0.4,0.03≤y≤0.2，且M代表除Sb和Te以外的一種或多種類型的元素。用Sb和Te的兩組分體系可以獲得有利的重寫性能。但存在的問題是，記錄標記在高溫保存下結晶，這是因為該兩組分體系具有120。C左右的低結晶溫度。因此，有必要加入元素M以提高結晶溫度並改善非晶相的穩定性。改善非晶相穩定性的元素M的實例包括Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Zr、Mo、Ag、In和稀土元素。這些元素的加入容易降低結晶速度，所以可進一步加入Sn或Bi來改進結晶速度。除非元素M的總含量為3原子％或更大，否則加入是沒有效果的，且優選為20原子％或更低，以便不會損失重寫性能。Sb-Sn-Ge體系優選在如下組成範圍內使用(Sb1—x-ySrixGey)i—zMz其中0.1<x《0.25，0.03《y<0.30,0.00《z《0.15，且M代表除Sb、Sn和Ge以外的一種或多種類型的元素。用Sb、Sn和Ge的三組分體系可以獲得有利的重寫性能。再加入一種或多種元素降低了抖動。有效元素的實例包括Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Te、Zr、Mo、Ag、In和稀土元素。因為過量加入的反過來會使抖動劣化，元素M的總含量優選為最多15原子％或更少。記錄層優選具有6nm或更大的厚度。當該厚度小於6nm時，結晶和調製極度降低，並且有利的記錄是困難的。對於單層結構和雙層結構中的背層來說，最大厚度優選為30nm或更小，更優選為22nm或更小。對於雙層結構中的前層來說，優選為10nm或更小，更優選為8nm或更小。厚度超過上述範圍的記錄層具有降低的記錄靈感度和劣化的重寫耐久性。對於雙層結構中前層的情況來說，不能保證透射光的強度，因此在背層中的記錄和再現變得困難。除相變記錄層以外的層組成等同於以下的光記錄介質的。(光記錄介質)本發明的光記錄介質包括具有導向槽的基底和在該基底上的至少一個相變層。它進一步包括第一保護層、第二保護層、反射層和根據需要的其它層。光記錄介質的旋轉線速度是可變的，且對應於通過用拾取頭在光記錄介質上用連續光照射測得的反射率開始降低的點的過渡線速度(transitionlinearvelocity)為5米/秒-35米/秒。-過渡線速度-過渡線速度用作設計相對於變化的記錄線速度能顯示出適當重寫性能的光記錄介質的指標。過渡線速度可用通常用於評估記錄和再現性能的裝置，PulstecIndustrialCo.,Ltd製造的DDU-1000和ODU-1000進行測量。過渡線速度可通過測量在以恆定線速度旋轉光記錄介質時，輻照具有足以熔化所述記錄層強度的圓形雷射束後的反射率而獲得。更具體來說，連續照射光的功率保持恆定的同時，用不同的旋轉線速度重複相同的測量，雖然在低的線速度下反射率保持較高，但反射率在某一線速度下或之上開始下降。在反射率開始下降處的該線速度被稱為過渡線速度。這展示在圖4中。該圖中，在相對線速度反射率幾乎恆定的部分和反射率下降的部分畫直線，交叉點被確定為過渡線速度。在低於過渡線速度的線速度下熔化後，記錄層處在完全再結晶的狀態下。在過渡線速度之上的線速度下，熔化後記錄層不能完全再結晶，記錄層部分地保持非晶相。過渡線速度不僅由記錄層的結晶速度確定，而且由連續照射光的功率和包含於光記錄介質中的層厚度即光學條件和熱條件確定。當將連續光照射到以接近目標過渡線速度的旋轉速度旋轉的光記錄介質上時，測量過渡線速度的連續光的功率應該足以熔化相變記錄層。記錄層是否已熔化可以根據將連續光以上述線速度照射時光記錄介質的反射率的變化來確定。當反射率沒有變化時，可以肯定地認為，功率不足以熔化記錄層。因此，可以照射功率增加的光。近似表明功率大約為記錄功率的1/2至2/3。需要的功率隨著過渡線速度的增加而增加。當用上述方法測量的過渡線速度為5米/秒或更大時，在諸如基準速度為3.5米/秒的DVD、基準速度為4.92米/秒的藍光光碟和基準速度為6.61米/秒的HDDVD的主要光碟系統的至少一個基準速度的速度下，可以進行重寫。當過渡線速度較小時，由於在蓋寫中剩餘的非晶標記，所以在基準速度下重寫是不可能的。為了增加記錄速度到例如2x速度和3x速度，更優選為更高的過渡線速度配置記錄層的組成和光記錄介質的層組成。當假定驅動中馬達的旋轉速度上限為10000rpm時，最外邊緣的最大速度大約為60米/秒，因為主要光碟系統的光記錄介質具有12cm的直徑。因此，可以推斷，儘管努力為各系統提速，但對於DVD最大速度為16x速度，對於藍光光碟為12x速度，對HDDVD為9x速度。即使假定在60米/秒速度下記錄，過渡線速度的適當上限也為35米/秒左右。這是因為該介質隨著過渡線速度的增加在記錄中易於再結晶，並且具有足夠大小的非晶標記的形成變得困難。因此，適當選擇記錄層組成和層組成可提供一種光記錄介質，其能在各個光碟系統的基準速度到60米/秒範圍內的記錄速度下進行記錄。存在一些情況如CAV記錄，其中在盤的最內邊緣和最外邊緣的記錄速度是不同的。例如，旋轉速度為常量，在最內邊緣記錄速度為DVD的5x速度，在最外邊緣為12x速度，在之間速度依次增加。這種情況下，形成了具有均勻組成記錄層的和具有均勻層組成的光記錄介質，並且可通過優化寫入策略和寫入功率在5x速度到12x速度下進行記錄。然而由於對寫入策略和寫入功率配置的限制，這是困難的。這樣，在盤的內部和外部，盤可具有不同的過渡線速度，且記錄可根據徑向位置用更適當的線速度更容易地進行。應該對光記錄介質進行配置，以使得過渡線速度對低速記錄的內部來說是低的，對於高速記錄的外部來說是高的。對於記錄速度在DVD的5x速度到12x速度範圍變化的光記錄介質，過渡線速度優選在內部為12米/秒至26米/秒，在外部為20米/秒至35米/秒。通過改變記錄層的組成或改變層的組成可以改變過渡線速度。對於記錄層的組成，增加的Zn組分降低了結晶速度以及因此的過渡線速度；Zn的組成對於內部來說是高的，對於外部來說是低的。通過用Sn部分代替Sb而具有增加的Sn組分的材料提高了結晶速度以及因此的過渡線速度；Sn的組分對內部來說是低的，對外部來說是高的。通過改變內部和外部的濺射靶可在內部和外部形成具有不同組成的膜。過渡線速度也可以隨層組成而變化，並可用層組成對其進行調節。可以使用各種方法，通過記錄層厚度的調節是較簡單的。組成相同時，小厚度的記錄層傾向於具有較小的過渡線速度。因此，厚度在盤的內部較小而在盤的外部較厚。內部的薄記錄層可通過濺射中在內部設置掩膜或閘門(shutter)來形成。In-Sb體系顯示出優異的非晶穩定性、低的熔點和高的結晶速度，且它適合作為高速記錄用材料。