一種射頻功率放大器的封裝結構的製作方法
2023-06-23 02:07:41 1
一種射頻功率放大器的封裝結構的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及射頻功率散熱領域,尤其涉及一種射頻功率放大器的封裝結構,採用的技術方案:包括從上至下依次設置的功放管、PCB板及導熱基座,所述的功放管、PCB板及導熱基座通過回流焊連接在一起,並封裝在絕緣層內。所述功放模塊還包括至少4隻引腳,該引腳在功放管一則一字排開。所述引腳包括信號輸入端和信號輸出端。本實用新型能夠明顯縮小射頻功率放大器模塊的尺寸,簡化加工工序,同時極大地降低模塊的整體成本。
【專利說明】一種射頻功率放大器的封裝結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及射頻功率散熱領域,尤其涉及一種射頻功率放大器的封裝結構。【背景技術】
[0002]射頻功率放大器是無限通信基站系統的關鍵部位,目前市場上的功率放大器為了滿足系統的大功率、高效率等需求,基本上都是由多個放大管合路實現。射頻功率放大器選用專用的功率放大器模塊,接地效果和散熱性能都有保障,但成本較高,而且每一種專用射頻功率放大器模塊都需要特定的安裝結構來配合,給設備的整體結構設計帶來較大的限制。使用成本較低的通用射頻放大管來設計可靠性的放大器,有重要的應用價值。所以射頻功率放大器的接地阻抗和散熱效果決定了整個放大器工作的可靠性和成本,而其安裝及固定方法就極其關鍵。
實用新型內容
[0003]為了克服上述缺陷,本實用新型的目的在於提出一種加工簡單,高效散熱的射頻功率放大器的散熱結構。
[0004]為實現上述目的,本實用新型提供一種射頻功率放大器的封裝結構,包括從上至下依次設置的功放管、PCB板及導熱基座,所述的功放管、PCB板及導熱基座通過回流焊連接在一起,並封裝在絕緣層內;所述的功放管還包括4隻引腳,該引腳在功放管一則一字排開。所述引腳包括信號輸入端和信號輸出端。
[0005]進一步的,所述的絕緣層材料所採用的材料為阻燃的丙烯腈-丁二烯-苯乙烯。
[0006]進一步的,所述的引腳為,信號輸入端、柵極電壓輸入端、漏極電壓輸入端和功率信號輸出端。
[0007]進一步的,所述的輸入端包括信號輸入端、柵極電壓輸入端和漏極電壓輸入端。
[0008]進一步的,所述的引腳與PCB板線路連接。
[0009]本實用新型的有益效果:本實用新型產品結構創新設計,為工藝創新創造了條件。簡化工藝流程,提高勞動生產效率、降低生產成本和提高產品合格率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對於本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本實用新型實施例的封裝結構立體圖;
【具體實施方式】
[0012]下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本實用新型保護的範圍。
[0013]如圖1所示,本實用新型實施例提供了一種射頻功率放大器的散熱結構,包括從上至下依次設置的功放管2、PCB板(圖未示出)及導熱基座1,所述的功放管2通過PCB板與導熱基座I通過回流焊連接在一起,並封裝在絕緣層內。該功放管還包括4隻引腳,該引腳在功放管一則一字排開。所述引腳包括信號輸入端和信號輸出端。
[0014]所述的引腳分別為:信號輸入端21、柵極電壓輸入端22、漏極電壓輸入端23和功率信號輸出端24。其中信號輸入端21、柵極電壓輸入端22、漏極電壓輸入端23,功率信號為輸出端。該引腳與封裝結構中的PCB板線路連接進行傳輸信號,達到正常散熱功能。
[0015]進一步的,為了封裝的效果更好,所述的絕緣層材料所採用的材料為阻燃的丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(阻燃ABS工程塑料),該材料對於防水防火以及阻抗電流起到最佳的效果。
[0016]作為本實用新型具體的實施方式,為了更好地進行散熱,選用了高頻導熱PCB基材,該材料具有一定的柔性,而且該基材厚度只有國外基板厚度的40%,可以有效降低熱阻,因此降低其厚度也不至於其裂紋或破碎。同時功放管下設計了大量的通孔,其通孔面積佔到了功放管安裝面積的50%左右,這樣,產品在組裝時,焊料會通過通孔將功放管和散熱的紫銅基座連接起來,這樣會大大提高產品的散熱性能。
[0017]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,並不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種射頻功率放大器的封裝結構,包括從上至下依次設置的功放管、PCB板及導熱基座,其特徵在於:所述的功放管、PCB板及導熱基座通過回流焊連接在一起,並封裝在絕緣層內;所述的功放模塊還包括至少4隻引腳,該引腳在功放管一則一字排開;所述引腳包括信號輸入端和信號輸出端。
2.根據權利要求1所述的一種射頻功率放大器的封裝結構,其特徵在於:所述的絕緣層材料所採用的材料為阻燃的丙烯腈-丁二烯-苯乙烯。
3.根據權利要求1所述的一種射頻功率放大器的封裝結構,所述的引腳為:信號輸入端、柵極電壓輸入端、漏極電壓輸入端和功率信號輸出端。
4.根據權利要求1所述的一種射頻功率放大器的封裝結構,其特徵在於:所述的輸入端包括信號輸入端、柵極電壓輸入端和漏極電壓輸入端。
5.根據權利要求1所述的一種射頻功率放大器的封裝結構,其特徵在於:所述的引腳與PCB板線路連接。
【文檔編號】H01L23/367GK203707104SQ201420027769
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月15日 優先權日:2014年1月15日
【發明者】王雲輝, 王定軍, 喻德財 申請人:重慶中科戰儲電子有限公司