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用於測量20MeV能區中子注量率的<sup>238</sup>U裂變電離室的製作方法

2023-06-30 07:41:51 1

專利名稱:用於測量20MeV能區中子注量率的238U裂變電離室的製作方法
技術領域:
本發明涉及一種輻射強度測量用的電離室裝置,特別涉及一種用於測量 20MeV能區中子注量率的23SU裂變電離室。
背景技術:
中子注量率是中子場的基本量之一,從它可以準備的獲得其它參數,如中 子截面、探測器的響應等。測量快中子注量率採用最多的是氫反衝法,根據能區 的不同,選擇不同形式的反衝質子探測器。目甜,測量20MeV以上能區中子注 量率,國際上普遍採用的測量裝置有反衝質子望遠鏡和裂變電離室。對於反衝質 子望遠鏡,其測量不確定度小,但由於其對Y射線靈敏,需做符合測量,因而測 量裝置較為複雜,配套設備較多,並且其效率較低。與其相比,,U裂變電離室, 測量裝置簡單,工作性能可靠,並且對Y射線和低能中子不靈敏。國際上238U 裂變電離室一般採用白金作為底襯,而其造價昂貴。發明內容本發明克服了現有技術中的不足,提供一種結構簡單、成本低廉、可根據 測量的需要方便的進行調解的用於測量20MeV能區中子注量率的23811裂變電離為了解決上述技術問題,本發明是通過以下技術方案實現的 該裝置呈柱狀,包括帶有進氣口和出氣口的外殼、電鍍有^U樣品的底襯、 收集極,底襯和收集極通過支柱固定在外殼內,關鍵在於所述的底襯為不鏽鋼材質。為了方便的調節收集極與底襯之問的極問距及提高底襯和收集極的穩定性及,本發明還可以所述的支柱由聚四氟乙烯棒和不同長度的聚四氟乙烯套管和黃銅套管組裝 而成,所述的底襯和收集極還通過固定環固定。與現有技術相比,本發明的有益效果是本裝置採用不鏽鋼材料作為底襯, 極大的降低該裝置的成本,並採用聚四氟乙烯棒和不同長度的聚四氟乙烯套管和 黃銅套管組裝成支柱,採用聚四氟乙烯套管或黃銅套管來設置收集極與外殼絕 緣,底襯與外殼連通作為陰極,並可以根據測量的需要,通過不同長度的套管來 調解收集極與底襯之間的極間距。


圖1,u裂變電離室結構剖視圖具體實施方式
下面結合附圖與具體實施方式
對本發明作進一歩詳細描述該裝置呈柱狀結構,包括由內直徑為170mm,前後壁厚為l.lmm的外殼1, 外殼1上焊接有進氣口 2和出氣口 3,直徑為150mm,厚度為0.4mm的不鏽鋼 底襯5和直徑為150mm,厚度為0.3mm的收集極6通過不鏽鋼固定環4及由聚 四氟乙烯棒和套管組成的支柱7固定在外殼1內部,其不鏽鋼底襯5與外殼1 通過黃銅套管連通作為陰極,收集極6與外殼1通過聚四氟乙烯套管與外殼1 絕緣並作為陽極,^U樣品8電鍍在底襯5上,收集極6收集的信號通過信號輸 出插頭9輸送信號。該電離室的工作原理如下首先將工作氣體通過進氣口 2和出氣口 3充入電離室中,然後將電離室置 入中子場中,中子場中的中子使電鍍在底襯5上的23811樣品8發生裂變,裂變 碎片使工作氣體電離,形成正離子和負離子,在收集極6與底襯5之間的電場作 用下進行收集,收集過程中產生電信號,收集極6收集的電信號再通過信號輸出 插頭9輸送至電子學系統。
權利要求
1.一種用於測量20MeV能區中子注量率的238U裂變電離室,該裝置呈柱狀,包括帶有進氣口(2)和出氣口(3)的外殼(1)、電鍍有238U樣品(8)的底襯(5)、收集極(6),底襯(5)和收集極(6)通過支柱(7)固定在外殼(1)內,且底襯(5)與外殼(1)連接作為陰極,收集極(6)作為陽極,收集極(6)收集的信號通過信號輸出插頭(9)輸送,其特徵在於所述的底襯(5)為不鏽鋼材質。
2. 根據權利要求1所述的用於測量20MeV能區中子注量率的23811裂變電離室, 其特徵在於,所述的支柱(7)由聚四氟乙烯棒和套管組裝而成。
3. 根據權利要求2所述的用於測量20MeV能區中子注量率的238U裂變電離室, 其特徵在於,所述的套管為不同長度的聚四氟乙烯套管和黃銅套管兩種。
4. 根據權利要求1所述的用於測量20MeV能區中子注量率的23811裂變電離室, 其特徵在於,所述的底襯(5)和收集極(6)還通過固定環(4)固定。
全文摘要
本發明公開了一種用於測量20MeV能區中子注量率的238U裂變電離室,該裝置呈柱狀,包括帶有進氣口(2)和出氣口(3)的外殼(1)、電鍍有238U樣品(8)的底襯(5)、收集極(6),底襯(5)和收集極(6)通過支柱(7)固定在外殼(1)內,且底襯(5)與外殼(1)連接作為陰極,收集極(6)作為陽極,收集極(6)收集的信號通過信號輸出插頭(9)輸送,所述的底襯(5)為不鏽鋼材質。該發明提供一種結構簡單、成本低廉、可根據測量的需要方便的進行調解的用於測量20MeV能區中子注量率的238U裂變電離室。
文檔編號G01T3/00GK101236254SQ20081000805
公開日2008年8月6日 申請日期2008年3月5日 優先權日2008年3月5日
發明者劉毅娜, 李春娟, 王志強, 阮錫超, 軍 陳, 駱海龍 申請人:中國原子能科學研究院

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