陣列基板和液晶顯示面板的製作方法

2023-06-24 20:15:21

專利名稱：陣列基板和液晶顯示面板的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種陣列基板和液晶顯示面板。
背景技術：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜電晶體液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產品。陣列基板是液晶顯示器的重要部件。陣列基板上可分為像素區域和接口區域，像 素區域中形成各像素單元。每個像素單元包括TFT開關和像素電極；TFT開關包括柵電極、 源電極、漏電極和有源層；柵電極連接柵線，漏電極連接數據線，源電極連接像素電極，有源 層形成在源電極和漏電極與柵電極之間。現有技術中，因源電極和漏電極形狀的不同，可以 形成如圖1和圖2所示的兩種形式的陣列基板的局部俯視結構示意圖。其中，圖1中源電極 7和漏電極8彼此平行，溝道的形狀呈一條直線。圖2中的漏電極8將源電極7包圍，溝道 的形狀呈U形。當某一行的柵電極3加上開啟電壓Von時，TFT開關打開，漏電極8與源電 極7導通，給定的信號從數據線5上加到像素電極11上。在公共電極電壓不變的情況下， 像素電極11上一定的電壓便決定了對應像素單元上一定的灰度。液晶顯示器就是通過不 同像素單元的不同灰度來從整體上展現一幅畫面的。但是在陣列基板的製造過程中，由於組成陣列基板的每一層薄膜都需要經過沉 積、曝光、刻蝕等工序以形成不同的圖案，而各層薄膜之間的對位精度是有限的，因此每一 層薄膜之間的圖案都會出現一定程度的錯位。這種層與層之間的錯位很容易導致寄生電容 值的變化。尤其對於模式為步進(Steper)的曝光機，會出現在同一張襯底基板上的同一層 薄膜曝光多次的情況，即同一層薄膜會分為多個曝光區域分別進行曝光。如果同一張襯底 基板上的不同曝光區域各層薄膜之間的對位尺寸不同，就會導致不同曝光區域中的寄生電 容不同，尤其是柵電極和源電極之間的寄生電容Cgs。柵電極和源電極之間的寄生電容Cgs 會引起像素電極上電壓的跳變，這樣的電壓跳變會對像素單元的灰度產生影響。同一張襯 底基板上不同曝光區域的Cgs不同，從而導致不同曝光區域同一灰階的灰度有所差別，整 張襯底基板的灰度不均勻，產生與曝光區域相對應的明顯分區。

實用新型內容本實用新型提供一種陣列基板和液晶顯示面板，以解決同一張襯底基板多次曝光 情況下可能出現的寄生電容Cgs不均勻的問題。本實用新型提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導電圖案 和絕緣層，所述導電圖案至少包括數據線、柵線、TFT開關的柵電極、源電極、漏電極，以及 像素電極，其中所述柵線橫跨所述像素電極，將所述像素電極分為第一部分和第二部分，將所述 TFT開關的柵電極分為上下相同的兩部分，將所述TFT開關的源電極分為上下相同的兩部 分；所述TFT開關的源電極的兩部分分別與所述像素電極的第一部分和第二部分相連接。[0008]如上所述的陣列基板，其中，所述TFT開關的源電極關於所述柵線軸對稱。如上所述的陣列基板，其中，所述TFT開關的源電極的兩部分彼此分離。如上所述的陣列基板，其中，所述TFT開關的漏電極為T型，與所述數據線和所述 TFT開關的源電極的兩部分分別組成相同的U型溝道。如上所述的陣列基板，其中，所述像素電極的第一部分和第二部分相同，且所述柵 電極位於所述第一部分和所述第二部分之間。如上所述的陣列基板，其中，所述數據線縱跨所述像素電極，將所述TFT開關的柵 電極分為左右相同的兩部分；所述TFT開關的源電極的兩部分彼此分離，且分別位於所述數據線的左右兩側。如上所述的陣列基板，其中，所述數據線將所述像素電極分為左右相同的兩部分。本實用新型還提供了一種液晶顯示面板，包括對盒設置的陣列基板和彩膜基板， 所述陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶層，其中所述陣列基板採用如上所述的陣列基 板。本實用新型提供的陣列基板和液晶顯示面板，在不改變TFT開關功能和基本結構 的前提下，改良了 TFT開關的結構，通過將柵電極與源電極的重合部分設計為對稱結構，即 便在對位過程中出現水平方向的錯位和/或是豎直方向的錯位時，也可以消除柵金屬薄膜 層與數據金屬薄膜層在形成圖形的曝光過程中由於錯位而造成的重合面積變化，從而有效 保證了寄生電容Cgs的穩定，改善T^epper曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產品的成 品率。

