一種離子注入機臺匹配方法、裝置、設備及存儲介質與流程
2024-04-12 02:05:05
1.本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種離子注入機臺匹配方法、裝置、設備及存儲介質。
背景技術：
2.在半導體製造過程中，需要對新裝離子注入機臺與基準(baseline)離子注入機臺進行工藝參數的匹配。現有技術通常先計算出新裝機臺與基準機臺方塊電阻(rs)的差異值，並根據該差異值對新裝機臺的劑量補償係數進行微調，使新裝機臺與基準機臺的rs匹配，然後根據二次離子質譜(sims，secondary ion mass spectroscopy)的曲線圖(profile)重合程度確認新裝機臺與基準機臺是否匹配。
3.然而，上述現有技術可能存在新裝機臺與基準機臺的rs匹配，但是sims結果不匹配的情況，此時就需要重新微調新裝機臺的劑量補償係數，然後重新測量sims，直至sims結果完全匹配。這樣不僅會降低新裝機臺與基準機臺的匹配效率，而且反覆測量sims也會增加新裝機臺與基準機臺的匹配成本。
技術實現要素：
4.本公開提供了一種離子注入機臺匹配方法、裝置、設備及存儲介質，以至少解決現有技術中存在的以上技術問題。
5.根據本公開的第一方面，提供了一種離子注入機臺匹配方法，該方法包括：確定預設注入條件；在所述預設注入條件下，根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺；對所述修正新裝機臺與所述基準機臺進行二次離子質譜sims分析，得到sims結果；根據所述sims結果確定所述修正新裝機臺與所述基準機臺的匹配結果。
6.在一可實施方式中，根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺，包括：根據所述初始新裝機臺和所述基準機臺的方塊電阻值，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺；對所述第一新裝機臺和所述基準機臺進行熱波測試，得到所述第一新裝機臺對應的第一熱波圖和所述基準機臺對應的第二熱波圖；根據所述第一熱波圖和所述第二熱波圖，對所述第一新裝機臺進行熱波匹配，得到所述修正新裝機臺。
7.在一可實施方式中，所述根據所述初始新裝機臺和所述基準機臺的方塊電阻值，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺，包括：對所述初始新裝機臺和所述基準機臺進行方塊電阻值測量，得到所述初始新裝機臺對應的第一方塊電阻值和所述基準機臺對應的第二方塊電阻值；根據所述第一方塊電阻值和所述第二方塊電阻值，計算所述初始新裝機臺的劑量修正量；根據所述劑量修正量，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到所述第一新裝機臺。
8.在一可實施方式中，所述根據所述第一方塊電阻值和所述第二方塊電阻值，計算
所述初始新裝機臺的劑量修正量，包括：根據所述預設注入條件和所述第一方塊電阻值，確定多組修正點，所述修正點包括預設注入劑量和與其對應的第一方塊電阻值；對所述多組修正點進行線性擬合，得到修正曲線；根據所述修正曲線和所述第二方塊電阻值，計算所述初始新裝機臺的劑量修正量。
9.在一可實施方式中，所述根據所述劑量修正量，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到所述第一新裝機臺，包括：判斷所述劑量修正量是否滿足第一預設閾值，得到第一判斷結果；所述第一判斷結果為是，則將所述初始新裝機臺確定為所述第一新裝機臺；所述第一判斷結果為否，則根據所述劑量修正量，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到所述第一新裝機臺。
10.在一可實施方式中，所述根據所述第一熱波圖和所述第二熱波圖，對所述第一新裝機臺進行熱波匹配，得到所述修正新裝機臺，包括：計算所述第一熱波圖和所述第二熱波圖的差異值；判斷所述差異值是否滿足第二預設閾值，得到第二判斷結果；所述第二判斷結果為是，則將所述第一新裝機臺確定為所述修正新裝機臺；所述第二判斷結果為否，則對所述第一新裝機臺進行熱波匹配，並根據熱波匹配後的第一新裝機臺和所述基準機臺的方塊電阻值，重新對熱波匹配後的第一新裝機臺進行劑量修正，直到所述第二判斷結果為是。