然而，它的問題在於低的結晶穩定性，在高溫保存試驗中顯示出反射率大幅下降。如在圖23中顯示Sb/(In+Sb)和反射率(△%)下降之間關係的示意圖中所示，晶體是穩定的，且反射率的下降隨增加的In即減少的Sb而減少。當為了In-Sb體系中結晶的穩定性增加Sb的份數時，與Sb-Te5體系類似，結晶速度會增加。然而，要點在於不僅通過提高結晶速度，而且通過配置具有為相關的記錄線速度而調節的適當結晶速度的記錄層，來獲得有利的重寫性能。這種情況下，例如可通過改變In和Sb的份數來調整結晶，並且如上所述，增加的In將大大降低反射率。在這點上，可將第三元素Zn加入到具有較高份數的Sb的In-Sb體系中。這樣，可通過改變Zn的添加量來調節結晶速度，並可以進行低抖動的重寫。當其它元素如Ge和Te作為第三元素加入時，可以通過改變第三元素的量來調節結晶速度。其中，Zn是優異的，在高速重寫中顯示了低的抖動並具有重寫耐久性。此外，在本發明中必要的是，光記錄介質不僅具有適當結合了In、Sb和Zn的相變材料的記錄層，而且具有使過渡線速度處於適當範圍內的層組成。因此，第一方面的相變記錄層包括由以下組成式(1)表示的相變材料(Sb100-xInx)跳yZriy…組成式(1)其中，在組成式中(1)，x和y表示各元素的原子百分比；10原子％《x《27原子。/q，且l原子。/。《y《10原子0/。。如上所述，作為相變記錄層材料的具有大份數的In的In-Sb體系傾向於在高溫保存後反射率大幅降低10%或更大。Sb和In總量中的In的份數，即x優選為27原子％或更小，更優選22原子％或更小。圖23表明，用上述的份數能夠獲得7%或更小或5%或更小的反射率下降。由於高溫保存，較小的反射率降低是有利的，本發明的發明人已經認定，當反射率的降低為7%或更小時，通過再調節寫入策略和寫入功率，則可以進行有利的記錄。小份數的In導致初始化的不均勻，降低了非晶態穩定性並減小了記錄中的調製；因此，In的份數即x優選為10原子％或更大，更優選15原子％或更大。Zn的加入能提高向非晶相的轉變，並且根據記錄速度通過改變Zn的量可以適當調節結晶的速度。而且，由於未知的原因，Zn的加入具有降低重寫中抖動的效果。通常，重寫逐漸增加了抖動，但與加入其它元素的情況相比，可以通過Zn的加入抑制這樣的增加。通過提高結晶溫度，Zn的加入也具有改善非晶態穩定性的效果。Zn的份數，即上述組成式(1)中的y為1原子％或更大，優選為2原子％或更大。然而，太多的加入Zn降低了結晶速度，損害了高速記錄。它也降低了初始化中某些部分的反射率。因此，Zn的份數，即上述組成式(l)中的y為10原子％或更小，優選為8原子％或更小。通過在上述組成式(1)的範圍內適當結合In、Sb和Zn可設計出具有優異的重寫性能、非晶態和晶體穩定性和簡單初始化的相變記錄層。此外，第二方面的相變記錄層包括由以下組成式(2)表示的相變材料[(SbIOO-zSnz)100-xInx]100-yZny…組成式(2)其中，組成式(2)中，x、y和z表示各元素的原子百分比；0原子％《z《25原子Q/q，10原子Q/。《x《27原子。/q,且1原子％《y《10原子％。上所述組成式(2)表示的相變材料等同於用Sn部分代替Sb的組成式(l)所表示的相變材料。換句話說，它是一種具有以下組成的相變材料，其中作為相變記錄層主要組分的Sb的一部分(1原子。/。-25原子。/。)被Sn替換。用Sn部分代替Sb提高了結晶速度和初始化中的非均勻性，結果可獲得有利的重寫性能。然而，相對於Sb的Sn的份數，即z為0原子％-25原子%,優選為2原子％-20原子％。當Sb的份數超過25原子Q/。時，調製減少了，抖動沒減少。通過限定記錄層和過渡線速度，本發明的光記錄介質具有高的靈敏度、簡單的初始化、非晶態和晶體穩定性並可以在保持低抖動的同時顯示出優異的重寫耐久性。組成式(2)中的x和y與組成式(1)中的等同。相變記錄層的厚度優選為6nm-22nm，更優選為8nm-16nm。由於各種不利影響如調製減小、結晶速度顯著降低和重寫光穩定性的下降，在厚度小於6nm的情況下重寫變得困難。當厚度超過22nm時，反覆重寫後抖動增加變得顯著。圖16和17顯示了用於本發明光記錄方法的光記錄介質的構造實例。圖16是介質如DVD+RW、DVD-RW和HDDVDRW的實例。圖17是藍光光碟的實例。在圖16中，在具有導向槽的透明基底1上，從入射光的方向依次層壓至少第一保護層2、記錄層3、第二保護層4和反射層5。對於DVD和HDDVD的情況，通過旋塗法在反射層5上形成有機保護層。進一步結合有與基底相同尺寸且與基底的材料通常相同的板(未示出)。在圖17中，從入射光的方向依次層壓透明覆蓋層7、第一保護層2、記錄層3、第二保護層4、反射層5和具有導向槽的透明基底1。圖16和17中所示的光記錄介質是具有單層記錄層的光記錄介質的實例，也可以使用具有兩個記錄層且透明中間層在其間的光記錄介質。這種情況下，對於入射光來說，前層必須是半透明的，因為記錄和再現發生在背層。-基底-基底材料的實例包括玻璃、陶瓷和樹脂。其中，樹脂在成型性和成本方面來說有利的。樹脂的實例包括聚碳酸酯樹酯、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈苯乙烯共聚物樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、有機矽樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂。其中，從成型性、光學性能和成本方面來說，尤其優選聚碳酸酯樹酯和丙烯酸樹脂。形成基底以使得尺寸、厚度和槽的形狀符合標準。藉助拾取頭的伺服機構通過控制在槽中心照射的雷射束來進行記錄和再現。對該控制來說，對由導向槽衍射的在光束掃描方向的豎直方向上的光進行監控，並將雷射束定位在槽的中心，以便放棄掃描方向上的橫向信號水平。用於該控制的衍射光的信號強度由光束直徑、槽寬度和槽深度之間的關係確定，通常將其變換成稱作推挽信號的信號強度。信號強度隨槽寬度的增加而增加，但因為記錄標記之間的道間距是固定的而存在限制。例如，道間距為0.74|im的DVD記錄系統在非記錄狀態下優選具有0.2至0.6的信號強度。對於DVD+RW、DVD+R、DVD-RW和DVD-R來說，類似的值也在它們各自的寫入標準中限定。JP-ANo.2002-237096公開了對應於該值的槽寬度在槽的底部優選為0.17nm至0.30pm。對於高速光記錄介質，它優選為0.20(im至0.30pm。在使用藍色LD的記錄和再現系統中，根據與光束直徑的線性關係對槽寬度進行類似限定。