應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法及裝置製造方法
2023-12-02 12:07:56 1
應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法及裝置製造方法
【專利摘要】本發明公開了一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定裝置，所述標定裝置包括：工作平臺、龍門、標定尺、斜墊塊、圖像採集設備CCD，單軸位移平臺，所述吸盤放置於所述工作平臺上，所述標定尺放置於所述斜墊塊上且設置有等間距的固定圖形，所述斜墊塊放置於所述吸盤一側，所述工作平臺上設有龍門，所述CCD通過所述單軸位移平臺與所述龍門上滑動連接。相應地，本發明提供了一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法，本發明結構簡單，測量誤差較小，實用性較強，通過簡單的結構能夠實現標定CCD的測量變化，通過測量結果計算出CCD在圖像採集過程中發生的偏移誤差，對CCD的位移平臺進行補償。
【專利說明】應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法及裝置
【技術領域】
[0001]本發明屬於印刷線路板設備【技術領域】，尤其是涉及一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法及裝置。
【背景技術】
[0002]雷射成像系統是在有襯底的表面上直接顯示設計的圖像，用紫外光、遠紫外光、準直光等經空間光調製器SLM和投影物鏡將光投向襯底的表面，觸發襯底的表面感光材料的光觸反應，曝光結束的襯底經顯影劑等處理，顯示出設計的圖像，成像精度高，最小線寬達10 μ m0
[0003]在實際使用中，放置於吸盤上的基板厚度在0_5mm之間，但相機焦深僅1mm，面對不同厚度的基板，精確測量時，需上下移動相機，使得圖形標記處於焦深範圍內。在通過電機上下移動過程中，由於不存在絕對垂直的電機對圖形標記，會產生10微米左右的誤差，但雷射成像系統中能忍受的最大誤差在3微米以內，如此大的誤差會導致相機無法標定。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是提供一種標定位移平臺線性度的方法及系統，以解決現有技術中存在的上述缺陷。
[0005]為實現本發明的目的，本發明提供了一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定裝置，所述標定裝置包括:工作平臺、龍門、標定尺、斜墊塊、圖像採集設備(XD，單軸位移平臺，所述吸盤放置於所述工作平臺上，所述標定尺放置於所述斜墊塊上且設置有等間距的固定圖形，所述斜墊塊放置於所述吸盤一側，所述工作平臺上設有龍門，所述CCD通過所述單軸位移平臺與所述龍門上滑動連接。
[0006]優選地，所述斜墊塊較高一端高度為5mm,較低一端為0mm。
[0007]相應地，本發明提供了一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法，所述標定方法包括如下步驟:
[0008]第I步，CXD獲取標定尺上第一固定圖形進行定位，獲取所述第一固定圖形的坐標(xl>yl)；
[0009]第2步，基板厚度為H，垂直移動(XD距離H，移動吸盤使得所述基板與所述標定尺都在所述CCD焦深內；
[0010]第3步，C⑶獲取標定尺上第二固定圖形進行定位，獲取所述第二固定圖形的坐標(x2、y2)；
[0011]第4步，所述第一固定圖形與所述第二固定圖形之間的距離為L，標定尺傾斜角為α，則計算CCD移動後的偏移為:Χ軸偏移:X1-X2-LC0S α，Y軸偏移:y2-yl_H。
[0012]優選地，所述斜墊塊較高一端高度為5mm,較低一端為0mm。
[0013]本發明的有益效果為，本發明結構簡單，測量誤差較小，實用性較強，通過簡單的結構能夠實現標定CCD的測量變化，通過測量結果計算出CCD在圖像採集過程中發生的偏移誤差，對CCD的位移平臺進行補償，。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1為本發明的裝置結構示意圖；
[0015]圖2為本發明提供的標定尺結構示意圖；
[0016]圖3為本發明提供的CCD獲取標定尺第一固定圖形示意圖；
[0017]圖4為本發明提供的CCD獲取標定尺第二固定圖形示意圖；
[0018]圖5為本發明提供的方法流程圖；
[0019]圖中，1-吸盤，2-斜墊塊，3-龍門，4-標定尺，5-圖像採集設備，6_單軸位移平臺，7-標定尺上第一固定圖形，8-標定尺上第二固定圖形。
【具體實施方式】