11.在一可實施方式中，在所述根據所述初始新裝機臺和所述基準機臺的方塊電阻值，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺前，所述方法還包括：對所述初始新裝機臺和所述基準機臺進行熱波測試，得到所述初始新裝機臺對應的第三熱波圖和所述基準機臺對應的第四熱波圖；判斷所述第三熱波圖和所述第四熱波圖的差異值是否滿足第三預設閾值，得到第三判斷結果；所述第三判斷結果為否，則根據所述第三熱波圖和所述第四熱波圖，對所述初始新裝機臺進行熱波匹配。
12.在一可實施方式中，所述根據所述sims結果確定所述修正新裝機臺與所述基準機臺的匹配結果，包括：所述sims結果匹配，則確定所述修正新裝機臺與所述基準機臺匹配成功；所述sims結果不匹配，則確定所述修正新裝機臺與所述基準機臺匹配失敗。
13.根據本公開的第二方面，提供了一種離子注入機臺匹配裝置，該裝置包括：第一確定模塊，用於確定預設注入條件；修正模塊，用於在所述預設注入條件下，根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對所述初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺；分析模塊，用於對所述修正新裝機臺與所述基準機臺進行二次離子質譜sims分析，得到sims結果；第二確定模塊，用於根據所述sims結果確定所述修正新裝機臺與所述基準機臺的匹配結果。
14.根據本公開的第三方面，提供了一種電子設備，包括：
15.至少一個處理器；以及
16.與所述至少一個處理器通信連接的存儲器；其中，
17.所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執行的指令，所述指令被所述至少一個處理器執行，以使所述至少一個處理器能夠執行本公開所述的方法。
18.根據本公開的第四方面，提供了一種存儲有計算機指令的非瞬時計算機可讀存儲介質，所述計算機指令用於使所述計算機執行本公開所述的方法。
19.本公開的一種離子注入機臺匹配方法、裝置、設備及存儲介質，在預設注入條件下，根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新
裝機臺，其中，對初始新裝機臺進行劑量修正時，首先根據初始新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺，然後對第一新裝機臺和基準機臺進行熱波測試，得到第一新裝機臺對應的第一熱波圖和基準機臺對應的第二熱波圖，最後根據第一熱波圖和第二熱波圖，對第一新裝機臺進行熱波匹配，得到修正新裝機臺。由此，將基於方塊電阻值的劑量修正與基於熱波圖的熱波匹配相結合，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺，之後再對修正新裝機臺與基準機臺進行二次離子質譜sims分析，可以降低新裝機臺與基準機臺的rs匹配，但是sims結果不匹配的概率，從而進一步提升新裝機臺與基準機臺的匹配效率，並降低新裝機臺與基準機臺的匹配成本。
20.應當理解，本部分所描述的內容並非旨在標識本公開的實施例的關鍵或重要特徵，也不用於限制本公開的範圍。本公開的其它特徵將通過以下的說明書而變得容易理解。
附圖說明
21.通過參考附圖閱讀下文的詳細描述，本公開示例性實施方式的上述以及其他目的、特徵和優點將變得易於理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本公開的若干實施方式，其中：
22.在附圖中，相同或對應的標號表示相同或對應的部分。
23.圖1示出了本公開第一實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖；
24.圖2示出了本公開第二實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖；
25.圖3示出了本公開第三實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖；
26.圖4示出了本公開第四實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖；
27.圖5示出了本公開第四實施例一種離子注入機臺匹配方法的場景示意圖；
28.圖6示出了本公開第七實施例一種離子注入機臺匹配裝置的結構示意圖；
29.圖7示出了本公開實施例一種電子設備的組成結構示意圖。
具體實施方式
30.為使本公開的目的、特徵、優點能夠更加的明顯和易懂，下面將結合本公開實施例中的附圖，對本公開實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本公開一部分實施例，而非全部實施例。基於本公開中的實施例，本領域技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本公開保護的範圍。