圖1為現有技術中陣列基板的局部俯視結構示意圖；圖2為現有技術中陣列基板的第二種局部俯視結構示意圖；圖3為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結構示意圖；圖4A和圖4B為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結構示意圖；圖5為本實用新型實施例一提供的陣列基板的第二種局部俯視結構示意圖；圖6為本實用新型實施例一提供的陣列基板的第三種局部俯視結構示意圖。附圖標記I-襯底基板；2-柵線； 3-柵電極；5-數據線； 7-源電極；8-漏電極；11-像素電極。
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新 型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描 述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施 例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於 本實用新型保護的範圍。實施例一[0029]圖3為本實用新型實施例一提供的陣列基板的局部俯視結構示意圖，如圖3所示， 該陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有導電圖案和絕緣層，其中的導電圖案至少 包括數據線5、柵線2、TFT開關的柵電極3、源電極7、漏電極，以及像素電極11，絕緣層至 少包括柵絕緣層和鈍化層。其中，該陣列基板的柵線2橫跨像素電極11，並將像素電極11 分為第一部分和第二部分，將TFT開關的柵電極3分為上下相同的兩部分，將TFT開關的源 電極7分為上下相同的兩部分，TFT開關的源電極7的兩部分分別與像素電極11的第一部 分和第二部分相連接。採用本實用新型實施例提供的陣列基板，在不改變TFT開關功能和基本結構的前 提下，改良了 TFT開關的結構，將柵電極與源電極的重合部分設計為對稱結構，即便在對位 過程中出現水平方向的錯位和/或是豎直方向的錯位時，也可以消除柵金屬薄膜層與數據 金屬薄膜層在形成圖形的曝光過程中由於錯位而造成的重合面積變化，從而有效保證了寄 生電容Cgs的穩定，改善了 St印per曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產品的成品率。結合圖4A和圖4B所示的陣列基板的局部俯視結構示意圖，在圖4A和圖4B中，分 別表示了數據金屬薄膜層相對於柵金屬薄膜層發生水平方向的錯位和豎直方向的錯位兩 種情況，相對於圖3中所示的陣列基板的局部俯視結構示意圖而言，柵電極3和源電極7之 間的重合面積都是不發生改變的，穩定了寄生電容Cgs的大小。在本實施例中，TFT開關的源電極7優選關於柵線2軸對稱。結合圖中的位置，以 柵線2的延伸方向為χ軸的延伸方向，以數據線5的延伸方向為y軸的延伸方向。那麼，關 於柵線2軸對稱可以理解為源電極7關於χ軸對稱。這種結構的陣列基板，將數據線5作 為TFT開關的漏電極，源電極7直接跨過柵線2，並關於柵線2軸對稱，構圖工藝簡單、易操 作，不需對現有的工藝做過多的改進。在本實施例中，如圖5所示的本實用新型實施例提供的陣列基板的第二種局部俯 視結構示意圖，TFT開關的源電極7的兩部分彼此分離。結合圖中的位置，這種彼此分離的 源電極7的兩部分既可以關於χ軸對稱，也可以關於原點對稱，以獲得更加靈活的源電極7 的位置構造。在本實施例中，如圖5所示，漏電極8為T型結構，與數據線5和源電極7的兩部 分分別組成相同的U型溝道。這種結構的陣列基板，將源電極7分為相互分離的兩部分，並 與T型結構的漏電極8以及數據線5分別組成了兩個相同的U型溝道，這種結構可以提高 溝道寬長比，進而可以提高開口率，減小寄生電容Cgs。當然，漏電極8還可以是一字型結 構，這種漏電極8的結構比較簡單，易於實現。需要說明的是，上述實施例中提供的柵電極3還可以在y軸方向位於像素電極11 的中心位置。這種中心位置可以理解為像素電極11的第一部分和第二部分相同，且柵電 極3位於相同的第一部分與第二部分之間。這種結構可以保證薄膜層之間的錯位較大時， 也不會出現寄生電容Cgs不均勻問題。在本實施例中，如圖6所示的本實用新型實施例提供的陣列基板的第三者局部俯 視結構示意圖，數據線5縱跨像素電極11，將TFT開關的柵電極3分為左右相同的兩部分， 被柵線2分成的TFT開關的源電極7的兩部分彼此分離，且分別位於數據線5的左右兩側。 這種結構的陣列基板，適合溝道寬長比較大的情況。需要說明的是，數據線5可以在χ軸方向位於像素電極11的中心位置，這種中心位置可以理解為像素電極11被數據線5分為左右相同的兩部分。這種結構可以保證薄膜 層之間的錯位較大時，也不會出現寄生電容Cgs不均勻的問題。