一種小功率場效應電晶體封裝結構的製作方法

2023-05-31 01:22:51 2

專利名稱：一種小功率場效應電晶體封裝結構的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種小功率場效應電晶體封裝結構，屬半導體器件結構技術領 域。
背景技術：
隨著微電子技術的飛速發展，半導體器件已廣泛應用於宇航、軍事、工業和民用產 品當中。場效應電晶體作為半導體器件中的一種，與雙極型電晶體比較，具有輸入阻抗高、 噪聲係數低、熱穩定性能好、抗輻射能力強等特點，在各類電器控制線路中發揮重要的作 用。雖然場效應電晶體有如此多的性能優點，但是如果沒有一種好的器件封裝形式也會降 低其可靠性能。一種好的器件封裝形式不但可以提高器件的可靠性，同時也應便於產品在 被使用之前進行各類檢測，除電參數被檢測外，還應能夠對器件密封性、器件內引線完好狀 態等進行檢測，以提高器件使用前安全性。傳統的場效應電晶體的封裝結構形式存在可靠性差、檢測不方便等諸多缺陷，需 要尋求一種更好的封裝結構形式來保障器件的可靠性和安全性。
發明內容本實用新型的目的是，根據傳統場效應電晶體的封裝結構形式存在的一些不足， 提出一種小功率場效應電晶體封裝結構設計，彌補傳統結構的缺陷，保障器件的可靠性和 安全性。本實用新型的技術方案是，本實用新型小功率場效應電晶體封裝結構由器件芯 柱、管帽(1)和器件內部晶片(2)所組成。晶片(2)安放在器件芯柱上方，晶片的柵極與 器件芯柱上方「 n 」型燒結引線形成的小島面燒接相連，晶片的源極和漏極分別與器件芯 柱上方的燒結引線相連，管帽包裹晶片和器件芯柱，留出連接晶片的「 n」型燒結引線和連 接內引線的燒結引線。器件芯柱包括芯柱底盤(6)、用於絕緣的玻璃坯(7)、用於安裝晶片 的「 n」型燒結引線(4)和用於連接內引線的燒結引線(5)，整個器件芯柱需要將芯柱底盤、玻璃坯(7)和燒結引線(5)在高溫條件下使其融合形成一個整體。採用「 n」型燒結引線的目的一方面由於其特殊的形狀可以很好的將燒結引線 融入在玻璃坯中，不易產生漏氣孔，保證了燒結引線的牢固；另一方面「 n」型燒結引線(5) 頂端象似「小島」形狀，並打磨成平面(8)，可以增加晶片的燒結面積。晶片固定採用金銻燒 結，由於金銻在高溫條件於矽材料有很好互熔性。外部封裝採用金屬管帽玻璃空封，可以便 於檢測腔體是否漏氣，同時也可通過x射線對腔體引線進行檢測。器件芯柱、管帽材均採用 可伐材料，表面為鍍金，可以有效防止生鏽現象發生。本實用新型與現有技術比較的有益效果是，由於本實用新型採用的結構合理、工 藝先進，各部分之間連接可靠，且密封性好，採用此種結構的小功率場效應管質量好，可靠 性高，壽命長，與傳統的同類產品比較，其使用壽命可得到提高。本實用新型適用於小功率 場效應管的批量化生產，也適用於類似結構的半導體器件。

圖1為本實用新型器件的裝配示意圖；圖2為本實用新型器件芯柱的剖視圖；圖3為本實用新型器件芯柱的俯視圖；圖中圖號⑴器件管帽；⑵晶片；(3)沿圓周接觸焊；⑷「 n 」型燒結引線；(5) 燒結引線；(6)芯柱底盤；(7)器件芯柱玻璃坯；(8)裝配晶片的小島面；(9)內引線的鍵合
具體實施方式
本實用新型實施例如圖1所示。本實施例由A3-01_Fb型器件芯柱、A3-01B型管 帽(1)和器件內部晶片(2)所組成。晶片(2)安放在器件芯柱上方，晶片的柵極與器件芯 柱上方「 n 」型燒結引線形成的小島面燒接相連，晶片的源極和漏極分別與器件芯柱上方的 燒結引線相連，管帽包裹晶片和器件芯柱，留出連接晶片的「 n」型燒結引線和連接內引線 的燒結引線。A3-01-Fb型器件芯柱包括A3-01-Fb型芯柱底盤(6)、用於絕緣的A3_01_Fb玻璃 坯(7)、用於安裝晶片的「 n」型燒結引線(4)和用於連接內引線的燒結引線(5)，整個器件 芯柱要將A3-01-Fb芯柱底盤(6)、A3-01-Fb玻璃坯(7)和燒結引線(5)在高溫條件下使其 融合形成一個整體。本實施例內部晶片固定採用金銻燒結，由於金銻在高溫條件下與矽材 料有很好互熔性。外部封裝採用金屬管帽玻璃空封，可以便於檢測腔體是否漏氣，同時也可 通過X射線對腔體裡的內引線進行檢測。器件芯柱、管帽均採用可伐材料，表面為鍍金，可 以有效防止生鏽現象發生。
權利要求一種小功率場效應電晶體封裝結構，其特徵在於，所述封裝結構由器件芯柱、管帽(1)和器件內部晶片(2)所組成；晶片(2)安放在器件芯柱上方，晶片的柵極與器件芯柱上方「η」型燒結引線形成的小島面燒接相連，晶片的源極和漏極分別與器件芯柱上方的燒結引線相連，管帽(1)包裹晶片(2)和器件芯柱，留出連接晶片的「η」型燒結引線(4)和連接內引線的燒結引線(5)。
2.根據權利要求1所述的一種小功率場效應電晶體封裝結構，其特徵在於，所述器件 芯柱包括芯柱底盤(6)、用於絕緣的玻璃坯(7)、用於安裝晶片的「 n」型燒結引線(4)和用 於連接內引線的燒結引線(5)，整個器件芯柱需要將芯柱底盤(6)、玻璃坯(7)和燒結引線 (5)在高溫條件下使其融合形成一個整體。
專利摘要一種小功率場效應電晶體封裝結構，由器件芯柱、管帽(1)和器件內部晶片(2)所組成。晶片(2)安放在器件芯柱上方，晶片的柵極與器件芯柱上方「η」型燒結引線形成的小島面燒接相連，晶片的源極和漏極分別與器件芯柱上方的燒結引線相連，管帽包裹晶片和器件芯柱，留出連接晶片的「η」型燒結引線(4)和連接內引線的燒結引線(5)。所述器件芯柱包括芯柱底盤(6)、用於絕緣的玻璃坯(7)、用於安裝晶片的「η」型燒結引線(4)和用於連接內引線的燒結引線(5)，整個器件芯柱需要將芯柱底盤(6)、玻璃坯(7)和燒結引線(5)在高溫條件下使其融合形成一個整體。本實用新型適用於小功率場效應電晶體的批量化生產，也適用於類似結構的半導體器件。
文檔編號H01L23/495GK201655792SQ20102014969
公開日2010年11月24日 申請日期2010年4月2日 優先權日2010年4月2日
發明者蔡家梁 申請人:江西聯創特種微電子有限公司