顯示面板的製造方法與流程

2024-02-13 11:17:15

本發明涉及顯示面板的製造方法。

背景技術：

以往，作為一種顯示面板的液晶面板的製造方法已知下述專利文獻1中記載的方法。在該專利文獻1中，在清洗液晶用玻璃基板時，在大氣壓附近的壓力下，在含有4體積％以上的氧的氣氛中，在相對的一對電極中的至少一方的相對面設置固體電介質，使通過對該一對相對電極間施加脈衝化的電場而產生的放電等離子體與液晶用玻璃基板接觸，由此能流水線化，並且實現大面積處理、處理的高速化。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2002-143795號公報

技術實現要素：

發明要解決的問題

上述專利文獻1以高速清洗液晶用玻璃基板的有機汙物等為目的，因此是在特定的條件(4體積％以上的氧氣氛)下進行等離子體清洗。然而，在該專利文獻1記載的等離子體清洗中，存在如下問題：將牢固地固定到液晶用玻璃基板的表面的異物充分地分解或分離是困難的，由這樣的異物引起的不合格率的改善是困難的。

本發明是基於上述情況而完成的，其目的在於改善顯示面板的合格率。

用於解決問題的方案

本發明的顯示面板的製造方法具備：溼式清洗工序，對顯示基板的表面進行溼式清洗；等離子體清洗工序，在上述溼式清洗工序之前和之後中的至少一方進行，通過對上述顯示基板的表面照射等離子體來清洗該表面；以及偏振板貼附工序，在結束上述溼式清洗工序和上述等離子體清洗工序後，將偏振板貼附到上述顯示基板的表面。

在溼式清洗工序中，通過對顯示基板的表面進行溼式清洗，將附著到顯示基板的表面的異物除去。在該溼式清洗工序中，通過選擇清洗方式、清洗液，能高效地除去附著到顯示基板的表面的水溶性異物、油溶性異物等。另一方面，在等離子體清洗工序中，通過對顯示基板的表面照射等離子體來清洗該表面，由此將固定到顯示基板的表面的異物除去。在該等離子體清洗工序中，能將在上述溼式清洗工序中難以分解、分離的牢固地固定到顯示基板的表面的異物高效地分解或分離。

這樣，先於偏振板貼附工序而進行溼式清洗工序和乾式等離子體清洗工序，因此在偏振板貼附工序中，在將偏振板貼附到顯示基板的表面時不易產生以夾在顯示基板和偏振板之間的形式殘存異物的情況。由此，不易產生由夾在顯示基板和偏振板之間的異物引起的顯示不良，從而製造的顯示面板的合格率變高。而且，先於偏振板貼附工序而進行等離子體清洗工序，從而在偏振板貼附工序中貼附到顯示基板的表面的偏振板的緊貼性變高。由此，在顯示基板和偏振板之間不易產生氣泡，因此不易產生由這樣的氣泡引起的不良，另外，在偏振板貼附工序之後能不需要用於除去氣泡的脫泡工序，因此能實現顯示面板的製造成本的低廉化。

作為本發明的實施方式，優選如下構成。

(1)上述等離子體清洗工序在上述溼式清洗工序之前進行。這樣，在等離子體清洗工序中，牢固地固定到顯示基板的表面的異物通過等離子體的照射而成為從該表面分離的狀態。通過在該等離子體清洗工序之後進行溼式清洗工序，能高效地除去從顯示基板的表面分離的異物。由此，不易產生在等離子體清洗工序中從顯示基板的表面分離的異物在偏振板貼附工序中還殘存在顯示基板的表面上的情況，因此，製造的顯示面板的合格率進一步變高。

(2)在上述溼式清洗工序和上述等離子體清洗工序中，對上述顯示基板中的至少顯示圖像的顯示區域的整個區域進行清洗。這樣，通過對至少顯示圖像的顯示區域的整個區域進行溼式清洗和等離子體清洗，不易產生在顯示區域中異物夾在顯示基板和偏振板之間的情況，並且不易產生由該異物引起的顯示不良。

(3)在上述等離子體清洗工序中，將等離子體的照射所使用的等離子體照射裝置的輸出設為200W～500W的範圍來進行等離子體的照射。這樣，等離子體的照射所使用的等離子體照射裝置的輸出在低於200W時，有可能無法充分地進行牢固地固定到顯示基板的表面的異物的分解、分離，而在高於500W時，照射的等離子體有可能對設置於顯示基板的用於顯示的結構物(配線等)造成不良影響。在這點上，通過將在等離子體清洗工序中等離子體的照射所使用的等離子體照射裝置的輸出設為200W～500W的範圍，能將牢固地固定到顯示基板的表面的異物充分地分解或分離，並且不易產生所照射的等離子體對設置於顯示基板的用於顯示的結構物(配線等)造成不良影響的情況。