31.圖1示出了本公開第一實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖，如圖1所示，該方法主要包括：
32.步驟s101，確定預設注入條件。
33.在本實施例中，首先需要確定預設注入條件，預設注入條件為提前設定的離子注入條件。具體地，可以在離子注入機臺的注入範圍內設定預設注入條件，例如，若離子注入機臺的注入範圍為：注入劑量(dose)：1e12～1e14，注入角度(angel)：0度，注入能量：50千電子伏(kev)，則可設定預設注入條件為：注入劑量(dose)：1e13，注入角度(angel)：0度，注入能量：50千電子伏(kev)。
34.步驟s102，在預設注入條件下，根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺。
35.在本實施例中，確定預設注入條件之後，即可在預設注入條件下,根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對初始新裝機臺進行劑量修正，從而得到修正新裝機臺。具體地，可以取兩片相同的晶圓，分別在初始新裝機臺與基準機臺上，以預設注入條件對晶圓做離子注入，離子注入後兩片晶圓的工藝參數即可表徵初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，兩片晶圓工藝參數的差異值即可體現出初始新裝機臺與基準機臺劑量的差異，因此，可以根據離子注入後兩片晶圓工藝參數的差異值，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺。
36.在一可實施方式中，可以利用初始新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值，對初始新裝機臺進行劑量修正，例如，在預設注入條件下，計算初始新裝機臺與基準機臺做離子注入後方塊電阻值的差值，然後根據該差值對初始新裝機臺做劑量修正(dose trim)，使得初始新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值匹配，從而得到修正新裝機臺。
37.在一可實施方式中，可以利用初始新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值和熱波圖，對初始新裝機臺進行劑量修正，例如，先在預設注入條件下，計算初始新裝機臺與基準機臺做離子注入後方塊電阻值的差值，然後根據該差值對初始新裝機臺做劑量修正(dose trim)，使得初始新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值匹配；之後繼續在預設注入條件下，根據初始新裝機臺與基準機臺做離子注入後熱波(tw，thermal wave)圖的重合程度，對初始新裝機臺做熱波匹配(tw match)，使得初始新裝機臺與基準機臺的tw圖匹配，從而得到修正新裝機臺。
38.步驟s103，對修正新裝機臺與基準機臺進行二次離子質譜sims分析，得到sims結果。
39.步驟s104，根據sims結果確定修正新裝機臺與基準機臺的匹配結果。
40.在本實施例中，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺之後，即可對修正新裝機臺與基準機臺進行二次離子質譜sims分析，並根據sims結果確定修正新裝機臺與基準機臺的匹配結果。具體地，sims分析是利用質譜法分析由初級離子入射靶材後所濺射產生的二次離子，從而獲取材料表面或深度剖面元素信息的一種分析方法，sims結果包括sims曲線圖(profile)，sims曲線圖能直觀的反映離子密度隨樣品深度的變化情況，因此，可以根據修正新裝機臺與基準機臺sims曲線圖的重合程度，確定修正新裝機臺與基準機臺的匹配結果。
41.在一可實施方式中，若sims結果匹配，即修正新裝機臺與基準機臺sims曲線圖的重合程度達到預設閾值，則確定修正新裝機臺與基準機臺匹配成功；若sims結果不匹配，即修正新裝機臺與基準機臺sims曲線圖的重合程度未達到預設閾值，則確定修正新裝機臺與基準機臺匹配失敗。具體地，預設閾值可以根據實際情況自行設定，本公開不對其進行限定。