在任何情況下，將槽寬度設定在道間距的大約一半或者略小於道間距的一半。該導向槽通常是擺動的，使得記錄裝置可以在記錄中對頻率進行採樣。它通過轉化擺動的相位並在確定的範圍內改變頻率來提供輸入如地址和信息.關於本發明的光記錄方法，記錄需要的信息諸如寫入策略和寫入功率在盤的最內層部分即輸入端區域輸入，該區域由用最佳寫入策略和寫入功率進行記錄的記錄裝置讀取；結果，以適當的記錄速度進行了記錄。-第一保護層-用於第一保護層的材料沒有特別地限制，它可根據應用從在此迄今為止已知的材料中進行適當選4奪。其實例包括Si、Zn、In、Mg、Al、Ti和Zr的氧化物；Si、Ge、Al、Ti、B和Zr的氮化物；Zn和Ta的硫化物；Si、Ta、B、W、Ti和Zr的^友化物；類金剛石碳；和它們的混合物。其中，優選摩爾比接近7/3至8/2的ZnS和Si02的混合物。特別是對於位於記錄層和基底之間並經受由熱膨脹、高溫和室溫變化引起的熱損壞的第一保護層，優選以摩爾比計的(ZnS)80(Si02)20,因為對於這種組成來說，光學常數、熱膨脹係數和彈性模量是最佳的。還可以以以層壓形式使用不同的材料。第一保護層的厚度大大影響了反射率、調製和記錄靈敏度。第一保護層優選具有以下厚度，該厚度使得盤的反射率相對較低的保護層顯示出其局部的最小值，這是因為它增強了記錄靈敏度。對於DVD的記錄和再現波長，為了有利的信號特性，(ZnS)so(Si02)2o(mol%)第一保護層的厚度優選為40nm-80nm,對於藍光光碟為20nm-50nm，對於HDDVD為30nm-60nm。當第一保護層的厚度低於這些範圍時，過量的熱可能損壞基底並改變槽的形狀。當該厚度高於這些範圍時，盤反射率變高，降低了靈敏度。-第二保護層-根據應用，用於第一保護層的材料也可用於第二保護層。其實例包括Si、Zn、In、Mg、Al、Ti和Zr的氧化物；Si、Ge、Al、Ti、B和Zr的氮化物；Zn和Ta的硫化物；Si、Ta、B、W、Ti和Zr的碳化物；類金剛石的碳；和它們的混合物。第二保護層也影響反射率和調製，並且對記錄靈敏度的作用最顯著。因此，使用具有適當熱導率的材料是重要的。優選的記錄靈敏度可用摩爾比接近7/3至8/2的ZnS和Si02的混合物獲得，因為放熱速度因其小的熱導率而減小。對於高速記錄可選擇具有高熱導率的材料。具有高熱導率的材料實例包括被稱為透明導電膜的含有ln203、ZnO和SnO為主要成分和它們的混合物的材料，含Ti02、A1203和Zr02為主要成分和它們的混合物的材料。此外，還可以以層壓形式使用不同的材料。第二保護層的厚度優選為4nm-50nm，更優選為6nm-20nm。當厚度小於4nm時，記錄層的光吸收率降低。記錄層中產生的熱更容易地擴散進入反射層，結果，可能顯著降低了記錄靈敏度。當厚度超過50nm時，可能在第二保護層中產生裂紋。-反射層-作為用於反射層的材料，優選例如A1、Au、Ag和Cu以及其合金作為主要成分的金屬。合金化中的附加元素的實例包括Bi、In、Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd和Ta。反射層反射記錄和再現中的光以提高光的使用效率並起到放熱層的作用以釋放記錄中產生的熱。對於單層光記錄介質的情況或者對於雙層光記錄中的記錄發生在從光入射方向的後側處的記錄層介質中的情況，從光的使用效率和足夠的冷卻速度方面來看，反射層優選具有70nm或更大的厚度。然而，光的使用效率和冷卻速度在某一厚度至上飽和。反射層太厚時，基底會彎曲，或者膜會因膜的應力而脫落。因此，厚度優選300nm或更低。從雙層記錄介質的入射光的前側的反射層應該具有減小的厚度，因為它必須透過光，厚度優選為5nm-15nm。然而，有利的記錄因劣化的放熱性能而不能進行。因此，使用了下文所述的放熱層。-界面層-在相變記錄層和第一保護層之間或相變記錄層和第二保護層之間，可以配置界面層，其包括例如不同於用作第一保護層或第二保護層的氧化物、氮化物和碳化物的材料。因此，光學性能和熱性能主要在第一保護層或第二保護層中調整，而結晶速度主要在界面層中調整。界面層優選具有至少包含Ge或Si的氧化物。當具有包含Ge或Si的氧化物的層連接到相變記錄層3時，可以加寬用於有利的重寫的記錄速度範圍。包含Ge或Si的氧化物的作用隨氧化程度而變化。當氧化物對氧飽和時，例如包括Ge02和Si02,可在高速下實現有利的重寫。當氧化物對氧欠飽和時，例如包括GeO和SiO並進一步包括未被氧化的Ge和Si,可在較低速下實現有利的重寫。該作用中的差異的原因還不清楚，但推測是對氧飽和的氧化物具有促進相變記錄層3成核的作用，並且對氧不飽和的氧化物反過來具有抑制記錄層中成核的作用。不同氧化程度的界面層可通過在普通氬氣氛中對靶進行濺射而獲得，其中所述耙用具有產生需要的組成的混合比的GeCb和Ge的混合物或者Si02和Si的混合物形成；或者通過在不同氣體流速比的氬氣和氧氣的混合氣氛中濺射作為靶的Ge或Si獲得。因為考慮要控制成核，包括Ge和Si的氧化物通過連接到相變層3而發揮其作用。由雷射束照射加熱的相變層3從具有反射層5的第二保護層4的側面冷卻，並且成核主要發生在第二保護層4的側面。因此，當將其設置在第二保護層4的側面時，界面層更加有效。界面層優選具有2nm或更大的厚度，因為厚度小於lnm時不可能形成均勻的膜且功能不穩定。最大厚度基於光學性能和熱性能之間的平衡來確定；通常，優選為10nm或更小。-放熱層-放熱層設置在反射層和中間層之間，從而當從雙層光記錄介質的入射光在前記錄層中進行記錄時保證輻射和調整反射率。用於放熱層的材料的實例包括被稱為透明導電膜的含有ln203、ZnO和SnO為主要成分的以及它們的混合物的材料，含有Ti02、Al203和Zr02為主要成分的以及它們的混合物的材料。根據記錄層的組成，輻射性能並不重要。在這種情況下，可以使用經常用作保護膜的ZnS和Si02的混合物。放熱層的厚度優選為10nm-150nm，更優選為20nm-80nm。當厚度小於10nm時，它不能充分起到放熱層或光學調整層的作用。當它超過150nm時，基底會彎曲，或者膜會因膜的應力而脫落。-抗硫化層-當反射層包括Ag或Ag合金且第二保護層包括具有S的膜例如ZnS和Si02的混合物時，將抗硫化層設置在第二保護層和反射層之間以防止在保存過程中由反射層的硫化而引起的缺陷。用於抗硫化層的材料的實例包括Si、SiC、TiC、Ti02以及TiC和Ti02的混合物。除非抗硫化層的厚度為lnm或更大，否則不能形成均勻的膜且抗硫化的作用會削弱。因此，抗硫化層優選具有2nm或更大的厚度。