發明效果

根據本發明，能改善顯示面板的合格率。

附圖說明

圖1是示出根據本發明的實施方式1的液晶面板的製造方法製造的液晶面板的截面構成的概略截面圖。

圖2是示出構成液晶面板的陣列基板的顯示部的平面構成的放大俯視圖。

圖3是示出構成液晶面板的CF基板的顯示部的平面構成的放大俯視圖。

圖4是示出液晶面板的製造方法所包含的各工序的圖。

圖5是概略地示出遠程型的等離子體清洗裝置的圖。

圖6是概略地示出直接型的等離子體清洗裝置的圖。

圖7是表示對進行等離子體清洗工序前的各基板的外面拍攝的照片、對進行等離子體清洗工序後的各基板的外面拍攝的照片以及對進行溼式清洗工序後的各基板的外面拍攝的照片的圖。

圖8是示出本發明的實施方式2的液晶面板的製造方法所包含的各工序的圖。

具體實施方式

＜實施方式1＞

根據圖1至圖7說明本發明的實施方式1。在本實施方式中，例示了液晶顯示裝置(顯示裝置)所使用的液晶面板11的製造方法。此外，在各附圖的一部分示出X軸、Y軸以及Z軸，各軸方向以成為各附圖中示出的方向的方式進行描述。

首先，說明液晶面板11的構成。如圖1所示，液晶面板11具備：一對透明的(透光性優異的)基板11a、11b；以及液晶層11c，其介於兩基板11a、11b間，包含作為伴隨著施加電場而光學特性變化的物質的液晶分子，兩基板11a、11b在維持液晶層11c的厚度程度的單元間隙的狀態下通過未圖示的密封劑貼合。該液晶面板11為TN(Twisted Nematic：扭曲向列)型。兩基板11a、11b分別具備大致透明的玻璃基板GS，並設為在各自的玻璃基板GS上通過已知的光刻法等層疊多個膜的構成。兩基板11a、11b中的表側(正面側)基板為CF基板(顯示基板、相對基板)11a，裡側(背面側)基板為陣列基板(顯示基板、元件基板、有源矩陣基板)11b。在兩基板11a、11b的外面(表面)11a1、11b1側，分別貼附有偏振板11f、11g。因此，兩基板11a、11b的外面11a1、11b1為偏振板11f、11g的貼附面。這一對偏振板11f、11g為偏振方向相互正交(相差90°)的所謂的正交尼科爾配置。即，該液晶面板11在不通電時(不對像素電極18施加電壓時)透射率最小而成為黑顯示的常黑模式。此外，在兩基板11a、11b的內面側，分別形成有用於使液晶層11c所包含的液晶分子取向的取向膜11d、11e。

在陣列基板11b中的顯示圖像的畫面中央側的顯示區域的內面側(液晶層11c側、與CF基板11a相對的一面側)，如圖1和圖2所示，作為開關元件的TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)17和像素電極18按矩陣狀排列設置有多個，並且在這些TFT17和像素電極18的周圍以包圍的方式配設有呈格子狀的柵極配線19和源極配線20。換句話說，在呈格子狀的柵極配線19和源極配線20的交叉部，TFT17和像素電極18並列配置成矩陣狀。柵極配線19和源極配線20分別連接到TFT17的柵極電極和源極電極，像素電極18連接到TFT17的漏極電極。另外，像素電極18在俯視時呈縱長的方形狀(矩形狀)，並且包括使用了ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)或ZnO(Zinc Oxide：氧化鋅)等透光性和導電性優異的材料的透光性導電膜。此外，在陣列基板11b上也能設置與柵極配線19並行並且橫穿像素電極18的電容配線(未圖示)。

