電路形成基板的製造方法及電路形成基板的製造用材料的製作方法
2023-06-23 02:15:31 2
專利名稱：電路形成基板的製造方法及電路形成基板的製造用材料的製作方法
技術領域：
本發明涉及在各種電子機器中的電路形成基板的製造方法及電路形成基板的製造用材料。
背景技術：
隨著近年電子機器的小型化·密集化，搭載電子元件的電路形成基板也從採用單層基板發展到採用多層基板，能集成更多電路及元件的高密度基板被研製開發。(例如，日刊工業新聞社發行的「表面實裝技術」1997年7月號、高木清「驚人的合成多層PWB的開發動向」)。
利用圖6A～6G，對以往的技術進行說明。
如圖6A所示的基板材料61，是通過在用於電路形成基板的玻璃纖維織布上含浸熱硬化性的環氧樹脂、乾燥等方法做成B級狀態的聚酯膠片。在基板材料61上用熱輥等的層壓法將膠片62貼合在兩面。
如圖6B所示，採用雷射等加工法在基板材料61形成通孔63。此外，如圖6C所示，將銅粉等的導電性粒子與熱硬化性樹脂、硬化劑、溶劑等混合而成的糊狀的導電糊64充填入通孔63。此後，如剝離薄膜2，成為如圖6D所示那樣的導電糊64突出的形狀。在其兩面配置銅箔65，通過熱壓裝置(未圖示)加熱加壓，如圖6E所示，使基板材料61熱硬化，導電糊64被壓縮，使表裡的銅箔65被電氣連接。此時，基板材料61上含浸的環氧樹脂流動，向外側流，形成流出部66。然後，切去端部的多餘部分，做成6F那樣的形狀，再用腐蝕等方法將銅箔65加工成期望的圖形，成為電路67，得到如圖6G所示的兩面的電路形成基板。
但是，在前述的製造方法中，電路形成基板的表裡間有時電氣連接不充分。此外，按照前述那樣的製造方法形成多層電路形成基板時，有時在表層與裡層也會發生同樣的問題。
其主要原因是由於發生了如圖6E所示的導電糊64中的導電性粒子流出到通孔63的外部的流出粒子610。要實現理想的電氣連接，必須使導電糊64在圖6E的上下方向進行壓縮，使導電糊中的導電性粒子有效地牢固接觸，使銅箔65也牢固接觸。但是，在圖6D～圖6E的工序中，由於形成流出部66，基板材料61中的熱硬化性樹脂向外側流動。此時，導電糊64中的導電性粒子被擠流到圖6E的橫向，結果不能有效地實現導電糊64的壓縮，導電糊4引起的電氣連接不穩定。在以上的說明中，說的是採用玻璃織布與熱硬化性樹脂的基板材料的情況，但採用不是玻璃的無機纖維及芳族聚醯胺等的有機纖維、織布以外的不織布的增強材料時也一樣。
但是，在使用織布時，特別是由於織布中的流動電阻小，前述熱硬化性樹脂的流動顯著，用導電糊進行的電氣連接困難。此外，構成織布的纖維的偏離的現象也會產生不良影響。使用圖7A～圖7C對這一現象進行說明。如圖7A所示，在採用玻璃纖維織布68的基板材料61上用雷射形成通孔63。該部分從上面看，如圖7B所示，切斷玻璃纖維織布68，加工通孔63。然後，實施圖6C～圖6E中說明的工序。觀察其後的電路形成基板的通孔63，如圖7C所示，由於熱壓時的加壓力及含浸樹脂的流動使導電糊64擴展到周圍，使玻璃纖維織布68也按當初的正確配列向通孔的外側方向移動。如發生這樣的現象，使導電糊64的壓縮難以奏效。這樣的現象，由於電氣連接的電阻值離散及可靠性不高，便成了這樣的電路形成基板製造上的課題。
近年，人們期望電路形成基板作成薄型基板，所以多用薄的玻璃纖維織布。但用這樣的材料，由於玻璃纖維的充填度低，纖維間的間隙比較大，所以，前述的問題突出。特別對玻璃纖維織布厚度小於100μm時，前述現象成為大問題。
此外，決定導電糊4的壓縮量的主要因素，是圖6D～圖6E中熱壓工序中基板材料61在厚度方向上的壓縮量、以及圖6D中導電糊64從基板材料61突出的量。由於在高密度電路形成基板中，通過通孔63，進行層間連接處是膨脹的點數，所以，除了要控制前述2個主要因素，還必須在導電糊64上加上壓縮作用的要素。
發明內容