最大厚度通常基於光學性能和熱性能之間的平衡來確定；通常，為了有利的重寫性能，其優選為10nm或更小。-中間層-為了在雙層光記錄介質中分離各個層而配置中間層，它由透明樹脂層形成，對於DVD和HDDVD其厚度為50μm,對於藍光光碟其厚度為25μm。藍光光碟中的覆蓋層是允許光的入射和傳輸的層。覆蓋層由透明樹脂層形成，對單層光記錄介質來說其厚度為l00μm,對雙層光記錄介質來說其厚度為75μm。上述各層通過濺射依次形成在基底上。然後形成並結合有機保護膜，或者形成覆蓋層。初始化過程後，製成光記錄層。初始化過程是掃描並照射強度為1W至2W的1X(幾十到幾百)μm的雷射束以剛好在膜沉積後結晶非晶狀態下的記錄層的過程。參照以下給出的實施例將對本發明作更詳細的說明，但這些實施例並不解釋為是對本發明的限制。抖動數值σ/Tw用作實施例A-l到A-25和比較例A-l到A-6中有利記錄的指示。對DVD+RW來說，抖動的規格為9%或更小，且對於藍光光碟來說，為6.5%或更小。因此，當抖動滿足這些標準或接近規格時，認為獲得了有利的重寫性能。(實施例A-l到A-9和比較例A-l到A-6)具有12cm的直徑、0.6mm的厚度、和0.74nm的道間距的槽的由聚碳酸酯樹脂製成的盤基底在高溫下脫水。在該基底上，依次地順序沉積第一保護層、記錄層、第二保護層、抗硫化層和反射層，製得相變光記錄介質。更具體來說，採用Unaxis,Ltd.製造的DVDSprinter濺射裝置，厚度65nm的第一保護層用ZnS-SiQ2的摩爾比為8比2的靶沉積在基底上。在第一保護層上，在氬氣壓力為0.4Pa(3x10-3託)且RF功率為300mW的濺射條件下，用基於表1所示原子比的組成的合金靶將厚度為16nm的記錄層沉積。在該記錄層上，用ZnS-SiO2靶以與第一保護層相同的方法沉積厚度10nm的第二保護層。此外，層壓TiC和Ti02的質量比為7比3的抗石克化層和厚度為200nm的Ag反射層。然後，在該反射層上，用旋塗法塗布丙烯酸紫外線固化樹脂(DainipponInkandChemicalsIncoporated製造的SD318)，以使膜具有5μm至10μm的厚度，該膜經受紫外線固化以形成有機保護層。接著，在該有機保護層上，層壓相當於盤基底的空基底(dummysubstrate),其由聚碳酸酯樹脂製成，直徑為12cm、厚度為0.6mm。由此，製備成用於實施例A-l到A-9和比較例A-l到A-6的相變光記錄介質。接著，每個光記錄介質通過大直徑的LD進行結晶來初始化。在每個所獲得的光記錄介質上用EFM+調製法以18米/秒(約5.15x速度)和10x速度(約35米/秒)的速度進行記錄。根據DVD系統的標準記錄和再現程序，使用具有波長為659nm的光學拾取頭和數值孔徑NA為0.65的物鏡的DVD評估系統(DDU-1000,PulstecIndustrialCo.,Ltd.製造)進行記錄和再現。2T寫入策略用於在18米/秒下記錄，1T、2T和塊寫入策略用於在10x速度下記錄。示於圖8中的寫入策略應用於2T寫入策略。更具體來說，脈沖寬度值Tmp和T3在低速下分別為0.55T和0.725T,在高速下分別為0.625T和0.8125T,其中T表示基準時鐘周期。對於每個光記錄介質，都進行脈衝延遲量dT3、Tdl、T&和Td3以及離開脈衝(off-pulse)寬度Toff13和Toff的優化和確定。形成長度為4T或更大的標記的Tw/(Tw+Tb)數值保持在0.35或更小。對於寫入功率，Pb固定在0.1mW，並且確定Pw和Pe以使得對於每個光記錄介質來說抖動都是其最小值。關於IT寫入策略，如圖7A中所示，對於長度為n的標記來說脈衝數為n-l的方法，僅應用於高速記錄。前加熱脈衝的寬度設定為0.7T,其它脈沖的寬度設定為0.5T，為最小的抖動優化最後的離開脈衝。這些配置用於每個光記錄介質。因此，對於所有的介質，Tw/{Tw+Tb)數值為0.5至0.8。對於寫入功率，Pb固定在0.1mW,並且確定Pw和Pe以使得對於每個光記錄介質來說抖動都是其最小值。圖10中所示的策略用作塊寫入策略。用於3T標記的模式為平脈沖，用於4T標記至14T標記的模式為具有凹下的脈衝。3T標記的脈沖寬度為2T,並且對於記錄4T或更大標記的模式，將Tt。p和T,p分別設定為1.2T和0.8T,並且總脈沖寬度設定為[(3T脈衝長度)+(n-3)],其中n為每個標記的長度。寫入功率的值按如下進行確定。Pe固定在5mW。確定Pw的條件，以使得記錄標記的寬度飽和或者90°/。飽和，這是根據調製進行評估的。然後，為最小的抖動將Ph優化，並對Pe優化。也可能使用圖10中虛線所表示的離開脈沖Pb,但它在該測試中沒有被使用。用0.7mW的再現功率在3.5米/秒的速度下進行再現。並對抖動(由基準窗口寬度Tw歸一化的每個標記邊緣部分的標準差cj((j/Tw))、調製((Rmax-Rmin)/Rmax,其中Rmax代表記錄標記的最大反射率，且R曲代表記錄標記的最小反射率)和擦除部分的反射率進行評估。結果示於表l中。表1completetableseeoriginaldocumentpage36表1中的結果表明，儘管形成4T或更大長度的標記的Tw/(i:w+Tb)值為0.35或更小，但除了實施例A-7外，在18米/秒速度下進行記錄有利地產生了小於8%的抖動。實施例A-7遭遇了許多異常再結晶的發生，抖動不可能被減小。關於10X速度記錄，調製為小於0.60，且對於Tw/(Tw+Tb)為0.5或更大的1T寫入策略和塊寫入策略的情況，抖動小於10%。實施例A-7中的抖動小於10%，因為不容易產生異常再結晶的發生條件。然而，比較例A-l到A-6顯示出，當Tw/(Tw+Tb)值為0.35或更小的情況下使用2T寫入策略時，調製超過了0.60，並且不能將抖動調節到10%或更小。(實施例A-10)在實施例A-1到A-4中所製備的相變記錄介質上，用圖7A中所示的1T寫入策略在12x速度(大約42米/秒)下進行高速記錄，並對記錄標記的寬度進行監控。此處，1T寫入策略的模式和再現條件與實施例1中的那些相同。可以發現，當寫入功率為30mW或更大時，調製超過了0.45，且記錄標記的寬度為0.28pm槽的約75%。反射率為0.25,RXM超過了0.11。抖動為10%。在上述條件下，增加了寫入功率。當寫入功率為36mW時，抖動為9.3%,反射率為0.25且RXM為0.14。記錄標記的寬度為槽寬度的約90%。進一步增加寫入功率。當寫入功率為39mW時，標記寬度幾乎等於或者略小於槽寬度。即使寫入功率進一步增加，標記也不擴大。這時，調製為0.59，抖動為9.8%。