微機電晶圓的切割方法
2023-05-31 19:03:56
專利名稱：微機電晶圓的切割方法
技術領域：
本發明是關於一種晶圓切割方法，詳言之，是關於一種微機電晶圓的切割方法。
背景技術：
在一般已知微機電晶圓的切割方法中，將晶圓貼附於一承載膜上，接著，再於晶圓 的主動面貼附一層貼布，作為對晶圓的數個微機電晶粒做一屏障，之後進行切割工藝，以分 離這些微機電晶粒。然而，因為已知微機電晶圓的切割方法利用貼布完全貼合晶圓的主動面，亦即，貼 布完全貼合這些微機電晶粒的感測區，因此，在切割分離這些微機電晶粒後，移除該貼布時 易破壞這些微機電晶粒的感測區而造成這些微機電晶粒損壞。因此，實有必要提供一種創新且具進步性的微機電晶圓的切割方法，以解決上述 問題。
發明內容
本發明提供一種微機電晶圓的切割方法，其包括以下步驟(a)提供一晶圓，該晶 圓具有一主動面、一背面、數個微機電晶粒及數個切割道，每一微機電晶粒具有一感測區， 這些切割道位於這些微機電晶粒之間；(b)貼附一承載膜於該背面；(c)設置一保護膜於該 主動面，該保護膜具有數個凹口，這些凹口覆蓋這些感測區；(d)根據這些切割道切割該保 護膜及該晶圓，以分離這些微機電晶粒；及(e)移除該保護膜。在本發明的微機電晶圓切割方法中，先設置具有數個凹口的保護膜於該主動面， 使得這些凹口覆蓋這些微機電晶粒的感測區，藉此，不僅可在切割工藝中避免這些微機電 晶粒的感測區受到汙染及破壞，且可避免在移除該保護膜時對這些微機電晶粒的感測區造 成傷害。
圖1顯示本發明貼附一承載膜於晶圓的背面的示意圖；圖2顯示本發明保護膜的示意圖；圖3顯示本發明該保護膜的第一貼層的示意圖；圖4顯示本發明設置該保護膜於該晶圓的主動面，且根據切割道切割該保護膜及 該晶圓的示意圖；圖5顯示本發明完成分離該晶圓的微機電晶粒的示意圖；及圖6顯示本發明分離這些微機電晶粒後移除該保護膜的示意圖。
具體實施例方式配合參考圖1至圖6，其顯示本發明微機電晶圓的切割方法的步驟示意圖。參考 圖1，首先提供一晶圓1，該晶圓1具有一主動面11、一背面12、數個微機電晶粒13及數個切割道14。每一微機電晶粒13具有一感測區131，這些切割道14位於這些微機電晶粒13 之間。這些切割道14作為在切割分離這些微機電晶粒13時的參考基準。在本實施例中，這些微機電晶粒13的感測區131具有一振動薄膜。然而，在其它 應用中，這些微機電晶粒13的感測區131可為感光區域。再參考圖1，貼附一承載膜2於該背面12，用以承載該晶圓1。配合參考圖2至圖 4，設置一保護膜3於該主動面11，該保護膜3具有數個凹口 31，且這些凹口 31覆蓋這些感 測區131。其中，每一凹口 31的開口不小於相應的感測區131，較佳地，每一凹口 31的開口 大於相應的感測區131 (本實施例)。另外，在設置該保護膜3於該主動面11之前，本發明的方法另包括一形成該保護 膜3的步驟。形成該保護膜3的步驟包括以下步驟提供一第一貼層32，該第一貼層32具 有數個透孔321 (圖幻，這些透孔321對應這些感測區131 ；及結合該第一貼層32於一第二 貼層33的一表面，這些透孔321與該第二貼層33的表面形成這些凹口 31 (圖幻。這些透 孔321可選擇以任何適當的方法製作，例如，這些透孔321可以衝壓工藝或雷射穿孔工藝形 成。配合參考圖4及圖5，根據這些切割道14切割該保護膜3及該晶圓1，以分離這些 微機電晶粒13。其中，因為這些凹口 31覆蓋這些感測區131，因此在切割工藝中這些感測 區131不會受到外界(例如，高壓水或矽渣)的汙染及破壞，而造成這些微機電晶粒13損壞。