用於晶片頻率腐蝕的設備的製作方法
2023-05-29 18:47:31 1
專利名稱：用於晶片頻率腐蝕的設備的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及的是一種用於晶片頻率腐蝕的設備，屬於腐蝕晶片技術 領域。
背景技術：
現有技術中用於晶片腐蝕的設備是沒有自動的腐蝕、清洗裝置，是依靠 人工完成的。其藝方法包括如下工藝步驟
1) 腐蝕液的配置；
2) 來料進行抽測幾片，並記錄下晶片的頻率，進行計算出要腐蝕的大致 時間；
3) 用手拿著放好晶片的腐蝕籃放到腐蝕液中進行晃動腐蝕；
4) 腐蝕到計算時間的一半時進行計算出要腐蝕的速率以及計算腐蝕時間；
5) 將腐蝕好的晶片用熱水衝洗乾淨，倒入放有鹽酸稀釋液的容器中，用 超聲波超聲30分鐘；
6) 晶片清洗熱水清洗三次一溫水洗三次一電磁爐純淨水煮沸5分鐘一 酒精脫水一烘乾。
人工進行腐蝕，腐蝕的效率低， 一人只能操作一臺， 一臺僅能腐蝕1籃/ 次；腐蝕頻率管控需操作人進行人工計算腐蝕速率；腐蝕完後晶片清洗用手 工進行清洗，增加人力。發明內容
本實用新型提出一種用於晶片頻率腐蝕的設備，旨在克服現有技術所存 在的上述缺陷，實現加工自動化，減少了因人為因素所造成的產品質量不穩 定，從而有效地提高了生產效率，保證了產品質量的一致性。
本實用新型的技術解決方案用於晶片頻率腐蝕的設備，結構是在腐蝕框 內設有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔 開，三道清洗槽間有隔板，三道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽 內各有一根傳動杆，傳動杆上有腐蝕槽振動架，盛放晶片籃放在該振動架上；所 述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。
本實用新型的優點由自動腐蝕晶片代替人工腐蝕晶片， 一臺機能腐蝕 4/次，且每人操作2臺設備，是原加工產量的8倍左右；腐蝕用計算機檔案 代替人工進行頻率管控；便於自動化，減少人為因素；腐蝕完晶片清洗用自 動化裝置代替人工進行清洗，腐蝕和清洗能同時進行操作代替原來不能同時 進行的工作從而減少人力也提高了效率。
附圖1是用於晶片頻率腐蝕的設備結構示意圖。
圖中的1是腐蝕槽、2是三道清洗槽、3是A隔板、4是B隔板、5是傳 動杆、6是腐蝕槽振動架、7是放水隔層、8是抽風裝置。
具體實施方式
對照附圖，其結構是在腐蝕框內設有腐蝕槽l,腐蝕槽l緊鄰三道清洗槽 2，三道清洗槽2和腐蝕槽1間用A隔板隔開，三道清洗槽2內有四塊B隔板,三道清洗槽2的底部相通；三道清洗槽2和腐蝕槽1內各有一根傳動杆5，
傳動杆5上有個腐蝕槽振動架6，盛放晶片籃放在該腐蝕槽振動架6上；所述的腐
蝕槽1外圍有一放水隔層7，
所述的三道清洗槽2中的二個A隔板的高度H是不同的。 腐蝕槽1和三道清洗槽2的上方有一個共同的抽風裝置8。
實施例1
晶片頻率腐蝕方法的工藝步驟-
一、 腐蝕液的配置F>30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式 NH4HF2，分子量:57.04,含量33%±1%,密度為1. 09 1. 10g/ml; 17L氟化氫 銨水溶液放到腐蝕槽內，溫度65士2t:;
16MHz《F<30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式NH4HF2，分子 量57.04，含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到 腐蝕槽內，溫度50士2'C;
F<8MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟化氫銨 水(重量比)=:2:1，配好後的混合液17L放到腐蝕槽內，溫度78土2。C;