另一方面，在CF基板11a中的顯示圖像的畫面中央側的顯示區域的內面側，如圖1和圖3所示，設置有彩色濾光片11h，彩色濾光片11h是將R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)等的各著色部以與陣列基板11b側的各像素電極18在俯視時重疊的方式按矩陣狀並列配置多個而成的。在形成彩色濾光片11h的各著色部間，形成有用於防止混色的大致格子狀的遮光層(黑矩陣)11i。遮光層11i配置為與上述柵極配線19及源極配線20在俯視時重疊。在彩色濾光片11h和遮光層11i的表面，設置有與陣列基板11b側的像素電極18相對的整面狀的相對電極11j。此外，在該液晶面板11上，如圖1至圖3所示，R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)的3色的著色部和與它們相對的3個像素電極18的組構成作為顯示單位的1個顯示像素。顯示像素包括具有R著色部的紅色像素、具有G著色部的綠色像素以及具有B著色部的藍色像素。該各色的像素在液晶面板11的板面上沿著行方向(X軸方向)反覆排列配置從而構成像素組，該像素組沿著列方向(Y軸方向)排列配置有多個。

上述構成的液晶面板11利用從未圖示的作為外部光源的背光源裝置照射的光來顯示圖像。具體地說，從背光源裝置照射的光在透射過液晶面板11的裡側的偏振板11g時偏振方向一致。該偏振方向一致的光在液晶層11c中根據液晶分子的取向狀態而偏振狀態發生變化。在此，基於像素電極18和共用電極11j之間產生的電位差來控制液晶層11c所包含的液晶分子的取向狀態，因此會按各像素電極18(按各顯示像素)控制透射光的偏振狀態。透射過液晶層11c的光通過透射過彩色濾光片11h而成為與各著色部對應的顏色的光，透射過表側的偏振板11f而出射。按各顯示像素單獨地控制該液晶面板11的出射光量，由此能顯示規定的彩色圖像。

接著，說明液晶面板11的製造方法。如圖4所示，液晶面板11的製造方法具備：結構物形成工序(光刻工序)，利用已知的光刻法等在構成CF基板11a和陣列基板11b的各玻璃基板GS的內面層疊形成各種金屬膜、絕緣膜等而分別形成各種結構物；基板貼合工序，以使液晶層11c介於CF基板11a和陣列基板11b之間的形式將CF基板11a和陣列基板11b貼合；溼式清洗工序，對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1進行溼式清洗；乾式等離子體清洗工序，在上述溼式清洗工序之前對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1進行等離子體清洗；以及偏振板貼附工序，對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1貼附偏振板11f、11g。以下，詳細說明上述各工序中的溼式清洗工序和等離子體清洗工序。

溼式清洗工序是在進行下面描述的等離子體清洗工序後並且在偏振板貼附工序的緊前進行的。在溼式清洗工序中，對經歷基板貼合工序而相互貼合的CF基板11a和陣列基板11b的作為偏振板11f、11g的貼附面的外面11a1、11b1整個面進行溼式清洗，由此能高效地除去附著到該11a1、11b1的異物。在該溼式清洗工序中從CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1除去的異物主要是水溶性異物、油溶性異物等，是在經歷結構物形成工序、基板貼合工序的過程中附著到上述外面11a1、11b1的異物。在該溼式清洗工序中，對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1整個面進行溼式清洗，因此對顯示圖像的顯示區域的整個區域和不顯示圖像的非顯示區域的整個區域均進行清洗。

作為在該溼式清洗工序中採用的清洗方式，例如，可舉出研磨式、刷式、溫水清洗式、蒸氣清洗式等。其中，在研磨式中，利用研磨片等對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1進行物理性研磨而將附著到該外面11a1、11b1的異物除去，之後利用純水、超純水等清洗液進行衝洗。在刷式中，使清洗刷一邊旋轉一邊接觸CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1，從而擦去附著到該外面11a1、11b1的異物，之後利用超純水等清洗液進行衝洗。在溫水清洗式中，通過從噴嘴向CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1噴射溫水來衝洗附著到該外面11a1、11b1的異物。在蒸氣清洗式中，由蒸氣生成器(蒸氣鍋爐)將純水、超純水等清洗液變成清洗用蒸氣，通過將該清洗用蒸氣從噴嘴噴出到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1來衝洗附著到該外面11a1、11b1的異物。如上所述將純水、超純水等用作清洗液對於除去附著到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的水溶性異物是優選的。此外，作為清洗液，除了純水、超純水以外也能使用有機溶劑，使用有機溶劑對於除去附著到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的油溶性異物是優選的。

