一種防錫球塌陷的fcqfn封裝件的製作方法

2023-05-28 15:35:56

一種防錫球塌陷的fcqfn封裝件的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種防錫球塌陷的FCQFN封裝件，所述封裝件主要由銅引線框架、第一層綠漆、綠漆凹槽、晶片、錫銀銅凸點、塑封體、蝕刻後的引腳、第二層綠漆和錫球組成。所述銅引線框架塗覆有第一層綠漆，第一層綠漆層有綠漆凹槽，綠漆凹槽上粘接有錫銀銅凸點和晶片。所述塑封體包圍了銅引線框架的上表面、第一層綠漆、綠漆凹槽、晶片、錫銀銅凸點，並形成了電路整體。所述蝕刻後的引腳為蝕刻後的銅引線框架所形成，蝕刻後的銅引線框架包括有蝕刻減薄區，裡面塗覆有第二層綠漆，蝕刻後的引腳上有錫球。本實用新型避免了短路與提高了塑封料的填充性，從而提升了產品可靠性。
【專利說明】一種防錫球塌陷的FCQFN封裝件
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電子信息自動化元器件製造【技術領域】，具體是一種防錫球塌陷的FCQFN封裝件。
【背景技術】
[0002]Flip Chip既是一種晶片互連技術，又是一種理想的晶片粘接技術。早在30年前IBM公司已研發使用了這項技術。但直到近幾年來，Flip-Chip已成為高端器件及高密度封裝領域中經常採用的封裝形式。今天，Flip-Chip封裝技術的應用範圍日益廣泛，封裝形式更趨多樣化，對Flip-Chip封裝技術的要求也隨之提高。同時,Flip-Chip也向製造者提出了一系列新的嚴峻挑戰，為這項複雜的技術提供封裝，組裝及測試的可靠支持。以往的一級封閉技術都是將晶片的有源區面朝上，背對基板和貼後鍵合，如引線鍵合和載帶自動鍵合(T A B)。F C則將晶片有源區面對基板，通過晶片上呈陣列排列的焊料凸點實現晶片與襯底的互連。矽片直接以倒扣方式安裝到P C B從矽片向四周引出I / O，互聯的長度大大縮短，減小了 R C延遲，有效地提高了電性能。顯然，這種晶片互連方式能提供更高的I / O密度。倒裝佔有面積幾乎與晶片大小一致。在所有表面安裝技術中，倒裝晶片可以達到最小、最薄的封裝。但是由於以往傳統封裝的局限性晶片凸點在回流過程中熔化塌陷，兩個晶片凸點之間因錫連接造成短路，晶片與框架之間的高度因塌陷也會降低，塑封料在填充過程中不充分容易造成空洞，影響產品可靠性。
實用新型內容
[0003]為了克服上述現有技術存在的問題，本實用新型提供了一種防錫球塌陷的FCQFN封裝件，其目的是通過在銅引線框架上先做出一個綠漆凹槽，晶片凸點與綠漆凹槽內的銅面結合，緩解凸點在回流過程中的塌陷溢出，避免短路與提高塑封料的填充性，從而提升了產品可靠性。``[0004]一種防錫球塌陷的FCQFN封裝件，主要由銅引線框架、第一層綠漆、綠漆凹槽、晶片、錫銀銅凸點、塑封體、蝕刻後的引腳、第二層綠漆和錫球組成。所述銅引線框架塗覆有第一層綠漆，第一層綠漆層有綠漆凹槽，綠漆凹槽上粘接有錫銀銅凸點和晶片。所述塑封體包圍了銅引線框架的上表面、第一層綠漆、綠漆凹槽、晶片、錫銀銅凸點，並形成了電路整體。所述蝕刻後的引腳為蝕刻後的銅引線框架所形成，蝕刻後的銅引線框架包括有蝕刻減薄區，裡面塗覆有第二層綠漆，蝕刻後的引腳上有錫球。
[0005]一種防錫球塌陷的FCQFN封裝件工藝流程如下:
【權利要求】
1.一種防錫球塌陷的FCQFN封裝件，其特徵在於:主要由銅引線框架(I)、第一層綠漆(2)、綠漆凹槽(3)、晶片(4)、錫銀銅凸點(5)、塑封體(6)、蝕刻後的引腳(8)、第二層綠漆(9)和錫球(10)組成；所述銅引線框架(I)塗覆有第一層綠漆(2)，第一層綠漆(2)層有綠漆凹槽(3)，綠漆凹槽(3)上粘接有錫銀銅凸點(5)和晶片(4);所述塑封體(6)包圍了銅引線框架(I)的上表面、第一層綠漆(2)、綠漆凹槽(3)、晶片(4)、錫銀銅凸點(5)，並形成了電路整體；所述蝕刻後的引腳(8)為蝕刻後的銅引線框架(I)所形成，蝕刻後的銅引線框架(I)包括有蝕刻減薄區(7)，裡面塗覆有第二層綠漆(9)，蝕刻後的引腳(8)上有錫球(10)。
【文檔編號】H01L23/495GK203589010SQ201320267875
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年5月16日 優先權日:2013年5月16日
【發明者】諶世廣, 朱文輝, 劉衛東, 鍾環清, 謝天禹 申請人:華天科技（西安）有限公司