42.在本公開第一實施例中，首先確定預設注入條件，然後在預設注入條件下，根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺，其中，對初始新裝機臺進行劑量修正時，可將基於方塊電阻值的劑量修正與基於熱波圖的熱波匹配相結合，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺，之後再對修正新裝機臺與基準機臺進行二次離子質譜sims分析，可以降低新裝機臺與基準機臺的rs匹配，但是sims結果不匹配的概率，從而進一步提升新裝機臺與基準機臺的匹配效率，並降低新裝機
臺與基準機臺的匹配成本。
43.圖2示出了本公開第二實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖，如圖2所示，步驟s102包括：
44.步驟s201，根據初始新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺。
45.步驟s202，對第一新裝機臺和基準機臺進行熱波測試，得到第一新裝機臺對應的第一熱波圖和基準機臺對應的第二熱波圖。
46.步驟s203，根據第一熱波圖和第二熱波圖，對第一新裝機臺進行熱波匹配，得到修正新裝機臺。
47.在本實施例中，首先根據初始新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，對初始新裝機臺進行劑量修正，例如，計算初始新裝機臺與基準機臺做離子注入後方塊電阻值的差值，然後根據該差值對初始新裝機臺做劑量修正，得到第一新裝機臺，第一新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值匹配；然後對第一新裝機臺與基準機臺進行熱波測試，得到第一新裝機臺對應的第一熱波圖和基準機臺對應的第二熱波圖，並根據第一熱波圖和第二熱波圖，對第一新裝機臺進行熱波匹配，得到修正新裝機臺。其中，熱波測試是利用雷射聚焦材料表面檢測被測材料的光反射率，根據光反射率可得到熱波圖，熱波圖能夠間接表徵離子注入劑量；熱波匹配的本質為對第一新裝機臺進行劑量修正，使第一新裝機臺與基準機臺的熱波圖匹配。
48.在一可實施方式中，由於第一熱波圖能夠間接表徵第一新裝機臺的離子注入劑量，第二熱波圖能夠間接表徵基準機臺的離子注入劑量，可見第一熱波圖與第二熱波圖的差異值能夠體現出第一新裝機臺與基準機臺的劑量差異，因此，可以根據第一熱波圖和第二熱波圖的差異值，對第一新裝機臺進行劑量修正，使得修正後的第一新裝機臺與基準機臺的熱波圖匹配，從而得到修正新裝機臺。
49.在本公開第二實施例中，對初始新裝機臺進行劑量修正時，將基於方塊電阻值的劑量修正與基於熱波圖的熱波匹配相結合，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺，可以保證對初始新裝機臺的修正準確率較高，之後再對修正新裝機臺與基準機臺進行二次離子質譜sims分析，可以降低新裝機臺與基準機臺的rs匹配，但是sims結果不匹配的概率，從而進一步提升新裝機臺與基準機臺的匹配效率，並降低新裝機臺與基準機臺的匹配成本。
50.圖3示出了本公開第三實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖，如圖3所示，步驟s201主要包括：
51.步驟s301，對初始新裝機臺和基準機臺進行方塊電阻值測量，得到初始新裝機臺對應的第一方塊電阻值和基準機臺對應的第二方塊電阻值。
52.步驟s302，根據第一方塊電阻值和第二方塊電阻值，計算初始新裝機臺的劑量修正量。
53.步驟s303，根據劑量修正量，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺。
54.在本實施例中，首先測量得到初始新裝機臺對應的第一方塊電阻值和基準機臺對應的第二方塊電阻值，之後根據第一方塊電阻值和第二方塊電阻值，計算初始新裝機臺的劑量修正量，劑量修正量表徵初始新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值匹配時初始新裝機臺
的注入劑量，根據劑量修正量，對初始新裝機臺進行劑量修正，可以得到第一新裝機臺，第一新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值匹配。
55.圖4示出了本公開第四實施例一種離子注入機臺匹配方法的流程示意圖，如圖4所示，步驟s302主要包括：
56.步驟s401，根據預設注入條件和第一方塊電阻值，確定多組修正點，修正點包括預設注入劑量和與其對應的第一方塊電阻值。