(實施例A-ll)以與實施例1中的相同方法製備光記錄介質，除了對記錄層和第一保護層的厚度進行調整使得該介質的反射率分別為18%、22%、24%和30%。對於每個光記錄介質，用2T寫入策略在6x速度下進行記錄，並且通過改變寫入功率調節調製。此外，對複製中的誤差率進行評估。結果示於圖18中。圖18中的結果表明，調製隨寫入功率的降低而降低。圖18中的垂直虛線表示分別對於18%、22%、24%和30%的反射率的調製，即0.6、0.5、0.46和0.37,其中RXM的值為0.11。圖18中的結果也表明，當RXM的值接近O.ll時，誤差率突然增加。當調製小時，隨著調製大於O.ll,誤差率開始增加。然而，水平實線A所表示的低於DVD的糾錯能力的誤差率在RXM為0.11的調製的情況下獲得。因此，即使調製M較小，只要反射率是高的，就也能獲得可以承受一般使用的記錄系統。(實施例A-12到A-18和比較例A-7到A-13)在直徑為12cm、厚0.6mm、道間距為0.74|im的槽的由聚碳酸酯樹脂製成的基底上，用Unaxis，Ltd.製造的DVDSprinter濺射裝置，用ZnS-Si02的摩爾比為8比2的耙沉積厚度為60nrn的第一保護層。在該第一保護層上，使用In2。Sb8。、Ge、Zn和Te多個來源同時控制功率，通過共同濺射(co-sputtering)沉積具有14nm的厚度以及如表2中所示的組分的記錄層。在該記錄層上，通過濺射層壓厚度為6nm且ZnS-Si02摩爾比為8比2的第二保護層、TiC和Ti02的質量比為7比3的抗石克化層和厚度為200nm的Ag反射層。然後，用旋塗法塗布有機保護層(DainipponInkandChemicalsIncorporated製造的SD318),層壓了厚度為0.6mm的空基底(dummysubstrate)。由此，製備成用於實施例A-12到A-18和比較例A-7到A-13的相變光記錄介質。接著，為了初始化，每個光記錄介質通過大直徑的LD進行結晶。對每個光記錄介質，使用波長為660nm的光學拾取頭和數值孔徑NA為0.65的物4竟的DVD評估系統(DDU-IOOO，PulstecIndustrialCo.,Ltd.製造)對過渡線速度和記錄性能進行評價。結果示於表2中。每個光記錄介質根據記錄層中的元素類型和數量而具有不同的過渡線速度。過渡線速度是用15mW的表面功率進行測量的數值。在每個光記錄介質上，以8x速度(約28米/秒)、10x速度(約35米/秒)和12x速度(約42米/秒)用EFM+調製法記錄由3T到14T組成的隨機模式10次。在表2中，"OK，，表示其中抖動((7/Tw)為10%或更小的情況；否則為"NG"。在8x速度下進行記錄以使調製M為0.60或更大。對於10x速度和12x速度下的記錄，分別評估調製M大於0.60和小於0.60的情況。調製大於0.60的情況下，2T寫入策略用於8x速度到12x速度的記錄，用加熱脈沖寬度為0.6T且冷卻脈衝寬度為1.4T的多脈沖進行該記錄，同時優化了先頭脈衝和尾部脈衝的位置和寬度以及功率。形成4T或更大長度的標記的Tw/(Tw+Tb)數值為0.35或更小。調製M為0.60或更小的情況下，1T寫入策略用於10x速度和12x速度下的記錄，並用多脈衝寬度為0.55T且冷卻脈沖寬度為0.45T的多脈沖進行記錄，同時優化了先頭脈沖和尾部脈衝的位置和寬度以及功率。形成4T或更大長度的標記的Tw/(Tw+Tb)數值為0.50-0.8。而且，對於所有的記錄條件，優化功率的Pe/Pw的數值範圍為0.23-0.33。表2completetableseeoriginaldocumentpage40在表2的結果中，RXM的數值表示每個光記錄介質的反射率R與在1Ox速度和12x速度下記錄中抖動為10。/。或更小時的調製M的積，且調製為0.60或更小。任何情況下，調製為0.4或更大。當重寫在比過渡線速度大5米/秒至18米/秒的線速度下進行時，因在M>0.60的條件下因抖動劣化而可能不會獲得有利的重寫性能，但在JVK0.60的條件下獲得了有利的重寫性能。尤其是，實施例A-14到A-16的光記錄介質中的重寫可以在與用於8x速度光記錄介質的記錄的相同條件下在8x速度下進行。並且甚至在高速如10x速度和12x速度下，在M《0.60的條件下進行記錄獲得了有利的重寫性能。此外，通過優化調製M小於0.4的記錄方法斥企測了用實施例A-15的光記錄介質是否能獲得有利的重寫性能。在抖動為12.8%且調製為0.38的情況下，IO次重寫後的重寫性能是最有利的。(實施例A-19)對於實施例A-15的光記錄介質，在12x速度下進行記錄，同時對於1T和2T改變加熱脈沖的寬度。圖19顯示了10次記錄後u/(iw+Tb)數值與抖動(0/TJ之間的關係，其中Tw表示加熱脈沖的照射周期，Tb表示冷卻脈沖的照射周期。為了獲得這些結果，對功率進行調節以保持調製低於0.50,且對先頭脈沖和尾部脈衝的長度和位置進行優化，以便降低抖動。當Tw/(Tw+Tb)數值為0.4至0.8時，對於1T和2T來說4牛動均為約10%或更低。(實施例A-20)在實施例A-15的光記錄介質上用長脈沖進行12x速度記錄。使用了圖13中所示的脈衝波形，同時，加到前部和後部的Ph都為0.5T長度的Pw+5mW，冷卻脈衝為0.5T長度的0.2mW。對Pw的脈衝長度、位置和功率進4亍優化。當P^19mW且P^8.6mW時，獲得了最有利的重寫性能。IO次重寫後，抖動為9.2%，且調製為0.48。(實施例A-21)用實施例A-12到A-18的光記錄介質對8x速度、10x速度和12x速度的Pe/Pw最佳範圍進行檢驗。2T寫入策略用於8x速度和10x速度。2T寫入策略和示於圖13中的塊寫入策略用於12x速度。圖20顯示了IO次重寫後的抖動的最低值。當Pe/Pw的值小於0.15時，所有情況下抖動都會突然增加，並且不能實現有利的重寫。初始記錄後，抖動通常是有利的，但由於小的Pe非晶標記的剩餘部分在重寫中保留，這被認為是劣化抖動的原因。當對於2T寫入策略Pe/Pw值為0.40或更大時，以及對於塊寫入策略為0.50或更大時，抖動突然增加。對於這些情況，即使在初始寫入後抖動也劣化。(實施例A-22)以與實施例A-12到A-18的相同方法製備實施例A-22的光記錄介質，除了將記錄層的組成改變為Ga7Sb67Sn2QGe6。在獲得的光記錄介質上，用1T寫入策略在12x速度下進行記錄。Pw、Pc和Tw/(Tw+Tb)的數值分別為32mW、8mW和0.5至0.8。而且，反射率為0.305，且過渡線速度為30米/秒。對於8x速度，在調製為0.6或更大且抖動為0.9%或更小的情況下，在10次重寫後實現了有利的重寫性能。