16MHz〈F《30MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟 化氫銨水(重量比)=:1:1.5，配好後的混合液17L放到腐蝕槽內，溫度60 ±2°C;
二、 腐蝕數量F《17MHz 1000片/籃，F〉17MHzl500/籃；式中的F 是頻率；晶片的規格，共4籃； 三、 受調速電機控制的腐蝕槽振動架作上下運動l次/秒(晶片型號HC-49U/S);
四、 從將腐蝕的晶片中隨機抽測晶片20片，並將該20片的頻率(19537， 19577， 19539， 19565， 19576， 19533， 19536， 19580， 19586， 19570， 19560， 19568， 19565, 19539， 19575， 19578， 19567, 19569， 19539， 19567)(單 位KHZ)記錄在計算機檔案裡，取其中頻率最大的5片進行第一次腐蝕，在 進行第一次腐蝕後的腐蝕時間(1000S)和頻率記錄在計算機檔案裡，頻率為 20M的工藝參數為19910 20030 20150 (單位KHZ)。將第一次腐蝕的目 標值為工藝參數的中心值(20030)加上工藝參數的最大值(20150)除以2， 計算出腐蝕的目標值輸入到計算機檔案裡，該批次晶片的腐蝕時間由計算機 自動計算(1033S)。
五、 啟動腐蝕機，待晶片腐蝕到規定的腐蝕時間，將4籃晶片拎出，放 入水溫在80度的三道清洗槽內清洗，每一道槽清洗時間10分鐘，經三道槽 清洗後放在純淨水中超聲清洗10分鐘，然後放入電子級酒精超聲脫水8分鐘， 最後烘乾，除去晶片表面水跡，所述的三道清洗槽內的水量佔三道清洗槽3/4 的容積；所述的純淨水、電子級酒精佔所在超聲波2/4的容積；
腐蝕時打開電源開關使腐蝕機接通電源，然後打開帶動腐蝕槽傳動杆的 調速電機使傳動杆進行上下運動，把準備腐蝕的晶片^C在晶片籃內，放好後 晶片籃放到傳動杆上的固定架上，使晶片在腐蝕槽內的腐蝕液中進行上下震 蕩進行腐蝕，直到腐到晶片的目標頻率為止。腐蝕完晶片清洗時打開帶動清 洗槽傳動杆的調速電機，使傳動杆進行上下運動，把腐蝕到目標頻率的晶片 籃放到清洗槽傳動杆的固定架上使晶片分別在三道清洗槽流動的熱水中進行 上下震蕩進行清洗，直到晶片的表面清潔為止。
權利要求1、用於晶片頻率腐蝕的設備，其特徵是在框內設有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內各有一根傳動杆，傳動杆上有腐蝕槽振動架，盛放晶片籃放在該振動架上；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。
2、 根據權利要求1所述的用於晶片頻率腐蝕的設備，其特徵是所述的三道 清洗槽中的二個隔板間的高度是不同的。
3、 根據權利要求1所述的用於晶片頻率腐蝕的設備，其特徵是所述的腐蝕 槽和清洗槽的上方有一個共同的抽風裝置。
專利摘要本實用新型涉及的是一種用於晶片頻率腐蝕的設備，其結構在框內設有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內各有一根傳動杆，傳動杆上有腐蝕槽振動架，盛放晶片籃放在該振動架上；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。所述的三道清洗槽中的二個隔板間的高度是不同的。所述的腐蝕槽和清洗槽的上方有一個共同的抽風裝置。優點由自動腐蝕晶片是原加工產量的8倍；腐蝕用計算機檔案進行頻率管控，減少人為因素；腐蝕和清洗能同時進行，從而減少人力也提高了效率。
文檔編號C30B33/00GK201358323SQ200920036170
公開日2009年12月9日 申請日期2009年3月11日 優先權日2009年3月11日
發明者王玉香, 肖玉森 申請人:南京德研電子有限公司