57.在本實施例中，首先需要根據預設注入條件和第一方塊電阻值，確定多組修正點，修正點包括預設注入劑量和與其對應的第一方塊電阻值。具體地，可以根據預設注入條件中的注入劑量，提前設定多個預設注入劑量，並取多個相同晶圓，在初始新裝機臺上根據多個預設注入劑量對晶圓進行離子注入，並測量每個預設注入劑量對應的第一方塊電阻值，從而得到多組修正點。
58.在一可實施方式中，若預設注入條件中的注入劑量(dose)為1e13，則可提前設定預設注入劑量0.9e13、1e13以及1.1e13，基準機臺的注入劑量仍為1e13，之後取4片相同晶圓，其中，3片晶圓在初始新裝機臺上分別以0.9e13、1e13以及1.1e13的預設注入劑量進行離子注入，並測量3片晶圓的第一方塊電阻值，從而得到三組修正點；1片晶圓在基準機臺上以1e13的注入劑量進行離子注入，並測量該晶圓的第二方塊電阻值。具體地，每片晶圓對應的注入劑量和方塊電阻值可如下表一所示：
59.表一
[0060][0061][0062]
其中，晶圓#1對應的方塊電阻值170.5即第二方塊電阻值，三組修正點分別為(0.9，174)、(1，169)以及(1.1，165)。
[0063]
步驟s402，對多組修正點進行線性擬合，得到修正曲線。
[0064]
步驟s403，根據修正曲線和第二方塊電阻值，計算初始新裝機臺的劑量修正量。
[0065]
在本實施例中，確定多組修正點之後，需要對多組修正點進行線性擬合，得到修正曲線，修正曲線表徵初始新裝機臺的第一方塊電阻值隨注入劑量的變化情況，之後將基準機臺的第二方塊電阻值代入修正曲線，計算出的注入劑量即為初始新裝機臺的第一方塊電阻值與基準機臺的第二方塊電阻值匹配時，初始新裝機臺的注入劑量，可將該值作為初始新裝機臺的劑量修正量。
[0066]
圖5示出了本公開第四實施例一種離子注入機臺匹配方法的場景示意圖，如圖5所示，直線l即根據修正點(0.9，174)、(1，169)以及(1.1，165)擬合得到的修正曲線，其線性方程為y＝-45+214.33，此時將第二方塊電阻值170.5代入修正曲線，即令y＝170.5，計算得到
x＝0.97，該值即為初始新裝機臺的劑量修正量。需要強調的是，步驟s203中對第一新裝機臺進行熱波匹配時，計算劑量修正量的過程與步驟s401至步驟s403類似，本公開中不再對其進行贅述。
[0067]
在本公開第三和第四實施例中，根據初始新裝機臺的第一方塊電阻值和基準機臺的第二方塊電阻值，計算初始新裝機臺的劑量修正量，其中，計算初始新裝機臺的劑量修正量時，首先根據預設注入條件和第一方塊電阻值，確定多組修正點，然後對多組修正點進行線性擬合，得到修正曲線，最後根據修正曲線和第二方塊電阻值，計算初始新裝機臺的劑量修正量。由此，將基準機臺的第二方塊電阻值代入修正曲線，可以得到更加準確的劑量修正量，從而進一步保證初始新裝機臺的方塊電阻值在修正之後與基準機臺匹配。
[0068]
在本公開第五實施例中，步驟s303主要包括：
[0069]
判斷劑量修正量是否滿足第一預設閾值，得到第一判斷結果；第一判斷結果為是，則將初始新裝機臺確定為第一新裝機臺；第一判斷結果為否，則根據劑量修正量，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺。
[0070]
在本實施例中，首先判斷劑量修正量是否滿足第一預設閾值，得到第一判斷結果，其中，第一預設閾值可以為提前設定的劑量修正量與預設注入條件中的注入劑量之間的差值範圍，若劑量修正量與預設注入條件中的注入劑量之間的實際差值滿足該差值範圍，則認為初始新裝機臺與基準機臺劑量匹配，可以直接將初始新裝機臺確定為第一新裝機臺；若劑量修正量與預設注入條件中的注入劑量之間的實際差值不滿足該差值範圍，則認為初始新裝機臺與基準機臺劑量不匹配，此時根據劑量修正量，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺。
[0071]
在一可實施方式中，第一預設閾值可以為-0.03至0.03，以劑量修正量為0.97，預設注入條件中的注入劑量為1為例，由於劑量修正量與預設注入條件中的注入劑量之間的實際差值為0.03，滿足第一預設閾值，因此，初始新裝機臺與基準機臺劑量匹配，可以直接將初始新裝機臺確定為第一新裝機臺。由此，直接將劑量修正量滿足第一預設閾值的初始新裝機臺確定為第一新裝機臺，可以進一步提高初始新裝機臺與基準機臺的匹配效率。
[0072]
在本公開第六實施例中，步驟s203主要包括：
[0073]
計算第一熱波圖和第二熱波圖的差異值；判斷差異值是否滿足第二預設閾值，得到第二判斷結果；第二判斷結果為是，則將第一新裝機臺確定為修正新裝機臺；第二判斷結果為否，則對第一新裝機臺進行熱波匹配，並根據熱波匹配後的第一新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，重新對熱波匹配後的第一新裝機臺進行劑量修正，直到第二判斷結果為是。