在本實施例中，本發明的方法利用一切割刀4切割分離這些微機電晶粒13，在其 它應用中，本發明的方法亦可選擇以任何適當的方法切割分離這些微機電晶粒13，例如，以 雷射切割分離這些微機電晶粒13。參考圖6，移除該保護膜3。其中，若該保護膜3為紫外光(UV)固化層，移除該保 護膜3包括以下步驟以紫外光照射該保護膜3 ；及移除該保護膜3。若該保護膜3為熱脫 膜，移除該保護膜3包括以下步驟加熱該保護膜3，使其卷邊變形；及移除該保護膜3。因 為該保護膜3的這些凹口 31覆蓋這些感測區131，而該保護膜3不直接貼附於這些感測區 131，因此在切割分離這些微機電晶粒13後，移除該保護膜3時不會破壞這些感測區131而 造成這些微機電晶粒13損壞。在本發明的微機電晶圓切割方法中，先設置具有數個凹口 31的保護膜3於該主動 面11，使得這些凹口 31覆蓋這些微機電晶粒13的感測區131，藉此，不僅可在切割工藝中 避免這些微機電晶粒13的感測區131受到汙染及破壞，且可避免在移除該保護膜3時對這 些微機電晶粒13的感測區131造成傷害。上述實施例僅為說明本發明的原理及其功效，並非限制本發明。因此習於此技術 的人士對上述實施例進行修改及變化仍不脫本發明的精神。本發明的權利範圍應如權利要 求書所列。
權利要求
1.一種微機電晶圓的切割方法，包括以下步驟(a)提供一晶圓，該晶圓具有一主動面、一背面、數個微機電晶粒及數個切割道，每一微 機電晶粒具有一感測區，這些切割道位於這些微機電晶粒之間；(b)貼附一承載膜於該背面；(c)設置一保護膜於該主動面，該保護膜具有數個凹口，這些凹口覆蓋這些感測區；(d)根據這些切割道切割該保護膜及該晶圓，以分離這些微機電晶粒；及(e)移除該保護膜。
2.如權利要求1的方法，其中在步驟(c)中每一凹口的開口不小於相應的感測區。
3.如權利要求2的方法，其中在步驟(c)之前另包括一形成該保護膜的步驟，包括以下 步驟(Cl)提供一第一貼層，該第一貼層具有數個透孔，這些透孔對應這些感測區；及 (c2)結合該第一貼層於一第二貼層的一表面，這些透孔與該第二貼層的表面形成這些 凹口。
4.如權利要求3的方法，其中在步驟(cl)中這些透孔以衝壓工藝或雷射穿孔工藝所形成。
5.如權利要求1的方法，其中在步驟(a)中，這些微機電晶粒的感測區為感光區域。
6.如權利要求1的方法，其中在步驟(a)中，這些微機電晶粒的感測區具有一振動薄膜。
7.如權利要求1的方法，其中在步驟(d)中以切割刀切割分離這些微機電晶粒。
8.如權利要求1的方法，其中在步驟(d)中以雷射切割分離這些微機電晶粒。
9.如權利要求1的方法，其中該保護膜為紫外光固化層，且步驟(e)包括以下步驟 (el)以紫外光照射該保護膜；及(e2)移除該保護膜。
10.如權利要求1的方法，其中該保護膜為熱脫膜，且步驟(e)包括以下步驟 (el)加熱該保護膜，使其卷邊變形；及(e2)移除該保護膜。
全文摘要
在本發明的微機電晶圓切割方法中，其先貼附一承載膜於一晶圓的背面；接著設置一保護膜於該晶圓的主動面，使得該保護膜的數個凹口覆蓋該主動面的數個感測區；再根據該晶圓的切割道切割該保護膜及該晶圓，以分離形成數個微機電晶粒；最後移除該保護膜。經由設置具有數個凹口的保護膜於該主動面，使得這些凹口覆蓋這些微機電晶粒的感測區，藉此，不僅可在切割工藝中避免這些微機電晶粒的感測區受到汙染及破壞，且可避免在移除該保護膜時對這些微機電晶粒的感測區造成傷害。
文檔編號B81C1/00GK102120560SQ20101000358
公開日2011年7月13日 申請日期2010年1月12日 優先權日2010年1月12日
發明者彭嘉俊, 許翰誠 申請人:南茂科技股份有限公司