[0020]為了使本發明的目的、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解為此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限制本發明的保護範圍。
[0021]如圖1、圖2、圖3、圖4所示，本發明提供了一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定裝置，所述標定裝置包括:工作平臺、龍門、標定尺、斜墊塊、圖像採集設備(XD，單軸位移平臺，所述吸盤放置於所述工作平臺上，所述標定尺放置於所述斜墊塊上且設置有等間距的固定圖形，所述斜墊塊放置於所述吸盤一側，所述工作平臺上設有龍門，所述CCD通過所述單軸位移平臺與所述龍門上滑動連接。
[0022]優選地，所述斜墊塊較高一端高度為5mm,較低一端為0mm。
[0023]在雷射成像系統中，基板的厚度一般不超過5_，所以，本發明中利用一塊斜墊塊作為標定用，斜墊塊的較高一端為5mm,較低一端為0_。通過在所述標尺上任意兩點之間的取值，經過計算後測量出，位移平臺的偏移，對位移平臺進行補償。
[0024]使用的時候，由圖像採集設備C⑶獲取標定尺上一固定圖形位置進行定位，獲取坐標pi (xl、yI )，根據基板厚度Hl，移動CXD距離Hl，移動吸盤，X軸移動Al，Y軸移動BI，保證基板與標定尺都在CCD相機焦深內，由CCD獲取標定尺上一最清晰圖形位置，進行定位獲取坐標p2(X2，Y2)。標定尺上圖形間距相等，得到pi與ρ2間的距離為L，由於標定尺傾斜角度α，吸盤理論移動距離為L*cos α。通過pi得到的坐標，與ρ2得到的坐標和(XDJl盤移動的距離，計算出CCD移動後的偏移誤差。
[0025]計算方式為:Χ軸的偏移X=Xl-X2_L*cos α
[0026]Y 軸的偏移 Υ=Υ2-Υ1_Η1
[0027]利用得到的偏移誤差，對安裝有CCD的位移平臺進行補償。
[0028]相應地，如圖5所示，本發明提供了一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法，所述標定方法包括如下步驟:
[0029]步驟501，C⑶獲取標定尺上第一固定圖形進行定位，獲取所述第一固定圖形的坐標(xl、yl)；
[0030]步驟502，基板厚度為H，垂直移動CXD距離H，移動吸盤使得所述基板與所述標定尺都在所述CCD焦深內；[0031]步驟503，C⑶獲取標定尺上第二固定圖形進行定位，獲取所述第二固定圖形的坐標(x2、y2)；
[0032]步驟504，所述第一固定圖形與所述第二固定圖形之間的距離為L，標定尺傾斜角為α，則計算CCD移動後的偏移為:Χ軸偏移:X1-X2-LC0S α，Y軸偏移:y2-yl_H。
[0033]優選地，所述斜墊塊較高一端高度為5mm,較低一端為0mm。
[0034]本發明的有益效果為，本發明結構簡單，測量誤差較小，實用性較強，通過簡單的結構能夠實現標定CCD的測量變化，通過測量結果計算出CCD在圖像採集過程中發生的偏移誤差，對CCD的位移平臺進行補償。
[0035]以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定裝置，其特徵在於，所述標定裝置包括:工作平臺、龍門、標定尺、斜墊塊、圖像採集設備(XD，單軸位移平臺，所述吸盤放置於所述工作平臺上，所述標定尺放置於所述斜墊塊上且設置有等間距的固定圖形，所述斜墊塊放置於所述吸盤一側，所述工作平臺上設有龍門，所述CCD通過所述單軸位移平臺與所述龍門上滑動連接。
2.根據權利要求1所述的應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定裝置，其特徵在於，所述斜墊塊較高一端高度為5mm,較低一端為Omm。
3.一種應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法，其特徵在於，所述標定方法包括如下步驟: 第I步，CCD獲取標定尺上第一固定圖形進行定位，獲取所述第一固定圖形的坐標(xl、yi)； 第2步，基板厚度為H，垂直移動CCD距離H，移動吸盤使得所述基板與所述標定尺都在所述CCD焦深內； 第3步，CCD獲取標定尺上第二固定圖形進行定位，獲取所述第二固定圖形的坐標(x2、y2)； 第4步，所述第一固定圖形與所述第二固定圖形之間的距離為L，標定尺傾斜角為α，則計算CCD移動後的偏移為:Χ軸偏移:X1-X2-LC0S α，Y軸偏移:y2-yl_H。
4.根據權利要求3所述的應用於雷射成像系統中不同厚度基板的標定方法，其特徵在於，所述斜墊塊較高一端高度為5mm,較低一端為0mm。
【文檔編號】G01B11/03GK103615979SQ201310659550
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年12月5日 優先權日:2013年12月5日
【發明者】李顯傑, 趙飛 申請人:天津芯碩精密機械有限公司