[0074]
在本實施例中，根據第一新裝機臺的第一熱波圖和基準機臺的第二熱波圖，對第一新裝機臺進行熱波匹配時，首先計算第一熱波圖和第二熱波圖的差異值，該差異值表徵第一熱波圖與第二熱波圖的重合程度，其能夠體現出第一新裝機臺與基準機臺的劑量差異，之後判斷該差異值是否滿足第二預設閾值，其中，第二預設閾值可以為提前設定的第一熱波圖與第二熱波圖之間的差異範圍，如果該差異值滿足第二預設閾值，則將第一新裝機臺確定為修正新裝機臺；如果該差異值不滿足第二預設閾值，則對第一新裝機臺進行熱波匹配，並根據熱波匹配後的第一新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，重新對熱波匹配後的第一新裝機臺進行劑量修正，直到第二判斷結果為是。
[0075]
在一可實施方式中，第二預設閾值可以為3％，判斷差異值是否滿足第二預設閾
值，即判斷差異值是否小於等於3％，若差異值小於等於3％，則證明第一新裝機臺與基準機臺熱波匹配，可以直接將第一新裝機臺確定為修正新裝機臺；若差異值大於3％，則證明第一新裝機臺與基準機臺的熱波圖不匹配，此時需要對第一新裝機臺進行熱波匹配，使第一新裝機臺的熱波圖與基準機臺的熱波圖匹配，由於第一新裝機臺和基準機臺熱波匹配之後，方塊電阻值不一定匹配，因此還需要根據熱波匹配後的第一新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，重新對熱波匹配後的第一新裝機臺進行劑量修正，直到第二判斷結果為是。由此，直接將差異值滿足第二預設閾值的第一新裝機臺確定為修正新裝機臺，可以進一步提高初始新裝機臺與基準機臺的匹配效率。
[0076]
在本公開第七實施例中，在步驟s201之前，該方法還包括：
[0077]
對初始新裝機臺和基準機臺進行熱波測試，得到初始新裝機臺對應的第三熱波圖和基準機臺對應的第四熱波圖；判斷第三熱波圖和第四熱波圖的差異值是否滿足第三預設閾值，得到第三判斷結果；第三判斷結果為否，則根據第三熱波圖和第四熱波圖，對初始新裝機臺進行熱波匹配。
[0078]
在本實施例中，在根據初始新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，對初始新裝機臺進行劑量修正之前，還需要對初始新裝機臺與基準機臺進行熱波測試，得到初始新裝機臺對應的第三熱波圖和基準機臺對應的第四熱波圖，並判斷第三熱波圖和第四熱波圖的差異值是否滿足第三預設閾值，得到第三判斷結果，其中，第三預設閾值可以為提前設定的第三熱波圖與第四熱波圖之間的差異範圍，第三預設閾值與第二預設閾值可以相同也可以不同，如果第三判斷結果為否，則根據第三熱波圖和第四熱波圖，對初始新裝機臺進行熱波匹配，使得初始新裝機臺的熱波圖與基準機臺的熱波圖匹配。相應地，步驟s201可以為根據熱波匹配後的初始新裝機臺與基準機臺的方塊電阻值，對熱波匹配後的初始新裝機臺進行劑量修正。由此，在對初始新裝機臺進行劑量修正時，不只將基於方塊電阻值的劑量修正與基於熱波圖的熱波匹配進行了一次結合，而是形成了一次基於熱波圖的熱波匹配、基於方塊電阻值的劑量修正、二次基於熱波圖的熱波匹配的劑量修正流程，從而提高對初始新裝機臺進行劑量修正的準確率，進一步降低新裝機臺與基準機臺的rs匹配，但是sims結果不匹配的概率。
[0079]
圖6示出了本公開第七實施例一種離子注入機臺匹配裝置的結構示意圖，如圖6所示，該裝置主要包括：
[0080]
第一確定模塊10，用於確定預設注入條件；修正模塊11，用於在預設注入條件下，根據初始新裝機臺與基準機臺的工藝參數，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到修正新裝機臺；分析模塊12，用於對修正新裝機臺與基準機臺進行二次離子質譜sims分析，得到sims結果；第二確定模塊13，用於根據sims結果確定修正新裝機臺與基準機臺的匹配結果。
[0081]
在一可實施方式中，修正模塊11主要包括：劑量修正子模塊，用於根據初始新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺；第一熱波測試子模塊，用於對第一新裝機臺和基準機臺進行熱波測試，得到第一新裝機臺對應的第一熱波圖和基準機臺對應的第二熱波圖；第一熱波匹配子模塊，用於根據第一熱波圖和第二熱波圖，對第一新裝機臺進行熱波匹配，得到修正新裝機臺。
[0082]
在一可實施方式中，劑量修正子模塊主要包括：測量單元，用於對初始新裝機臺和基準機臺進行方塊電阻值測量，得到初始新裝機臺對應的第一方塊電阻值和基準機臺對應
