電子傳輸層、含該層的有機電致發光器件及其製造方法
2023-05-28 03:50:06 2
專利名稱:電子傳輸層、含該層的有機電致發光器件及其製造方法
技術領域:
本發明屬於有機電致發光器件領域,具體涉及一種電子傳輸層、含該層的有機電致發光器件及其製造方法。
背景技術:
有機發光二極體,又稱有機電致發光器件(0LED),可為多層結構,一般包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層,以及陰極和陽極。其中,電子傳輸層常使用單一有機材料,但是單一有機材料做電子傳輸層製備的OLED器件,往往驅動電壓較高,效率較低,由此帶來了 OLED屏體功耗較大,壽命不長。電子傳輸層採用混合的兩種材料,也有報導,專利CN200510092697. O中提到電子傳輸層中進行摻雜,有機電子傳輸材料與鹼金屬、鹼土金屬,鹼金屬氧化物,鹼土金屬氧化物,鹼金屬齒化物,鹼土金屬齒化物等進行摻雜。但是由於鹼金屬、鹼土金屬、或其齒化物、氧化物蒸鍍溫度較高,帶來一系列弊端,如,增加設備成本,減慢生產節拍等。另外,中國專利文獻CN1905236A公開了一種有機電致發光器件及其製造方法,所述有機電致發光器件採用了一種具有空穴阻擋能力的材料與一種具有電子傳輸性質的材料共混,來作為電子傳輸層,該技術發明與常規單一有機電子傳輸材料相比,有一定的優勢,但是依然未能達到最 優的水平。在電子傳輸層上的技術改進仍有很大的空間。
發明內容
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種電子傳輸層、含有該電子傳輸層的有機電致發光器件及其製備方法。本發明的電子傳輸層為共混材料層,含有有機電子傳輸材料及有機金屬配合物,其中,所述有機電子傳輸材料為具有式I結構的化合物中的一種或其兩種以上任意組合,
權利要求
1.一種電子傳輸層,其特徵在於,所述電子傳輸層為共混材料層,含有有機電子傳輸材料及有機金屬配合物,其中,所述有機電子傳輸材料為具有式I結構的化合物中的一種或其兩種以上任意組合,
2.根據權利要求I所述的電子傳輸層,其特徵在於,式I中Ar是亞萘基、聯亞萘基、亞蒽基、苯並亞蒽基、亞茈基、亞芘基、亞苯基吡啶基、聯亞苯基吡啶基、窟或二苯並窟。
3.根據權利要求I所述的電子傳輸層,其特徵在於,式I中的Ι^ΓΙ ^y基團的結構為如下所示
4.根據權利要求3所述的電子傳輸層,其特徵在於,式I中n=l時,Ar為如下結構
5.根據權利要求I所述的電子傳輸層,其特徵在於,具有式I結構的化合物為如下化合物
6.根據權利要求I所述的電子傳輸層,其特徵在於,所述有機金屬配合物為鹼金屬、鹼土金屬、Al、Zn、Ga或In的有機配合物中的一種。
7.根據權利要求6所述的電子傳輸層,其特徵在於,所述有機金屬配合物為鹼金屬、鹼土金屬、Al、Zn、Ga或In的8-輕基喹啉類金屬配合物、10-輕基苯並喹啉類金屬配合物,輕基苯並噻唑類金屬配合物、輕基苯並惡唑類金屬配合物、2-輕基苯基批唳類金屬配合物或Schiff鹼類金屬配合物中的一種。
8.根據權利要求7所述的電子傳輸層,其特徵在於,所述有機金屬配合物為Liq,Naq,Beq2, Bebq2, Bepp2, Znq2, Zn (NBTZ) 2, Zn (BOX) 2, Gaq3, Ga2 (saph) 2q2, Inq3 或 Al (OXD) 3。
9.根據權利要求I所述的電子傳輸層,其特徵在於,所述電子傳輸層中所述有機電子傳輸材料與所述有機金屬配合物的重量比為1:0. 3 1:3。
10.根據權利要求9所述的電子傳輸層,其特徵在於,所述電子傳輸層中所述有機電子傳輸材料與所述有機金屬配合物的重量比為1:1. 5。
11.根據權利要求I所述的電子傳輸層,其特徵在於,所述電子傳輸層的厚度為5 50nmo
12.具有權利要求11任一項所述電子傳輸層的有機電致發光器件,其特徵在於,包括基板,和在所述基板上依次鍍覆的陽極層、空穴傳輸層、發光層、所述電子傳輸層和陰極層。
13.根據權利要求12所述的有機電致發光器件,其特徵在於,所述陽極層和空穴傳輸層之間還設有空穴注入層。
14.根據權利要求13所述的有機電致發光器件,其特徵在於,所述電子傳輸層和陰極層之間還設有電子注入層。
15.權利要求14所述的有機電致發光器件的製造方法,其特徵在於,步驟如下 I)在基板上蒸鍍或濺射一層陽極層;·2)步驟I)得到的帶有陽極層的基板置於真空腔內,抽真空,在所述陽極層膜上蒸鍍一層空穴注入層; ·3)繼續在所述空穴注入層上蒸鍍一層空穴傳輸層; ·4)在所述空穴傳輸層上進行發光層的蒸鍍; ·5)在所述發光層上,繼續蒸鍍一層所述電子傳輸層;· ·6)在所述電子傳輸層上,繼續蒸鍍一層所述電子注入層; ·7 )最後,在所述電子注入層之上蒸鍍陰極層。
全文摘要
本發明公開了一種電子傳輸層,所述電子傳輸層為共混材料層,含有有機電子傳輸材料及有機金屬配合物,其中,所述有機電子傳輸材料為具有式Ⅰ結構的化合物中的一種或其兩種以上任意組合,式Ⅰ式Ⅰ中,Ar選自碳原子數為6至30的亞稠環芳烴,或選自碳原子數為6至30的亞稠雜環芳烴;n選自1至3的整數。本發明還公開了具有該電子傳輸層的有機電致發光器件及其製造方法。本發明的電子傳輸層,採用含有苯基吡啶基團的電子傳輸材料與有機金屬配合物進行摻雜的方法,電子遷移率較高,具有好的成膜性和熱穩定性,二者共同蒸鍍作為電子傳輸層,可以實現低電壓、長壽命和高效率的優異性能。
文檔編號H01L51/54GK102916134SQ201210428298
公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月31日 優先權日2012年10月31日
發明者邱勇, 李豔蕊, 吳空物 申請人:崑山維信諾顯示技術有限公司, 清華大學, 北京維信諾科技有限公司