刻蝕矽片水膜去水裝置的製作方法

2023-05-29 13:31:21

本實用新型涉及矽片生產設備技術領域，尤其是涉及一種刻蝕矽片水膜去水裝置。

背景技術：

所謂刻蝕，實際上就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微製造工藝的發展；刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工製造的一種普適叫法，而溼法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除為被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。

在非擴散面加上水膜是防止矽片過刻的重要途徑，而在實際生產過程中，矽片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產成本。

技術實現要素：

本實用新型要解決的技術問題是：為了解決矽片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產成本的問題，現提供了一種刻蝕矽片水膜去水裝置。

本實用新型解決其技術問題所採用的技術方案是：一種刻蝕矽片水膜去水裝置，包括水槽，所述水槽內轉動設有若干用於輸送矽片的輸送輥，所述水槽外設有用於驅動輸送輥轉動的第一電機，所述水槽上轉動設置有去水輥，所述去水輥位於所述輸送輥上方且一一對應，所述去水輥外周面開設有若干第一環形槽，所述水槽外設有用於驅動去水輥轉動的第二電機，所述輸送輥與所述去水輥旋轉方向相反，所述水槽上設有集水盒，所述集水盒上設有開口朝上的集水腔，所述集水盒與所述去水輥一一對應，所述集水盒位於所述去水輥靠近矽片輸入的一側，所述集水盒靠近相對應去水輥的一側為斜邊，所述斜邊沿矽片輸送方向向上傾斜設置，所述斜邊的上端與所述去水輥外周面接觸，所述水槽上設有將集水腔與所述水槽連通的通道。在對矽片蝕刻前，先對矽片表面多餘的水膜進行去水處理，在矽片上設置好水膜後，通過將矽片放置在輸送輥上輸送，矽片在輸送輥和去水輥之間通過，去水輥能夠引導掉矽片表面的一些水，去水輥上的水由集水盒收集並引入到水槽內，能夠有效保障矽片上多餘的水及時的處理掉，保證水膜多餘的水不會進入到蝕刻槽內。

在矽片上進行水膜處理時，水膜過多會流至矽片的下表面，進一步地，所述輸送輥外周面開設有若干第二環形槽，所述水槽內轉動設有與輸送輥相對應的輥軸，所述輥軸位於所述輸送輥下方，所述輥軸上設有凸環，所述凸環與所述第二環形槽相對應，所述凸環的外周面位於第二環形槽內。位於矽片下表面的水由輸送輥去除，同時輸送輥的第二水槽內的水由輥軸上的凸環引入到水槽內，儘量減少矽片在蝕刻過程中矽片上的水掉入至蝕刻槽內。

進一步地，所述第一環形槽傾斜設置。通過去水輥與矽片上的水膜接觸，使得第二環形槽能夠在水膜的一定範圍內進行去水。

進一步地，所述水槽的底部設有用於水槽內排水的排水管。通過水槽底部的排水管將水槽內的水排出。

本實用新型的有益效果是：本實用新型刻蝕矽片水膜去水裝置在使用時，在對矽片蝕刻前，先對矽片表面多餘的水膜進行去水處理，在矽片上設置好水膜後，通過將矽片放置在輸送輥上輸送，矽片在輸送輥和去水輥之間通過，第一環形槽和第二環形槽能夠引導掉矽片表面的一些水，輸送輥的第一水槽內的水由輥軸上的凸環引入到水槽內，而去水輥上的水由集水盒收集並引入到水槽內，能夠有效保障矽片上多餘的水及時的處理掉，保證水膜多餘的水不會進入到蝕刻槽內，本實用新型操作簡單方便，能夠有效去除矽片水膜多餘的水，防止了矽片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產成本的問題。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型刻蝕矽片水膜去水裝置的主視圖；

圖2是本實用新型刻蝕矽片水膜去水裝置的左視圖。

圖中：1、水槽，2、輸送輥，201、第二環形槽，3、第一電機，4、輥軸，401、凸環，5、去水輥，501、第一環形槽，6、集水盒，601、集水腔，602、斜邊，7、矽片，8、第二電機。

具體實施方式

現在結合附圖對本實用新型做進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。

實施例

如圖1和2所示，一種刻蝕矽片水膜去水裝置，包括水槽1，所述水槽1內轉動設有若干用於輸送矽片7的輸送輥2，所述水槽1外設有用於驅動輸送輥2轉動的第一電機3，第一電機3和第二電機8由外接電源接入，並通過外部控制器控制第一電機3和第二電機8的啟閉，第一電機3和輸送輥2通過鏈輪鏈條傳動，第二電機8和去水輥5也是通過鏈輪鏈條傳動，所述水槽1上轉動設置有去水輥5，所述去水輥5位於所述輸送輥2上方且一一對應，所述去水輥5外周面開設有若干第一環形槽501，所述水槽1外設有用於驅動去水輥5轉動的第二電機8，所述輸送輥2與所述去水輥5旋轉方向相反，所述水槽1上設有集水盒6，所述集水盒6上設有開口朝上的集水腔601，所述集水盒6與所述去水輥5一一對應，所述集水盒6位於所述去水輥5靠近矽片7輸入的一側，所述集水盒6靠近相對應去水輥5的一側為斜邊602，所述斜邊602沿矽片7輸送方向向上傾斜設置，所述斜邊602的上端與所述去水輥5外周面接觸，所述水槽1上設有將集水腔601與所述水槽1連通的通道。

所述集水盒6內的集水腔601沿輸送輥2的軸線方向呈兩端低中間高。

所述輸送輥2外周面開設有若干第二環形槽201，所述水槽1內轉動設有與輸送輥2相對應的輥軸4，所述輥軸4位於所述輸送輥2下方，所述輥軸4上設有凸環401，所述凸環401與所述第二環形槽201相對應，所述凸環401的外周面位於第二環形槽201內。

所述第一環形槽501傾斜設置。

所述水槽1的底部設有用於水槽1內排水的排水管。

上述刻蝕矽片水膜去水裝置在使用時，在矽片7設置好水膜後，在矽片7進行蝕刻前，先對矽片7表面進行水膜多餘的水去除，首先啟動第一電機3和第二電機8，第一電機3帶動輸送輥2轉動，第二電機8帶動去水輥5轉動，將表面具有水膜的矽片7放置在輸送輥2上，輸送輥2帶動矽片7並與去水輥5接觸，輸送輥2和去水輥5上的第一環形槽501和第二環形槽201，將矽片7上表面及下表面的多餘水吸入，同時去水輥5將水膜上多餘的水吸附在去水輥5的外周面，輸送輥2上第二環形槽201內的水由下方的輥軸4上的凸環401引入到水槽1內，去水輥5上內的水由集水盒6的斜邊602引入到集水腔601內，由於集水腔601呈中間高兩端低，水向兩端流到最後流入到水槽1內，實現對矽片7表面水膜多餘的水的收集，最後通過水槽1底部的排水管排出。

上述依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的範圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性範圍並不局限於說明書上的內容，必須要根據權利要求範圍來確定其技術性範圍。