的第二方塊電阻值；第一計算單元，用於根據第一方塊電阻值和第二方塊電阻值，計算初始新裝機臺的劑量修正量；修正單元，用於根據劑量修正量，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺。
[0083]
在一可實施方式中，第一計算單元主要包括：第一確定子單元，用於根據預設注入條件和第一方塊電阻值，確定多組修正點，修正點包括預設注入劑量和與其對應的第一方塊電阻值；擬合子單元，用於對多組修正點進行線性擬合，得到修正曲線；計算子單元，根據修正曲線和第二方塊電阻值，計算初始新裝機臺的劑量修正量。
[0084]
在一可實施方式中，修正單元主要包括：判斷子單元，用於判斷劑量修正量是否滿足第一預設閾值，得到第一判斷結果；第二確定子單元，用於第一判斷結果為是，則將初始新裝機臺確定為第一新裝機臺；修正子單元，用於第一判斷結果為否，則根據劑量修正量，對初始新裝機臺進行劑量修正，得到第一新裝機臺。
[0085]
在一可實施方式中，第一熱波匹配子模塊主要包括：第二計算單元，用於計算第一熱波圖和第二熱波圖的差異值；判斷單元，用於判斷差異值是否滿足第二預設閾值，得到第二判斷結果；確定單元，用於第二判斷結果為是，則將第一新裝機臺確定為修正新裝機臺；熱波匹配單元，用於第二判斷結果為否，則對第一新裝機臺進行熱波匹配，並根據熱波匹配後的第一新裝機臺和基準機臺的方塊電阻值，重新對熱波匹配後的第一新裝機臺進行劑量修正，直到第二判斷結果為是。
[0086]
在一可實施方式中，修正模塊11還包括：第二熱波測試子模塊，用於對初始新裝機臺和基準機臺進行熱波測試，得到初始新裝機臺對應的第三熱波圖和基準機臺對應的第四熱波圖；判斷子模塊，用於判斷第三熱波圖和第四熱波圖的差異值是否滿足第三預設閾值，得到第三判斷結果；第二熱波匹配子模塊，用於第三判斷結果為否，則根據第三熱波圖和第四熱波圖，對初始新裝機臺進行熱波匹配。
[0087]
在一可實施方式中，第二確定模塊13還用於sims結果匹配，則確定修正新裝機臺與基準機臺匹配成功；sims結果不匹配，則確定修正新裝機臺與基準機臺匹配失敗。
[0088]
根據本公開的實施例，本公開還提供了一種電子設備和一種可讀存儲介質。
[0089]
圖7示出了可以用來實施本公開的實施例的示例電子設備700的示意性框圖。電子設備旨在表示各種形式的數字計算機，諸如，膝上型計算機、臺式計算機、工作檯、個人數字助理、伺服器、刀片式伺服器、大型計算機、和其它適合的計算機。電子設備還可以表示各種形式的移動裝置，諸如，個人數字處理、蜂窩電話、智慧型電話、可穿戴設備和其它類似的計算裝置。本文所示的部件、它們的連接和關係、以及它們的功能僅僅作為示例，並且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本公開的實現。
[0090]
如圖7所示，設備700包括計算單元701，其可以根據存儲在只讀存儲器(rom)702中的電腦程式或者從存儲單元708加載到隨機訪問存儲器(ram)703中的電腦程式，來執行各種適當的動作和處理。在ram 703中，還可存儲設備700操作所需的各種程序和數據。計算單元701、rom 702以及ram 703通過總線704彼此相連。輸入/輸出(i/o)接口705也連接至總線704。
[0091]
設備700中的多個部件連接至i/o接口705，包括：輸入單元706，例如鍵盤、滑鼠等；輸出單元707，例如各種類型的顯示器、揚聲器等；存儲單元708，例如磁碟、光碟等；以及通信單元709，例如網卡、數據機、無線通信收發機等。通信單元709允許設備700通過諸如
網際網路的計算機網絡和/或各種電信網絡與其他設備交換信息/數據。
[0092]
計算單元701可以是各種具有處理和計算能力的通用和/或專用處理組件。計算單元701的一些示例包括但不限於中央處理單元(cpu)、圖形處理單元(gpu)、各種專用的人工智慧(ai)計算晶片、各種運行機器學習模型算法的計算單元、數位訊號處理器(dsp)、以及任何適當的處理器、控制器、微控制器等。計算單元701執行上文所描述的各個方法和處理，例如一種離子注入機臺匹配方法。例如，在一些實施例中，一種離子注入機臺匹配方法可被實現為計算機軟體程序，其被有形地包含於機器可讀介質，例如存儲單元708。在一些實施例中，電腦程式的部分或者全部可以經由rom 702和/或通信單元709而被載入和/或安裝到設備700上。當電腦程式加載到ram 703並由計算單元701執行時，可以執行上文描述的一種離子注入機臺匹配方法的一個或多個步驟。備選地，在其他實施例中，計算單元701可以通過其他任何適當的方式(例如，藉助於固件)而被配置為執行一種離子注入機臺匹配方法。
