射頻信號用功率合成器的製造方法
2023-05-28 01:30:41
射頻信號用功率合成器的製造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種射頻信號用功率合成器，包括：PCB基板、位於此PCB基板上相互隔離的第一金屬微帶線、第二金屬微帶線和輸出金屬區，此第一金屬微帶線、第二微帶線一端分別連接到第一輸入金屬區、第二輸入金屬區；所述第一金屬微帶線與輸出金屬區之間設有第一電容，所述第二金屬微帶線與輸出金屬區之間設有第二電容；一電阻跨接於第一輸入金屬區、第二輸入金屬區之間，第一金屬微帶線、第二金屬微帶線均由若干根交替排列的第一弧形微帶條、第二弧形微帶條首尾連接組成，第一弧形微帶條朝向外側排列，第二弧形微帶條朝向內側排列。本實用新型功率合成器在縮小整個功率合成器結構面積的同時，也減小了插入損耗且有利於調整電感。
【專利說明】射頻信號用功率合成器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種功率合成器，尤其涉及一種射頻信號用功率合成器。
【背景技術】
[0002]在功率放大應用中，需要將多個功率放大管的輸出通過功率合成器來增加輸出功率。傳統的功率合成器的結構是兩路微帶線威爾金森功率合成器，如下圖1所示。假設各埠的負載等於傳輸線的特性阻抗Z0，當從埠 2和埠 3等功率輸入時，埠 I將合成高於埠 2 (或埠 3)3dB的輸出功率。這種功率合成器的優點是結構簡單，帶寬較寬，隔離電阻(2Z0)使埠 2和埠 3之間能獲得較好的隔離性能，但由於採用了微帶線結構，使得威爾金森功率合成器的版圖面積較大，另外就是插入損耗較大，難以應用於更高功率合成。
【發明內容】
[0003]本實用新型提供一種射頻信號用功率合成器，此射頻信號用功率合成器在縮小整個功率合成器結構面積的同時，也減小了插入損耗且有利於調整電感。
[0004]為達到上述目的，本實用新型採用的技術方案是:一種射頻信號用功率合成器，包括:PCB基板、位於此PCB基板上相互隔離的第一金屬微帶線、第二金屬微帶線和用於輸出射頻信號的輸出金屬區，此第一金屬微帶線、第二微帶線一端分別連接到用於接收射頻信號的第一輸入金屬區、第二輸入金屬區；所述第一金屬微帶線與輸出金屬區之間設有第一電容，所述第二金屬微帶線與輸出金屬區之間設有第二電容；一電阻跨接於第一輸入金屬區、第二輸入金屬區之間，所述第一金屬微帶線、第二金屬微帶線均由若干根交替排列的第一弧形微帶條、第二弧形微帶條首尾連接組成，第一弧形微帶條朝向外側排列，第二弧形微帶條朝向內側排列。
[0005]上述技術方案中進一步的改進技術方案如下:
[0006]上述方案中，所述電阻與第一輸入金屬區、第二輸入金屬區通過助焊層電連接，所述第一電容兩端與第一金屬微帶線和輸出金屬區之間通過助焊層電連接，所述第二電容兩端與第二金屬微帶線和輸出金屬區之間通過助焊層電連接。
[0007]由於上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點:
[0008]本實用新型電抗功率合成器，其第一金屬微帶線、第二微帶線一端分別連接到第一輸入金屬區、第二輸入金屬區；所述第一金屬微帶線與輸出金屬區之間設有第一電容，所述第二金屬微帶線與輸出金屬區之間設有第二電容；一電阻跨接於第一輸入金屬區、第二輸入金屬區之間，所述第一金屬微帶線、第二金屬微帶線均由若干根微帶條首尾連接組成，相鄰微帶條之間的夾角為25?80度，在縮小整個功率合成器結構面積的同時，也減小了插入損耗且有利於調整電感。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]附圖1為現有功率合成器結構示意圖；[0010]附圖2為本實用新型射頻信號用功率合成器結構示意圖；
[0011]附圖3為本實用新型功率合成器局部剖面示意圖一；