等離子體清洗工序是在進行上述溼式清洗工序前的階段進行的。在該等離子體清洗工序中，通過對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1照射等離子體而將該外面11a1、11b1整個面進行等離子體清洗，由此能高效地分解或分離牢固地固定到該外面11a1、11b1且在上述溼式清洗工序中難以分解或分離的異物。在等離子體清洗工序中分解或分離的異物主要是丙烯酸系等樹脂系異物、橡膠系異物、碎玻璃等，是在經歷結構物形成工序或基板貼合工序的過程中牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物。在該等離子體清洗工序中，對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1整個面進行等離子體清洗，因此對顯示圖像的顯示區域的整個區域和不顯示圖像的非顯示區域的整個區域均進行清洗。

在該等離子體清洗工序中，使用照射大氣壓等離子體的大氣壓等離子體式的等離子體清洗裝置。作用等離子體清洗裝置，例如能使用遠程型的等離子體清洗裝置30。如圖5所示，該遠程型的等離子體清洗裝置30具備：搬送部31，其搬送CF基板11a和陣列基板11b；一對電極部32，其相對於被搬送的CF基板11a和陣列基板11b配置在與搬送部31側相反的一側，相互相對狀地配置；以及空氣噴嘴33，其相對於一對電極部32配置在與搬送部31側相反的一側，將淨化後的壓縮空氣吹出到一對電極部32之間。根據遠程型的等離子體清洗裝置30，在一對電極部32之間產生電場的狀態下從空氣噴嘴33吹出的壓縮空氣經過一對電極部32之間而產生等離子體，該產生的等離子體照射到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1。除了該遠程型的等離子體清洗裝置30以外，例如，也能使用直接型的等離子體清洗裝置40作為等離子體清洗裝置。如圖6所示，直接型的等離子體清洗裝置40具備：搬送部41，其搬送CF基板11a和陣列基板11b；以及一對電極部42，其以在板厚方向上從兩側夾著被搬送的CF基板11a和陣列基板11b的形式配置。根據直接型的等離子體清洗裝置40，通過在一對電極部42之間產生電場而產生等離子體，該產生的等離子體照射到經過一對電極部42之間的CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1。

在使用上述等離子體清洗裝置進行等離子體清洗工序時，優選將等離子體清洗裝置的輸出設為200W～500W的範圍。等離子體照射裝置的輸出在低於200W時，有可能無法充分地進行牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物的分解、分離，而在高於500W時，照射的等離子體有可能對設置於CF基板11a和陣列基板11b的用於顯示的結構物(TFT17、像素電極18、各配線19、20等)造成不良影響。在這點上，如上所述通過將等離子體照射裝置的輸出設為200W～500W的範圍，能將牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物充分地分解或分離，並且不易產生所照射的等離子體對設置於CF基板11a和陣列基板11b的用於顯示的結構物造成不良影響的情況。另外，在遠程型的等離子體清洗裝置30中，優選CF基板11a和陣列基板11b的搬送速度為30mm/sec～200mm/sec的範圍，優選CF基板11a及陣列基板11b與電極部32之間的距離(工作距離)為3mm～50mm的範圍，而且優選由空氣噴嘴33吹出的壓縮空氣的流量為5l/min～30l/min的範圍。此外，一般地，為了提高基板的表面的親水性、緊貼性而進行等離子體照射的情況下，等離子體照射裝置的輸出為50W程度的低輸出。

並且，根據該液晶面板11的製造方法，在進行貼合工序後，首先，進行等離子體清洗工序，由此能將牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物分解或分離。此時，在CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1，異物即使不分離也至少會被分解，異物的外形變小，因此之後被判斷為顯示不良的可能性降低，由此能實現合格率的改善。在圖7的左端記載有對進行等離子體清洗工序前的各基板11a、11b的外面11a1、11b1拍攝的照片，在該圖中央記載有對進行等離子體清洗工序後的各基板11a、11b的外面11a1、11b1拍攝的照片，根據該圖中央的照片可知，與進行等離子體清洗工序前相比異物被分解而變細小。當在進行等離子體清洗工序後，進行溼式清洗工序時，在之前的等離子體清洗工序中從CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1分離的異物被高效地除去而防止其再次附著，並且高效地除去附著到該外面11a1、11b1的水溶性異物、油溶性異物等。在圖7的右端記載有對進行溼式清洗工序後的各基板11a、11b的外面11a1、11b1拍攝的照片，根據該圖右端的照片可知，成為了幾乎不存在異物的狀態。此外，在圖7中矩陣狀地排列有多個的方形狀的圖案是彩色濾光片11h映照出的圖案。當在進行溼式清洗工序後，進行偏振板貼附工序時，對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1分別貼附偏振板11f、11g。此時，CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1成為其大致整個區域的異物已通過上述等離子體清洗工序和溼式清洗工序被去除的狀態，因此不易產生以夾在貼附的偏振板11f、11g之間的形式殘存異物的情況。因此，不易產生由夾在CF基板11a及陣列基板11b的外面11a1、11b1與偏振板11f、11g之間的異物引起的顯示不良，從而製造的液晶面板11的合格率變高。具體地說，以往採用不進行等離子體清洗工序的製造方法的情況下的異物引起的不合格率為2％～3％程度，但是如本實施方式這樣採用進行等離子體清洗工序的製造方法的情況下的異物引起的不合格率為1.5％～2.5％程度，由異物引起的不合格率實現了0.5％程度的改善。而且，通過經歷等離子體清洗工序，在偏振板貼附工序中貼附到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的偏振板11f、11g的緊貼性變高。由此，在CF基板11a及陣列基板11b與偏振板11f、11g之間不易產生氣泡，因此不易產生由這樣的氣泡引起的不良，另外在偏振板貼附工序之後能不需要用於除去氣泡的脫泡工序，因此能實現液晶面板11的製造成本的低廉化。