優化12x速度的重寫條件後，在抖動為9.5%且調製為0.54的情況下，實現了IO次重寫後最有利的重寫性能。(實施例A-23)以與實施例A-12到A-18的相同方法製備實施例A-23的光記錄介質，除了將記錄層的組成改變為Te19Sb74Ge5In2。在獲得的光記錄介質上，用1T寫入策略在8x速度下進行記錄。反射率為021，過渡線速度為14米/秒。優化8x速度(28米/秒)的重寫條件後，當Pw、Pc和Tw/(Tw+Tb)的數值分別為28mW、7mW和0.45時，在抖動為9.9%且調製為0.45的情況下，IO次重寫後的重寫性能是最有利的。(實施例A-24和比較例A-14到A-15)在直徑為12cm、厚l.lmm且道間距為0.32μm的槽的由聚碳酸酯樹脂製成的基底上，用濺射裝置(Unaxis,Ltd.製造的DVDSprinter),通過共同濺射，同時為需要的組成控制功率，來沉積厚度140nm的具有Ag和5質量%的Bi的反射層、厚度8nm的具有ZnO和3質量％的A1203的第二保護層4、以及厚度llnm的具有In2oSb8、Ge、Zn和Te多種來源的記錄層3。而且，沉積厚度為33nm且ZnS和Si02的摩爾比為8比2的第一保護層2。用旋塗法塗布由紫外線固化的樹脂組成的粘結材料，並且層壓TeijinLimited製造的厚度為0.75jam的聚碳酸酯膜以形成覆蓋層。由此，製備出實施例A-24和比較例A-14到A-15的相變記錄介質。接著，為了初始化，每個光記錄介質通過大直徑的LD進行結晶。對於每個記錄介質，使用具有波長為405nm的光學拾取頭和物鏡的數值孔徑NA為0.85的藍光光碟評估系統(ODU-1000，PulstecIndustrialCo.，Ltd.製造)對過渡線速度和記錄性能進行評估。用5mW的連續光測量的過渡線速度為17米/秒。用17PP調製方法進行記錄，基準速度(lx速度)為4.92米/秒、最短標記長度為0.149μm且記錄密度相當於25GB的記錄容量。由2T制8T組成的隨機模式在三個連續的道中記錄10次。中間的道在lx速度下再現，且對有限均值化(limitequalization)後的調製和抖動進行評價。記錄條件示於表3中。對於所有的情況，將Pb的值固定為O.lmW。Tw/(Tw+Tb)的數值是記錄4T至8T標記的條件。對於實施例A-24,2T到3T的標記用單脈沖Pw且在轉變成Pe之前沒有冷卻的情況下進行記錄。對於對比例A-15，2T到3T的標記用單脈衝Pw和在轉變成Pe之前將功率水平減小到Pb的冷卻脈沖進行記錄。圖21和22顯示了抖動和調製之間的關係。表3記錄速度Pe/PwTw/(TW+Tb)實施例A-244x速度0.330.54至0.69比較例A-144x速度0.340.32至0.42比較例A-152x速度0.40.32至0.42表3中的結果以及圖21和22表明，實施例A-24中，在4x速度(19.68米/秒)下進行有利的記錄，同時在比較例A-14中沒有降低抖動也沒有增加調製。然而，正如在比較例A-15中能觀察到的，即使Tw/(Tw+Tb)的值與比較例A-14的相同，也能在2x速度(9.84米/秒)下進行有利的記錄。此處，在比較例A-14和比較例A-15中，在4T-8T之間的5T的記錄條件下，Tw/(iw+Tb)W值為0.42;並且在所有其它的記錄條件下，Tw/(Tw+Tb)的值小於0.4。(實施例A-25和比較例A-16)以與實施例A-23的相同方法製備實施例A-25和比較例A-16的光記錄介質，除了用Ge13Sb67.5Sn15Mn4.5的合金靶形成厚度為llnm的記錄層和用(ZrO2-Y2O3(3mol。/。))-TiO2(20mol。/。)的靶形成厚度為8nm的第二保護層。也用與實施例a-23中相同的方法對光記錄介質進行評價。表4顯示了用2T寫入策略在4x速度下10次重寫後的抖動和調製的結果。表4pw(mW)Pe(mW)Tw/(TW+Tb)σ/Tw(%)調製M實施例A-258.52.60.54至0.697.40.53比較例A-169.53.00.32至0.428.20.61表4中的結果表明，當與Tw/(Tw+Tb)的值較大的實施例A-25相比比較例A-16中的τw/(Tw+Tb)的值較小時，抖動增加了略小於1%。此處，在比較例A-16中，在4T至8T之間的5T的記錄條件下，τw/(τw+τb)的值為0.42;並且在所有其它的記錄條件下，τw/(Tw+Tb)的值小於0.4。(實施例B-l到B-6和比較例B-l到B-4)製備了有如圖16中所示示意橫截面圖的本發明相變光記錄介質相對應的層組成的光記錄介質。也就是說，在具有12cm的直徑、0.6mm的厚度和道間距為0.74pm的槽的由聚碳酸酯樹脂製成的基底(透明樹脂1)上，通過濺射法形成第一保護層2、相變記錄層3、第二保護層4、抗硫化層(未示出)和反射層5。然後用有機保護層6覆蓋在其上，並層壓另一聚碳酸酯盤基底。由此，製備出實施例B-l到B腸6和比較例B-l到B-5的光記錄介質。更具體來說，在聚碳酸酯基底上，沉積厚度60nm的ZnS和Si02的摩爾比為8比2的第一保護層2。然後，沉積表5中所示的In-Sb-Zri組成、厚度為14nrn的相變記錄層3。接著，沉積ZnS和Si02的摩爾比為8比2的厚度為6nm的第二保護層4。此外，層壓TiC和1102的質量比為7比3的、厚度4nm的抗硫化層和厚度200nm的Ag反射層。其上再塗布另一有機保護層，並通過粘合結合另一聚碳酸酯基底。接著，為了初始化，每個光記錄介質通過大直徑的LD進行結晶，並用於以下評估。比較例B-l到B-4顯示了其中的相變記錄層的In-Sb-Zn組成超出了本發明限定的範圍的光記錄介質的實例。以下的表5顯示了該相變記錄層的組成。對於每個如上製備的光記錄介質，使用具有波長為660nm的光學拾取頭和數值孔徑NA為0.65的物鏡的DVD評估系統(DDU-IOOO，PulstecIndustrialCo.，Ltd.製造)對過渡線速度和抖動(cj/Tw)進行測量。測量過渡線速度的功率設定在15mW。而且，抖動(cj/Tw)是在DVD的6x速度和12x速度下用EFM+調製法重寫隨機模式10次後的數值。記錄僅在一個道內進行。對每種情況用其中形成非晶標記的脈沖周期為2T的2T寫入策略進行記錄，同時分別優化寫入功率和脈沖寬度。結果示於表5中。表5completetableseeoriginaldocumentpage46表5中的結果表明，在6x速度和12x速度的任一速度下，對於抖動(σ/Tw)為9%或更少的實施例B-l到B-6，進行了非常有利的記錄。