具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法

2023-06-04 06:12:06 1

專利名稱：具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法
技術領域：
本發明涉及一種高壓電晶體模型方法，具體涉及ー種具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法。
背景技術：
用於高壓集成電路設計的高壓電晶體一般分為高壓MOS和高壓LDMOS兩種。目前用於提高高壓電晶體耐壓的方法有兩種其一，場板技術的引入可以均勻表面電場，從而提高器件擊穿電壓；其ニ，在耐壓側(漏側或源漏兩側)引入輕摻雜漂移區，通過漂移區耗盡以提高器件的擊穿電壓。如

圖1所示，為提高器件的擊穿電壓，在高壓MOS的源側和漏側引入輕摻雜漂移區；如圖2所示，在高壓LDMOS的漏側引入輕摻雜漂移區。但是，場板技術同時會引入較大的交疊電容(Overlap電容)，漂移區大的電阻特性也會帶來高壓器件獨特的高壓特性。如何精確模擬場板技術及漂移區特性是高壓器件建模的關鍵之處。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供ー種具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法，它可以精確模擬漂移區電阻特性。為解決上述技術問題，本發明具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法的技術解決方案為，包括以下步驟第一歩，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldriftl和漏極有源區下的漂移區Ldrift2 ;將源側漂移區也分為三部分溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldriftsl和源極有源區下的漂移區 Ldrifts2 ；第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性；採用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgsjf -電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電
阻特性的影響；
權利要求
1. 一種具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法，其特徵在於，包括以下步驟 第一步，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldriftl和漏極有源區下的漂移區Ldrift2 ;將源側漂移區也分為三部分溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldriftsl和源極有源區下的漂移區Ldrifts2 ； 第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性； 採用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgs、漏源電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電阻特性的影響；
2.根據權利要求1所述的具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法，其特徵在於所述器件結構為對稱結構的高壓MOS器件時Loverld = Lovers ；Ldriftl = Ldriftsl ；Ldrift2 = Ldrifts2則漏側漂移區和源側漂移區電阻的計算公式中，f\、f2、f3按下式計算f: (Ldriftl) = LdriftlXRDSLPl+RDICTl(4) f2 (Ldrift2) = Ldrift2XRDSLP2+RDICT2(5)
3.根據權利要求1所述的具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法其特徵在於所述器件結構為非對稱結構的高壓MOS器件時Loverld 幸 Lovers ；Ldriftl 幸 Ldriftsl ；Ldrift2 幸 Ldrifts2則漏側漂移區電阻的計算公式中，f\、f2、f3按下式計算f: (Ldriftl) = LdriftlXRDSLPl+RDICTl(4) f2 (Ldrift2) = Ldrift2XRDSLP2+RDICT2(5)
4.根據權利要求1所述的具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法，其特徵在於所述器件結構為高壓LDMOS器件時，其漏側漂移區電阻的計算公 式中，f2、f3按下式計算 f: (Ldriftl) = LdriftlXRDSLPl+RDICTl(4) f2 (Ldrift2) = Ldrift2XRDSLP2+RDICT2(5)
全文摘要
本發明公開了一種具有可擴展性漂移區電阻的高壓電晶體模型方法，包括以下步驟第一步，按照器件結構，將漏側漂移區分為三部分溝道有源區下的漂移區Loverld、場氧下的漂移區Ldrift1和漏極有源區下的漂移區Ldrift2；將源側漂移區也分為三部分溝道有源區下的漂移區Lovers、場氧下漂移區Ldrifts1和源極有源區下的漂移區Ldrifts2；第二步，精確模擬每部分漂移區的電阻特性；採用下述公式模擬器件的柵源電壓Vgs、漏源電壓Vds和體源電壓Vbs對漂移區電阻特性的影響；本發明能夠有效提高高壓MOS或高壓LDMOS模型精度，以提高高壓集成電路仿真精度，節約電路設計周期。
文檔編號G06F17/50GK103049589SQ201110312430
公開日2013年4月17日 申請日期2011年10月14日 優先權日2011年10月14日
發明者武潔 申請人:上海華虹Nec電子有限公司