[0093]
本文中以上描述的系統和技術的各種實施方式可以在數字電子電路系統、集成電路系統、場可編程門陣列(fpga)、專用集成電路(asic)、專用標準產品(assp)、晶片上系統的系統(soc)、負載可編程邏輯設備(cpld)、計算機硬體、固件、軟體、和/或它們的組合中實現。這些各種實施方式可以包括：實施在一個或者多個電腦程式中，該一個或者多個電腦程式可在包括至少一個可編程處理器的可編程系統上執行和/或解釋，該可編程處理器可以是專用或者通用可編程處理器，可以從存儲系統、至少一個輸入裝置、和至少一個輸出裝置接收數據和指令，並且將數據和指令傳輸至該存儲系統、該至少一個輸入裝置、和該至少一個輸出裝置。
[0094]
用於實施本公開的方法的程序代碼可以採用一個或多個程式語言的任何組合來編寫。這些程序代碼可以提供給通用計算機、專用計算機或其他可編程數據處理裝置的處理器或控制器，使得程序代碼當由處理器或控制器執行時使流程圖和/或框圖中所規定的功能/操作被實施。程序代碼可以完全在機器上執行、部分地在機器上執行，作為獨立軟體包部分地在機器上執行且部分地在遠程機器上執行或完全在遠程機器或伺服器上執行。
[0095]
在本公開的上下文中，機器可讀介質可以是有形的介質，其可以包含或存儲以供指令執行系統、裝置或設備使用或與指令執行系統、裝置或設備結合地使用的程序。機器可讀介質可以是機器可讀信號介質或機器可讀儲存介質。機器可讀介質可以包括但不限於電子的、磁性的、光學的、電磁的、紅外的、或半導體系統、裝置或設備，或者上述內容的任何合適組合。機器可讀存儲介質的更具體示例會包括基於一個或多個線的電氣連接、可攜式計算機盤、硬碟、隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)、可擦除可編程只讀存儲器(eprom或快閃記憶體)、光纖、便捷式緊湊盤只讀存儲器(cd-rom)、光學儲存設備、磁儲存設備、或上述內容的任何合適組合。
[0096]
為了提供與用戶的交互，可以在計算機上實施此處描述的系統和技術，該計算機具有：用於向用戶顯示信息的顯示裝置(例如，crt(陰極射線管)或者lcd(液晶顯示器)監視器)；以及鍵盤和指向裝置(例如，滑鼠或者軌跡球)，用戶可以通過該鍵盤和該指向裝置來將輸入提供給計算機。其它種類的裝置還可以用於提供與用戶的交互；例如，提供給用戶的反饋可以是任何形式的傳感反饋(例如，視覺反饋、聽覺反饋、或者觸覺反饋)；並且可以用任何形式(包括聲輸入、語音輸入或者、觸覺輸入)來接收來自用戶的輸入。
[0097]
可以將此處描述的系統和技術實施在包括後臺部件的計算系統(例如，作為數據伺服器)、或者包括中間件部件的計算系統(例如，應用伺服器)、或者包括前端部件的計算系統(例如，具有圖形用戶界面或者網絡瀏覽器的用戶計算機，用戶可以通過該圖形用戶界面或者該網絡瀏覽器來與此處描述的系統和技術的實施方式交互)、或者包括這種後臺部件、中間件部件、或者前端部件的任何組合的計算系統中。可以通過任何形式或者介質的數字數據通信(例如，通信網絡)來將系統的部件相互連接。通信網絡的示例包括：區域網(lan)、廣域網(wan)和網際網路。
[0098]
計算機系統可以包括客戶端和伺服器。客戶端和伺服器一般遠離彼此並且通常通過通信網絡進行交互。通過在相應的計算機上運行並且彼此具有客戶端-伺服器關係的電腦程式來產生客戶端和伺服器的關係。伺服器可以是雲伺服器，也可以為分布式系統的伺服器，或者是結合了區塊鏈的伺服器。
[0099]
應該理解，可以使用上面所示的各種形式的流程，重新排序、增加或刪除步驟。例如，本發公開中記載的各步驟可以並行地執行也可以順序地執行也可以不同的次序執行，只要能夠實現本公開公開的技術方案所期望的結果，本文在此不進行限制。
[0100]
此外，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或隱含地包括至少一個該特徵。在本公開的描述中，「多個」的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
[0101]
以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本公開揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本公開的保護範圍之內。因此，本公開的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。