在本發明的電路形成基板的製造方法中，對熱壓工序中的樹脂流動進行限制。這樣，可有效地通過導電糊等的層間連接部進行電氣連接。
此外，在本發明的電路形成基板的製造方法中，採用控制熱壓工序中的流動的樹脂。這樣，可有效地通過導電糊等的層間連接部進行電氣連接。
作為以上結果，可提供大幅提高使用導電糊等的層間的電氣連接的可靠性、高密度的質優的電路形成基板。
圖1A～圖1G是表示本發明的第1實施形態的電路形成基板的製造方法的工藝剖視圖。
圖2A～圖2E是表示本發明的第2實施形態的電路形成基板的製造方法的工藝剖視圖。
圖3A是表示本發明的第3實施形態的電路形成基板的製造方法的通孔形成工藝的斷面模式圖。
圖3B是表示本發明的第3實施形態的電路形成基板的製造方法的導電糊充填前的通孔部上面圖。
圖3C是表示本發明的第3實施形態的電路形成基板的製造方法的導電糊充填後的通孔部上面圖。
圖4A～圖4H是表示本發明的第4實施形態的電路形成基板的製造方法的工藝剖視圖。
圖5A是表示本發明的第5實施形態的電路形成基板的製造方法的通孔形成工藝的斷面模式圖。
圖5B是表示本發明的第5實施形態的電路形成基板的製造方法的導電糊充填前的通孔部上面圖。
圖5C是表示本發明的第5實施形態的電路形成基板的製造方法的導電糊充填後的通孔部上面圖。
圖6A～圖6G是表示以往技術的電路形成基板的製造方法的工藝剖視圖。
圖7A是表示以往技術的電路形成基板的製造方法的通孔形成工藝的斷面模式圖。
圖7B是表示以往技術的電路形成基板的製造方法的導電糊充填前的通孔部上面圖。
圖7C是表示以往技術的電路形成基板的製造方法的導電糊充填後的通孔部上面圖。
具體實施形態以下，參照附圖對本發明的實施形態進行說明。此外，對同樣的構成帶上同樣的標號，說明從略。
(實施形態1)圖1A～圖1G，是展示本發明第1實施形態的電路形成基板的製造方法及電路形成基板的製造用材料的工藝剖視圖。
如圖1A所示，首先，將玻璃纖維織布作為增強纖維，在由含浸熱硬化性環氧樹脂的厚度為100μm的聚脂膠片構成的基板材料11的兩面貼合厚度為20μm的膠片2。膠片12使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。根據必要，在膠片12上可塗復環氧樹脂等的熱硬化性樹脂。
然後，如圖1B所示，用碳酸氣體雷射加工直徑約20μm的通孔13。
然後，如圖1C所示，用網印等方法將導電糊14充填到通孔13。導電糊14用約5μm的銅粉及熱硬化性樹脂及硬化劑混合而成。可通過在導電糊4中添加溶劑調整粘度。
下面，如圖1D所示，如剝離基板材料11兩面的膠片12，從基板材料11有相當於膠片12厚度的導電糊14突出。在其兩面配置銅箔15。
下面，在圖中上下方向實施加熱加壓的熱壓工序，成為如圖1E所示的形狀。此時，基板材料11中的熱硬化性樹脂流出，形成流出部16。
下面，如圖1F所示，對基板材料11的周邊部按要求的尺寸切斷。用腐蝕銅箔15等方法形成圖形，形成電路17，獲得如圖1G所示的兩面電路形成基板。
通過以上工序，將熱壓工序中流動、在基板材料11的周邊流出的樹脂的質量，即亦圖1E的流出部16的質量，相對於熱壓前基板材料11的質量之比例，作為樹脂流量。在技術背景中所述、為了解決導電糊14引起的電氣連接不充分的課題，樹脂流量至少應低於20％。
在表1展示發明人對樹脂流量的研究實驗結果。表11中包含以下測定結果。
1)熱壓工序前後的基板材料厚度2)通過熱壓工序在周邊部發生的流出部的重量與按照熱壓工序前的基板材料重量算出的樹脂流量3)根據500個通孔的基板表裡的銅箔構成串聯電路的試驗圖形電路的電氣電阻值求得的每1個通孔的連接電阻值(平均值)
在實驗序號1的樣品中，樹脂流量為22.8％，通孔的連接電阻為幾十～幾百Ω不等，也包括電氣不連接的通孔。
此外，對實驗序號1的樣品觀察通孔部的斷面時，有導電糊4中的導電性粒子流出。