而且，實施例B-l到B-6中，在溫度80℃、相對溼度85﹪下進行保存試驗100小時，在記錄標記抖動(σ/Tw)的增加為1%或更少並且未記錄部分反射率的降低為6%或更少的情況下，對於所有情況的結果都是有利的。另一方面，比較例B-l是其中Sb/(ln+Sb)的比率低於本發明的範圍的情況。對於6x速度和12x速度都為10%左右的抖動(σ/Tw)來說，結果不是非常差。然而，保存後反射率的下降約為10﹪並且存在晶體穩定性的問題。比較例B-2是其中Sb/(ln+Sb)的比率高於本發明範圍的情況。即使對寫入策略和功率進行優化，調製也為40%左右。而且，抖動((σ/Tw)較大。比較例B-3是記錄層的組成中不包含Zn的情況。初始記錄後抖動是有利的，但重寫後抖動不能降低到11%或更小。比較例B-4是其中Zn組分太高的情況。初始化中的非均勻性是嚴重的，且抖動大幅增加。以與實施例B-l中的相同方法製備實例B-7到B-8和比較例B-5到B-6中的光記錄介質，除了構成層的厚度按下表6中所示的進行改變以外。在與實施例B-l相同的條件下，在6x速度和12x速度下對介質的過渡線速度和重寫性能進行了評估。結果示於表6中。比較例B-5到B-6顯示了其中的過渡線速度因層厚度的改變而超過本發明限定的範圍的光記錄介質的實例。表6completetableseeoriginaldocumentpage48表6中的結果表明，在12x速度下，在抖動(σ/Tw)為9%或更少的實施例B-7到B-8中進行了有利的記錄。而且，在實施例B-7到B-8中，在溫度80°C、相對溼度85%下進行保存試—瞼100小時，在記錄標記抖動(σ/Tw)的增加為1%或更少並且未記錄部分反射率的降低為6%或更少的情況下，對於所有情況的結果都是有利的。另一方面，比較例B-5到B-6顯示了在6x速度和12x速度下大數值的抖動(σ/Tw)。在比較例B-6中也嘗試了在lx速度下進行記錄，但10次重寫後的抖動為13%。(實施例B-9到B-ll和比較例B-7)以與實施例B-l中的相同方法製備實施例B-9到B-ll和比較例B-7中的光記錄介質，除了用Sn部分代替作為相變記錄層的組分的Sb並且組成按下表7中的所示進行改變以外。在與實施例B-l相同的條件下，在DVD的6x速度和12x速度下對該介質的過渡線速度和重寫性能進行了評估。結果示於表7中。比較例B-7顯示了其中的Sn組分超出了本發明限定的範圍的光記錄介質的實例。表7complextableseeoriginaldocumentpage49表7中的結果表明，在6x速度和12x速度的任一速度下，在抖動(σ/Tw)為9%或更少或接近9%的實施例B-9到B-ll中進行了有利的記錄。而且，在實施例B-9到B-11中，在溫度80。C、相對溼度85%下進行保存試驗100小時，在記錄標記抖動(d/Tw)的增加為1%或更少並且非記錄部分反射率的降低為6%或更少的情況下，對於所有情況的結果都是有利的。另一方面，比較例B-7由於Sn組分超出了本發明限定的範圍，對於6x速度和12x速度都顯示了大的抖動(o/Tw)。(實施例B-12)以與實施例B-1中的相同方法製備實施例B-12的光記錄介質，除了實施例B-l的第二保護層由如下所示的界面層和第二保護層替代以外。-第二保護層和界面層的形成-在記錄層3上，用摩爾比1:1的Ge02和Ge混合物的耙通過'減射法形成厚度2nm的Ge和O的界面層。在該界面層上，通過濺射法形成厚度4nm、ZnS和Si02的摩爾比為8:2的第二保護層。接著，在與實施例B-l相同的條件下，在6x速度和12x速度下對該製得的光記錄介質的過渡線速度和重寫性能進行了評估。獲得了以下有利的結果，即過渡線速度為28米/秒，IO次重寫後的抖動(cj/Tw)在6x速度下為8.9%並且在12x速度下為9.2%。而且，在溫度80°C、相對溼度85%下進行保存試驗100小時，在記錄標記抖動(cj/Tw)的增加為1%或更少並且未記錄部分反射率的降低為3%或更少的情況下，結果是有利的。(實施例B-13)以與實施例B-5中的相同方法製備實施例B-13的光記錄介質，除了實施例B-5的第二保護層由下述界面層和第二保護層替代以外。-第二保護層和界面層的形成-在記錄層3上，用Si02靶通過賊射法形成厚度2nm的Si02界面層。在該界面層上，通過濺射法形成厚度4nm、ZnS和Si02的摩爾比為8:2的第二保護層。接著，在與實施例B-5相同的條件下，在6x速度和12x速度下對該製得的光記錄介質的過渡線速度和重寫性能進行了評估。獲得了以下有利的結果，即過渡線速度為24米/秒，IO次重寫後的抖動(cj/Tw)在6x速度下為8.5%且在12x速度下為9.6%。而且，在溫度8(TC、相對溼度85°/。下進行保存試驗100小時，在記錄標記抖動(cj/Tw)的增加為1%或更少並且未記錄部分反射率的降低為3%或更少的情況下，結果是有利的。(實施例B-14)通過層壓以下層製備實施例B-14的光記錄介質作為第一保護層的厚度60nm、摩爾比為8:2的ZnS和Si02混合物；作為相變記錄層的厚度14nm、與實施例B-3中的相同材料；作為第二保護層的厚度llnm、ZnO和2%質量的A1203混合物；和作為反射層的厚度200nm的Ag。在獲得的光記錄介質上，用圖24中所示的寫入策略在標記形成過程中沒有冷卻脈沖的情況下在16x速度下進行重寫。10次重寫後的抖動為10.9%，且過渡線速度為35米/秒。而且，在溫度80°C、相對溼度85%下進行保存試驗100小時，在記錄標記抖動(cj/Tw)的增加為1%或更少並且未記錄部分反射率的降低為4%或更少的情況下，結果是有利的。(實施例B-15到B-18)製備了具有依照如圖17中所示示意橫截面圖的本發明相變光記錄介質的層組成的光記錄介質。也就是說，在具有直徑12cm、厚l.lmm和道間距為0.032pm的槽的聚碳酸酯樹脂盤基底1上，通過濺射法形成反射層5、第二保護層4、相變記錄層3和第一保護層2，並且形成厚度0.1mm的覆蓋層7。更具體來說，在該聚碳酸酯盤基底l上，形成下面的層厚度140um、Ag和5質量%Bi的反射層；厚度8nm、ZnO和2質量％八1203的第二保護層4;厚度llnm、具有以下表5中所示組成的相變記錄層3;和厚度33nm、ZnS和Si02的摩爾比為8:2的混合物的第一保護層2。然後，用旋塗法塗布紫外線固化樹脂的粘合劑以使粘合劑層的厚度為25pm。在其上，層壓厚度75)im的聚碳酸酯膜以形成覆蓋層7。為了初始化，對獲得的光記錄介質通過大直徑的LD進行結晶，並用於以下評估。對於如上製備的每個記錄介質，使用具有波長為405nrn的光學拾取頭和數值孔徑NA為0.85的物4竟的藍光光碟評估系統(ODU-IOOO，PulstecIndustrialCo.,Ltd.