一種下排氣單晶爐排氣帽的製作方法

2023-05-30 10:15:26 1

專利名稱：一種下排氣單晶爐排氣帽的製作方法
技術領域：
本實用新型屬於單晶矽製備設備技術領域，尤其涉及一種單晶矽爐排氣帽。
背景技術：
目前，拉晶熱系統中下排氣的單晶爐出現漏矽時，將會造成較大的影響，如果高溫度矽液體進入排氣管道，會導致直接燙壞管道造成漏水，嚴重時可能造成單晶爐爆炸。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種下排氣單晶爐排氣帽，可以避免高溫 度矽液體進入單晶爐排氣管道，導致燙壞排氣管道而引發安全事故的問題。為解決上述技術問題，本實用新型所採取的技術方案是一種下排氣單晶爐排氣帽，其特徵在於包括上頂蓋和周壁上設有進氣孔的排氣管，所述上頂蓋固定於所述排氣管的上端並將所述排氣管的上埠全部覆蓋，所述進氣孔位於所述排氣管的上部。採用上述技術方案所產生的有益效果在於所述排氣帽對單晶爐排氣管道起保護作用，在單晶爐出現漏矽時所述排氣帽的上頂蓋可以起到緩衝高溫度矽液體的作用，並把矽液導向其它部位，而不從單晶爐排氣管道的上埠進入排氣管道，避免了高溫度的矽液燙壞排氣管道而引發重大安全事故的問題。
以下結合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。圖I是本實用新型結構示意圖；其中1、上頂蓋2、排氣管3、進氣孔。
具體實施方式
如圖I所示，一種下排氣單晶爐排氣帽，包括上頂蓋I和周壁上設有進氣孔3的排氣管2，所述上頂蓋I固定於所述排氣管2的上端並將所述排氣管2的上埠全部覆蓋，所述進氣孔3位於所述排氣管2的上部。將所述排氣帽套在單晶爐的排氣管道的上埠，對單晶爐排氣管道起保護作用，在單晶爐出現漏矽時所述排氣帽的上頂蓋I可以起到緩衝高溫度矽液的作用，並把矽液導向其它部位，而不從排氣管道的上埠進入排氣管道，避免了高溫度的矽液燙壞排氣管道而引發重大安全事故的問題。
權利要求1.ー種下排氣單晶爐排氣帽，其特徵在於包括上頂蓋(I)和周壁上設有進氣孔(3)的排氣管(2)，所述上頂蓋(I)固定於所述排氣管(2)的上端並將所述排氣管(2)的上端ロ全部覆蓋，所述進氣孔(3)位於所述排氣管(2)的上部。
專利摘要本實用新型公開了一種下排氣單晶爐排氣帽，屬於單晶矽製備設備技術領域。包括上頂蓋和周壁上設有進氣孔的排氣管，所述上頂蓋固定於所述排氣管的上端並將所述排氣管的上埠全部覆蓋，所述進氣孔位於所述排氣管的上部。將所述排氣帽套在單晶爐的排氣管道的上埠，對單晶爐排氣管道起保護作用，在單晶爐出現漏矽時所述排氣帽的上頂蓋可以起到緩衝高溫度矽液的作用，並把矽液導向其它部位，而不從排氣管道的上埠進入，避免了高溫度的矽液燙壞單晶爐排氣管道而引發重大安全事故的問題。
文檔編號C30B15/00GK202369677SQ20112045339
公開日2012年8月8日 申請日期2011年11月16日 優先權日2011年11月16日
發明者何京輝, 劉彬國, 曹祥瑞 申請人:邢臺晶龍電子材料有限公司