如以上說明所示，本實施方式的液晶面板(顯示面板)11的製造方法具備：溼式清洗工序，對CF基板11a和陣列基板11b(顯示基板)的外面(表面)11a1、11b1進行溼式清洗；等離子體清洗工序，在溼式清洗工序之前和之後中的至少一方進行，通過對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1照射等離子體來清洗該外面11a1、11b1；以及偏振板貼附工序，在結束溼式清洗工序和等離子體清洗工序後，將偏振板11f、11g貼附到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1。

在溼式清洗工序中，對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1進行溼式清洗，由此除去附著到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物。在該溼式清洗工序中，通過選擇清洗方式、清洗液，能高效地除去附著到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的水溶性異物、油溶性異物等。另一方面，在等離子體清洗工序中，通過對CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1照射等離子體來清洗該外面11a1、11b1，由此除去固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物。在該等離子體清洗工序中，能將在上述溼式清洗工序中難以分解、分離的牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物高效地分解或分離。

這樣，先於偏振板貼附工序而進行溼式清洗工序和乾式等離子體清洗工序，因此在偏振板貼附工序中，在將偏振板11f、11g貼附到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1時不易產生以夾在CF基板11a及陣列基板11b與偏振板11f、11g之間的形式殘存異物的情況。由此，不易產生由夾在CF基板11a及陣列基板11b與偏振板11f、11g之間的異物引起的顯示不良，從而製造的液晶面板11的合格率變高。而且，先於偏振板貼附工序而進行等離子體清洗工序，由此在偏振板貼附工序中貼附到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的偏振板11f、11g的緊貼性變高。由此，在CF基板11a及陣列基板11b與偏振板11f、11g之間不易產生氣泡，因此不易產生由這樣的氣泡引起的不良，另外，在偏振板貼附工序之後能不需要用於除去氣泡的脫泡工序，因此能實現液晶面板11的製造成本的低廉化。

另外，等離子體清洗工序在溼式清洗工序之前進行。這樣，在等離子體清洗工序中，牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物通過等離子體的照射而成為從該外面11a1、11b1分離的狀態。通過在該等離子體清洗工序之後進行溼式清洗工序，能高效地除去從CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1分離的異物。由此，不易產生在等離子體清洗工序中從CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1分離的異物在偏振板貼附工序中還殘存在CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1上的情況，因此，製造的液晶面板11的合格率進一步變高。

另外，在溼式清洗工序和等離子體清洗工序中，對CF基板11a和陣列基板11b中的至少顯示圖像的顯示區域的整個區域進行清洗。這樣，通過對至少顯示圖像的顯示區域的整個區域進行溼式清洗和等離子體清洗，不易產生在顯示區域中異物夾在CF基板11a及陣列基板11b與偏振板11f、11g之間的情況，並且不易產生由該異物引起的顯示不良。