製造)對過渡線速度和抖動(σ/Tw)進行評估。測量過渡線速度的功率設定在15mW。此處，抖動(σ/Tw)是在lx速度(4.92米/秒)再現後並使用邊界均值器(limit叫ualizer)的數值，該值是用17PP調製方法在藍光光碟的2x速度和4x速度下進行隨機模式的重寫後的數值。記錄僅在一個道內進行。對每個樣品用2T寫入策略進行記錄，其中形成非晶標記的脈衝周期為2T,同時分別優化寫入功率和脈沖。結果示於表8中。此外，在實施例B-15到B-18中，在溫度80℃、相對溼度85%下進行保存試驗100小時，在記錄標記抖動(σ/Tw)的增加為0.5%或更少並且未記錄部分反射率的降低為5%或更少的情形下，所有情況下的結果都是有利的。表8complextableseeoriginaldocumentpageon52表8中的結果表明，在抖動(cj/Tw)在2x速度為6%或更少以及在4x速度下為7%或更小的實施例B-15到B-18中，除了實施例B-15外，進行了有利的記錄。(比較例B-8)以與實施例B-17中的相同方法製備比較例B-8的光記錄介質，除了將相改變記錄層的厚度變成5nm同時保持與實施例B-17相同的組成(In17Sb66Sn10Zn7)。然後，以與實施例B-15到B-18中相同的方法對獲得的光記錄介質進行評估。過渡線速度為4米/秒，且在2x速度和4x速度下的抖動(σ/Tw)都為15%或更大。而且，即使當記錄在lx速度下進行時，抖動(σ/Tw)也為10%或更大。(比較例B-9)以與實施例B-15到B-18中的相同方法製備比較例B-9的光記錄介質，除了將記錄層的組成變成InI4Sb83Zn3。然後，以與實施例B-15到B-18中相同的方法對獲得的光記錄介質進行評估。過渡線速度為37米/秒。調製較小，且在2x速度和4x速度下的抖動(σ/Tw)都為15%或更大。而且，即使當記錄在6x速度下進行時，調製也較小，並且抖動(σ/Tw)為15%或更大。工業實用性本發明的光記錄介質可有利地應用於可進行高密度記錄的具有相變記錄層的光記錄介質，例如DVD+RW、DVD-RW、BD-RE和HDDVDRW。權利要求1.一種光記錄方法，包括以下步驟照射光到包括具有導向槽的基底和在該基底上的相變記錄層的光記錄介質上，和從光的入射方向觀測，對應於該槽的凸起部分或凹入部分的任一種，在該相變記錄層上記錄非晶相的標記和晶相的間隙，其中，通過標記長度記錄法記錄信息，將標記和間隙的臨時長度表示為nT，其中T表示基準時鐘周期，且n表示自然數；所述間隙至少由照射功率Pe的擦除脈衝形成；所有長度為4T或更大的標記由交替照射功率Pw的加熱脈衝和功率Pb的冷卻脈衝且Pw＞Pb的多脈衝形成；並且Pe和Pw滿足下式0.15≤Pe/Pw≤0.4，且0.4≤τw/(τw+τb)≤0.8，其中，τw表示加熱脈衝的長度之和，且τb表示冷卻脈衝的長度之和。2.—種光記錄方法，包括以下步驟照射光到包括具有導向槽的基底和該基底上的相變記錄層的光記錄介質上，和從光入射方向觀測，對應於該槽的凸起部分或凹入部分的任一種，在該相變記錄層上記錄非晶相的標記和晶相的間隙，其中，通過標記長度記錄法記錄信息，將標記和間隙的臨時長度表示為nT,其中T表示基準時鐘周期，且n表示自然數；所述間隙至少由照射功率Pe的擦除脈沖形成，且所述標記由照射功率Pw的加熱脈沖形成，並且Pw>Pb;並且Pe和P"滿足下式0.15《Pe/Pw《0.5。3.根據權利要求l-2任一項所述的光記錄方法，其中，當用波長640nrn至660nm的雷射束進行記錄和再現時，在相對基準速度的10x速度或更快下進行記錄，以及當用波長400nm至410nm的雷射束進行記錄和再現時，在相對基準速度的4x速度或更快下進行記錄。4.根據權利要求l-3任一項所述的光記錄方法，其中，進行記錄，使得徑向上兩相鄰道上標記間的平均最小距離大於道間距的一半。5.根據權利要求l-4任一項所述的光記錄方法，其中，最長標記的調製M滿足下式0.35<M<0.60。6.—種用於根據權利要求1-5任一項所述的光記錄方法中的光記錄介質，其中將與所述光記錄方法相關的信息預先記錄在所述光記錄介質的基底上。7.—種光記錄介質，包括具有導向槽的基底，和在該基底上的相變記錄層，其中所述光記錄介質的旋轉線速度是變量，對應於用拾取頭通過在光記錄介質上照射連續光所測得的反射率開始降低的位置的過渡線速度為5米/秒至35米/秒；且所述相變記錄層包括由下列組成式(1)所表示的相變材料(Sb100-xInx)ioo-y三ny."《且成式(1)其中，在組成式(l)中，x和y表示各個元素的原子百分比；IO原子y。《x《27原子。/。，且1原子。/。《y《10原子％。8.—種光記錄介質，包括具有導向槽的基底，和在該基底上的相變記錄層，其中所述光記錄介質的旋轉線速度是變量，對應於用拾取頭通過在光記錄介質上照射連續光所測得的反射率開始降低的位置的過渡線速度為5米/秒至35米/秒；且所述相變記錄層包括由下列組成式(2)所表示的相變材料[(Sb100-zSnz)100-xInx]100-yZny...組成式(2)其中，在組成式(2)中，x、y和z表示各個元素的原子百分比；0原子。/。《z《25原子。/。，10原子％<乂<27原子％,且l原子。/。《y《10原子％。9.根據權利要求7-8任一項所述的光記錄介質，其中所述光記錄介質從入射光的方向的順序依次包括具有導向槽的基底、第一保護層、相變記錄層、第二保護層和反射層。10.根據權利要求7-9任一項所述的光記錄介質，其中所述相變記錄層具有6nm-22nm的厚度。11.根據權利要求9-10任一項所述的光記錄介質，其中所述光記錄介質包括在相變記錄層和第一保護層之間以及相變記錄層和第二保護層之間的任何一個的中間層，和第二保護層，所述中間層包括Ge和Si的任何一種的氧化物。全文摘要用標記長度記錄方法記錄信息的光記錄方法，其中非晶標記和晶體間隙僅記錄在具有導向槽的基底的槽中，標記和間隙的臨時長度為nT(T表示基準時鐘周期；n表示自然數)。間隙至少通過擦除功Pe率的脈衝形成；所有的4T或更長的標記通過交替照射功率Pw的加熱脈衝和功率Pb的冷卻脈衝且Pw＞Pb的多脈衝形成；並且Pe和Pw滿足以下的關係0.15≤Pe/Pw≤0.4，且0.4≤τw/(τw+τb)≤0.8，其中τw表示加熱脈衝的長度之和，τb表示冷卻脈衝的長度之和。文檔編號G11B7/006GK101208744SQ200680019730公開日2008年6月25日申請日期2006年3月31日優先權日2005年4月1日發明者三浦裕司,伊藤和典,出口浩司,大倉浩子,安部美樹子,日比野榮子申請人:株式會社理光