串聯式射頻mems開關的製作方法

2023-06-24 16:01:06 1

專利名稱：串聯式射頻mems開關的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種串聯式射頻MEMS開關。
背景技術：
目前所製作的串聯式MEMS開關，通常採用平面式SiN薄膜作懸梁，在平面式SiN懸梁下蒸平面式鍍金膜形成二層平面式薄膜觸點結構，二層薄膜的尺寸均為14(寬)×80(長)微米，其結構如圖1所示。由於平面式SiN薄膜製作過程中會產生較大的應力，致使觸點產生形變，並導致彎曲，影響觸點與信號線的接觸。
實用新型內容本實用新型解決了現有技術因觸點變形彎曲而影響觸點與信號線的接觸效果的問題，提供一種能保證觸點與波導能夠穩定接觸的串聯式射頻MEMS開關。
本實用新型的技術方案如下它包括驅動塊、觸點、固定端、共平面波導，觸點由上下二層薄膜構成，其特徵在於其上層薄膜的下表面的中間設有向下凸起，下層薄膜的上表面的中間設有與上層薄膜的向下凸起相配對的向上凹槽。
本實用新型的T型結構的觸點，有效地改善了觸點的形變和彎曲，使觸點與信號線之間能夠進行有效的接觸。本實用新型的T型觸點結構的射頻MEMS開關減少了因多層薄膜所造成的應力影響，T型結構由於其下端的窄條起了支撐的作用，使觸點的下端成為平面，改變了原先觸點的彎曲現象，從而使觸點與波導的接觸成為穩定的接觸，對開關性能的提高起了很大的作用。


圖1為現有的二層平面式薄膜觸點的結構示意圖。
圖2為本實用新型開關的結構示意圖。
圖3為二層T形結構薄膜觸點的結構示意圖。
標號說明1驅動塊，2觸點、21上層薄膜、22下層薄膜、23向下凸起、24向上凹槽，3固定端，4共平面波導的地線，5共平面波導的信號線。
具體實施方式
如圖2、3所示，本實用新型包括驅動塊1、觸點2、固定端3、共平面波導的地線、共平面波導的信號線；觸點2由上下二層薄膜21和22構成，其特徵在於其上層薄膜21的下表面的中間設有向下凸起23，下層薄膜22的上表面的中間設有與上層薄膜21的向下凸起23相配對的向上凹槽24。上層薄膜是1微米的SiN薄膜，下層薄膜是0.15微米的金薄膜。凸起部分尺寸8(寬)×0.2(厚)微米。
使用方式在串聯式射頻MEMS開關的觸點部分採用T型結構，在靜電力的驅動下，觸點可以與信號線進行接觸與分開，實現開關的功能，並保證開關在閉合時能夠進行穩定的接觸，減少接觸電阻。
權利要求1.一種串聯式射頻MEMS開關，包括驅動塊(1)、觸點(2)、固定端(3)、共平面波導，觸點(2)由上下二層薄膜(21)和(22)構成，其特徵在於其上層薄膜(21)的下表面的中間設有向下凸起(23)，下層薄膜(22)的上表面的中間設有與上層薄膜(21)的向下凸起(23)相配對的向上凹槽(24)。
2.根據權利要求1所述的串聯式射頻MEMS開關，其特徵在於上層薄膜(21)是1微米的SiN薄膜，下層薄膜(22)是0.15微米的金薄膜。
3.根據權利要求2所述的串聯式射頻MEMS開關，其特徵在於向下凸起(23)部分尺寸為寬微米、厚0.2微米。
專利摘要一種串聯式射頻MEMS開關，它解決了現有技術因觸點變形彎曲而影響觸點與信號線的接觸效果的問題，提供一種能保證觸點與波導能夠穩定接觸的串聯式射頻MEMS開關，本實用新型包括驅動塊、觸點、固定端、共平面波導，觸點由上下二層薄膜構成，其上層薄膜的下表面的中間設有向下凸起，下層薄膜的上表面的中間設有與上層薄膜的向下凸起相配對的向上凹槽。本實用新型的射頻MEMS開關減少了因多層薄膜所造成的應力影響，T型結構由於其下端的窄條起了支撐的作用，使觸點的下端成為平面，改變了原先觸點的彎曲現象，從而使觸點與波導的接觸成為穩定的接觸，對開關性能的提高起了很大的作用。
文檔編號H01H13/70GK2752935SQ20042011150
公開日2006年1月18日 申請日期2004年11月16日 優先權日2004年11月16日
發明者於映, 羅仲梓 申請人:福州大學