另外，在等離子體清洗工序中，將等離子體的照射所使用的等離子體照射裝置30、40的輸出設為200W～500W的範圍來進行等離子體的照射。這樣，等離子體的照射所使用的等離子體照射裝置30、40的輸出在低於200W時，有可能無法充分地進行牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物的分解、分離，而在高於500W時，照射的等離子體有可能對設置於CF基板11a和陣列基板11b的用於顯示的結構物(各配線19、20等)造成不良影響。在這點上，通過將在等離子體清洗工序中等離子體的照射所使用的等離子體照射裝置30、40的輸出設為200W～500W的範圍，能將牢固地固定到CF基板11a和陣列基板11b的外面11a1、11b1的異物充分地分解或分離，並且不易產生所照射的等離子體對設置於CF基板11a和陣列基板11b的用於顯示的結構物(各配線19、20等)造成不良影響的情況。

＜實施方式2＞

根據圖8說明本發明的實施方式2。在該實施方式2中，示出調換了等離子體清洗工序和溼式清洗工序的順序的情況。此外，對與上述實施方式1同樣的結構、作用以及效果省略重複的說明。

如圖8所示，在本實施方式的液晶面板的製造方法中，在進行基板貼合工序後進行溼式清洗工序，之後進行等離子體清洗工序，然後進行偏振板貼附工序。這樣，即使在進行溼式清洗工序後進行等離子體清洗工序的情況下，牢固地附著到各基板的外面的異物也會通過等離子體照射而被分解，異物的外形變小，因此在之後被判斷為顯示不良的可能性降低，由此能實現合格率的改善。

＜實施方式3＞

說明本發明的實施方式3。在該實施方式3中，示出從上述實施方式2變更了在等離子體清洗工序中使用的等離子體清洗裝置的輸出的情況。此外，對與上述實施方式2同樣的結構、作用以及效果省略重複的說明。

在本實施方式的等離子體清洗工序中，等離子體照射裝置的輸出為50W～200W的範圍，為比上述實施方式1、2的等離子體清洗工序中所使用的等離子體照射裝置的輸出(200W～500W的範圍)低的輸出。通過在溼式清洗工序之後且在偏振板貼附工序的緊前進行這樣的等離子體清洗工序，在偏振板貼附工序中貼附到各基板的外面的偏振板的緊貼性變高。由此，在各基板和偏振板之間不易產生氣泡，因此不易產生由這樣的氣泡引起的不良，另外，在偏振板貼附工序之後能不需要用於除去氣泡的脫泡工序，因此能實現液晶面板的製造成本的低廉化。

＜其它實施方式＞

本發明不限於根據上述記載和附圖說明的實施方式，例如下面的實施方式也包含在本發明的技術範圍中。

(1)在上述各實施方式中，例示了在溼式清洗工序之前或之後進行等離子體清洗工序的製造方法，但是也可以在溼式清洗工序之前和之後均進行等離子體清洗工序。

(2)本發明能適用於對各基板的外面的整個區域貼附偏振板的構成的液晶面板的製造方法。除此以外，本發明也能適用於對各基板的外面的中央側的大部分(至少包含顯示區域的整個區域)貼附偏振板但是不對外端部貼附偏振板的構成的液晶面板的製造方法。

(3)在上述實施方式1中，作為等離子體清洗工序的具體例，示出了大氣壓等離子體式，但是除此以外，也能進行真空等離子體式的等離子體清洗工序。

(4)在上述實施方式1中，作為溼式清洗工序的具體例，示出了研磨式、刷式、溫水清洗式、蒸氣清洗式，但是除此以外，例如，也能進行超聲波式、浸漬式、鼓泡式、電解式等溼式清洗工序。

(5)在上述各實施方式中，例示了一對偏振板為正交尼科爾配置的液晶面板的製造方法，但是本發明也能適用於設為一對偏振板的偏振方向相互平行的所謂的平行尼科爾配置，在不通電時(不對像素電極施加電壓時)透射率最大而成為白顯示的常白模式的液晶面板的製造方法。

(6)在上述各實施方式中，例示了透射型的液晶面板的製造方法，但是本發明也能適用於半透射型的液晶面板的製造方法或反射型的液晶面板的製造方法。

(7)在上述各實施方式中，例示了液晶面板的製造方法，但是除此以外本發明也能適用於有機EL面板的製造方法。具體地說，只要在進行將用於防反射的圓偏振板貼附到有機EL面板的偏振板貼附工序之前進行溼式清洗工序和等離子體清洗工序即可。

附圖標記說明

11...液晶面板(顯示面板)，11a...CF基板(顯示基板)，11a1...外面(表面)，11b...陣列基板(顯示基板)，11b1...外面(表面)，11f、11g...偏振板，30...遠程型的等離子體清洗裝置(等離子體清洗裝置)，40...直接型的等離子體清洗裝置(等離子體清洗裝置)。