如果數據線5在χ軸方向位於像素電極11的中心位置，柵線2在y軸方向位於像 素電極11的中心位置，此時，柵線2和數據線5將像素電極分為相同的四個部分。這是一 種優選的陣列基板的結構，可以最大限度地保證薄膜層之間的錯位較大時，不會出現寄生 電容Cgs不均勻的問題。本實用新型提供的陣列基板，在不改變TFT開關功能和基本結構的前提下，改良 了 TFT開關的結構，通過將柵電極與源電極的重合部分設計為對稱結構，即便在對位過程 中出現水平方向的錯位和/或是豎直方向的錯位時，也可以消除柵金屬薄膜層與數據金屬 薄膜層在形成圖形的曝光過程中由於錯位而造成的重合面積變化，從而有效保證了寄生電 容Cgs的穩定，改善了 St印per曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產品的成品率。實施例二本實用新型實施例還提供了一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括對盒設置的 陣列基板和彩膜基板，陣列基板與彩膜基板之間填充有液晶層，其中，陣列基板採用上述實 施例一中提供的陣列基板。最後應說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制； 儘管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解: 其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行等 同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術 方案的精神和範圍。
權利要求1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有導電圖案和絕緣層，所述導電 圖案至少包括數據線、柵線、TFT開關的柵電極、源電極、漏電極，以及像素電極，其特徵在 於所述柵線橫跨所述像素電極，將所述像素電極分為第一部分和第二部分，將所述TFT 開關的柵電極分為上下相同的兩部分，將所述TFT開關的源電極分為上下相同的兩部分； 所述TFT開關的源電極的兩部分分別與所述像素電極的第一部分和第二部分相連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述TFT開關的源電極關於所述柵線 軸對稱。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述TFT開關的源電極的兩部分彼此 分離。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述TFT開關的漏電極為T型，與所 述數據線和所述TFT開關的源電極的兩部分分別組成相同的U型溝道。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特徵在於，所述像素電極的第一部分和第二部 分相同，且所述柵電極位於所述第一部分和所述第二部分之間。
6.根據權利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特徵在於，所述數據線縱跨所述像素 電極，將所述TFT開關的柵電極分為左右相同的兩部分；所述TFT開關的源電極的兩部分彼此分離，且分別位於所述數據線的左右兩側。
7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特徵在於，所述數據線將所述像素電極分為左 右相同的兩部分。
8.一種液晶顯示面板，包括對盒設置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基 板之間填充有液晶層，其特徵在於所述陣列基板採用權利要求1 7中任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板和液晶顯示面板。該陣列基板，包括襯底基板，襯底基板上形成有導電圖案和絕緣層，導電圖案至少包括數據線、柵線、TFT開關的柵電極、源電極、漏電極，以及像素電極，柵線橫跨像素電極，將像素電極分為第一部分和第二部分，將TFT開關的柵電極分為上下相同的兩部分，將TFT開關的源電極分為上下相同的兩部分；TFT開關的源電極的兩部分分別與像素電極的第一部分和第二部分相連接。本實用新型提供的方案，可以消除各薄膜層在形成圖形的曝光過程中由於錯位而造成的重合面積變化，有效保證了寄生電容Cgs的穩定，改善了Stepper曝光工藝中灰度不均勻的問題，提高產品的成品率。
文檔編號H01L27/02GK201845776SQ20102057463
公開日2011年5月25日 申請日期2010年10月15日 優先權日2010年10月15日
發明者劉宏宇, 李雲飛, 王剛 申請人:京東方科技集團股份有限公司