一種晶片的改進結構的製作方法
2023-06-15 21:21:26
專利名稱:一種晶片的改進結構的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種集成電路的焊接結構,更具體的說,涉及一種晶片的改進結構。
背景技術:
在集成電路的焊接中,弓丨線鍵合是通過超聲功率電源輸出頻率穩定的超聲頻交流電信號,經超聲換能器轉變為機械振動,振幅經超聲杆放大後傳遞給焊接劈刀,使兩種金屬接觸面產生摩擦,振動摩擦能消除焊接區氧化膜及雜質,使交界面發生塑性變形達到原子間的結合,而高溫能加速原子結合。塑性變形會因振動摩擦、力度、時間等因素的變化而發生斷裂、虛焊,或者經可靠性試驗後導致元器件功能缺陷或後期失效等問題。某些晶片特定的輸出端引線焊接不牢,導致潛在的失效機率增加,如何在保證單位時間產出,並且適用的前提下,急需提出一種新型的焊線方式,以提高產品質量。
發明內容本實用新型的技術目的是克服現有技術中集成電路引線焊接不牢固而導致故障率高的技術缺陷,提供一種焊線的焊接牢固進而提升整個產品質量的一種晶片的改進結構。為實現以上技術目的,本實用新型的技術方案是一種晶片的改進結構,包括有晶片,所述晶片設於一基座上,晶片連接有焊線,晶片外周設有塑封體;其特徵是所述晶片上焊線的輸出端的焊線點為半橢圓體結構。本實用新型的有益技術效果是採用了半橢圓體的焊線點結構,減少了出現虛焊或者焊接不牢固的現象,提高了產品質量。
圖1是本實用新型一個實施例的結構示意圖。
具體實施方式
結合圖1,本實用新型一種晶片的改進結構中,包括有晶片5,所述晶片5設於一基座4上,晶片5連接有焊線3,晶片5外周設有塑封體7 ;在所述晶片5上的焊線3的輸出端的焊線點2為半橢圓體結構,圖中焊線3與晶片5的焊接點1採用半球體結構。圖中6是基座4上對應另一焊線點的位置。本實用新型減少了出現虛焊或者焊接不牢固的現象,提高了產品質量,是本領域一個既實用又新型的技術結構。
權利要求1. 一種晶片的改進結構,包括有晶片,所述晶片設於一基座上,晶片連接有焊線,晶片外周設有塑封體;其特徵是所述晶片上焊線的輸出端的焊線點為半橢圓體結構。
專利摘要本實用新型的一種晶片的改進結構,技術目的提供一種焊線的焊接牢固進而提升整個產品質量的一種晶片的改進結構。包括有晶片,所述晶片設於一基座上,晶片連接有焊線,晶片外周設有塑封體;所述晶片上焊線的輸出端的焊線點為半橢圓體結構。本實用新型減少了出現虛焊或者焊接不牢固的現象,提高了產品質量,適用於集成電路的結構中應用。
文檔編號H01L23/49GK202111079SQ20112024116
公開日2012年1月11日 申請日期2011年7月8日 優先權日2011年7月8日
發明者伍江濤, 左福平, 張建國, 張航, 龔道發 申請人:深圳電通緯創微電子股份有限公司