[0012]附圖4為本實用新型功率合成器局部剖面示意圖二。
[0013]以上附圖中:1、PCB基板；2、第一金屬微帶線；3、第二金屬微帶線；4、輸出金屬區；
5、第一輸入金屬區；6、第二輸入金屬區；7、第一電容；8、第二電容；9、電阻；10、助焊層；
11、第一弧形微帶條；12、第二弧形微帶條。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0015]實施例:一種射頻信號用功率合成器，包括:PCB基板1、位於此PCB基板I上相互隔離的第一金屬微帶線2、第二金屬微帶線3和用於輸出射頻信號的輸出金屬區4，此第一金屬微帶線2、第二微帶線3 —端分別連接到用於接收射頻信號的第一輸入金屬區5、第二輸入金屬區6 ;所述第一金屬微帶線2與輸出金屬區4之間設有第一電容7,所述第二金屬微帶線3與輸出金屬區4之間設有第二電容8 ;—電阻9跨接於第一輸入金屬區5、第二輸入金屬區6之間，，所述第一金屬微帶線2、第二金屬微帶線3均由若干根交替排列的第一弧形微帶條11、第二弧形微帶條12首尾連接組成，第一弧形微帶條11朝向外側排列，第二弧形微帶條12朝向內側排列。
[0016]上述電阻9與第一輸入金屬區5、第二輸入金屬區6通過助焊層10電連接，所述第一電容7兩端與第一金屬微帶線2和輸出金屬區4之間通過助焊層10電連接，所述第二電容8兩端與第二金屬微帶線3和輸出金屬區4之間通過助焊層10電連接。
[0017]上述輸出金屬區4、第一輸入金屬區5、第二輸入金屬區6的阻抗均為50 Ω。
[0018]採用了高Q值電容諧振電路的結構，在縮小整個功率合成器結構面積的同時，也減小了插入損耗，埠 2和埠 3的兩個分叉支路由原來的四分之一波長微帶線改進為一個高Q值電容與一段微帶線串聯組成諧振電路。高Q值電容的引入在減小版圖面積的同時也降低了插入損耗。
[0019]上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在於讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內容並據以實施，並不能以此限制本實用新型的保護範圍。凡根據本實用新型精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種射頻信號用功率合成器，其特徵在於:包括:PCB基板(I)、位於此PCB基板(I)上相互隔離的第一金屬微帶線(2)、第二金屬微帶線(3)和用於輸出射頻信號的輸出金屬區(4)，此第一金屬微帶線(2)、第二微帶線(3)—端分別連接到用於接收射頻信號的第一輸入金屬區(5)、第二輸入金屬區(6);所述第一金屬微帶線(2)與輸出金屬區(4)之間設有第一電容(7)，所述第二金屬微帶線(3)與輸出金屬區(4)之間設有第二電容(8);—電阻(9)跨接於第一輸入金屬區(5)、第二輸入金屬區(6)之間,所述第一金屬微帶線(2)、第二金屬微帶線(3 )均由若干根交替排列的第一弧形微帶條(11)、第二弧形微帶條(12 )首尾連接組成，第一弧形微帶條(11)朝向外側排列，第二弧形微帶條(12)朝向內側排列。
2.根據權利要求1所述的射頻信號用功率合成器，其特徵在於:所述電阻(9)與第一輸入金屬區(5)、第二輸入金屬區(6)通過助焊層(10)電連接，所述第一電容(7)兩端與第一金屬微帶線(2)和輸出金屬區(4)之間通過助焊層(10)電連接，所述第二電容(8)兩端與第二金屬微帶線(3)和輸出金屬區(4)之間通過助焊層(10)電連接。
【文檔編號】H01P5/16GK203690468SQ201320858428
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月24日 優先權日:2013年12月24日
【發明者】薛紅喜, 繆衛明 申請人:崑山美博通訊科技有限公司