但是，樹脂流量要小，在研究熱壓條件等的實驗序號2～7的樣品中。使通孔的連接電阻低、控制在20％以下的樹脂流量，可獲得實用的通孔連接電阻值。
此外，將樣品長期保存在高溫高溼中，在測定通孔連接電阻的經時變化等的可靠性評估中，20％以下的樹脂流量時展示良好的特性。
此外，從表1結果可知，可得到10％以下的樹脂流量的初期的通孔連接電阻值。此時，可靠性方面可獲得更好的結果。
要使電氣連接更好，進一步減低樹脂流量是有效的，另外，從實驗序號7的結果可知，在熱壓工序中使基板材料1良好成型，需要1％以下的樹脂流量。在表1記載埋入性不良的結果如下。在熱壓工序後的實驗序號7的基板有見白部分，如擴大，可看到氣泡及基板材料凹凸狀的部位。這是由於樹脂流動少，未埋入內層電路的凹凸，導致產生氣泡及凹凸，被稱為印刷線路板等的製造中的白化現象的不良方式。當防上白化時，銅箔剝落，使強度及焊接耐熱性等特性降低。
表 1
作為達到前述20％以下的樹脂流量的手段，在熱壓工序的溫度圖中，控制在每分鐘升溫速度低於3℃是有效的。
但是，熱壓工序需要的時間非常長，過分降低升溫速度對樹脂的成型性影響並不好，所以，最好升溫速度取每分鐘大於0.5℃。
此外，考慮含於基板材料11的樹脂等加溫時的粘度變化，在熱壓工序中，舊機在流動性高的範圍的時間區控制升溫速度在每分鐘低於3℃，其他時間區可按更快的速度升溫。
此外，控制基板材料11的特性，以獲得前述效果。為此，對未硬化的環氧樹脂進行加熱乾燥，通過加熱溫度、時間對揮發成分、殘留溶劑量、熱硬化進度進行控制，使硬化時間變化。用這樣的方法，將表示熱壓時的基板材料的溶融及硬化特性的硬化時間減低到110秒以下。通過使用含這樣的樹脂材料的基板材料、使樹脂流量在20％以下，使使用導電糊的層間電氣連接良好。
此外，為了避免前述埋入性不良的發生，硬化時間最好取10秒以上。此外，從圖1E中的銅箔與基板材料間的接著性、或吸收樹脂量的差異等角度看，最好大於50秒。
(實施形態2)實施形態1是兩面電路形成基板的例，如圖2A～2E所示那樣製造多層電路形成基板時，本發明也能同樣適用。
首先，準備如圖2A所示的兩面電路形成基板。然後，如圖2B所示，對充填導電糊14的基板材料11與銅箔定位配置於兩面電路形成基板的表裡，並用熱壓裝置加熱加壓。這樣，如圖2C所示，使基板材料11成型、硬化。此時，流動的基板材料1的成分形成流出部26。
在這樣的工序中，用實施形態1說明的方法，流出部26的重量相對於2張的基板材料11的重量(樹脂流量)低於20％。
然後，切斷周邊的多餘部分，得到如圖2D所示的形狀後，用腐蝕銅箔15等方法形成圖形，形成電路27，獲得如圖2E所示的4層電路形成基板。
即使在這樣的多層電路形成基板的製造中，由於適用本發明的電路形成基板的製造方法及電路形成基板的製造用材料，層間的電氣連接可良好地形成。
此外，為了埋入製造多層電路形成基板時的內層電路形成基板的電路凹凸，1％以上的樹脂流量是必要的。此外，在通過含於基板材料11的樹脂的硬化時間的控制使樹脂流量在20％以下時，如考慮內層電路的埋入性，硬化時間最好大於50秒小於110秒。
此外，在本實施形態中使用的兩面電路形成基板也是實施形態1中說明的基板，用通常的電鍍法等形成層間連接的基板也行。此外，在如圖2B所示的工序中，在兩面電路形成基板上臨時壓上基板材料11的構成也可以。
(實施形態3)用圖3A～圖3C對本發明的第3實施形態作如下說明。
如圖3A所示，在用玻璃纖維織布38的聚脂膠片狀態的基板材料11上，用雷射形成通孔13。
從該部分上面看，如圖3B所示，切斷玻璃纖維織布38，加工通孔13。此時，通過特定的加工方法形成如圖3B所示的熔敷部39。
熔敷部39形成後，在通孔13中充填導電糊14，實施熱壓工序時，如圖3C所示，可防止導電糊14向通孔13周圍擴展。因此，導電糊14形成的層間的電氣連接良好。
熔敷部39的形成，在通過鑽加工形成通孔13時，由於加工磨擦等，會使基板材料11中的樹脂成分變質固化，即使將玻璃纖維織布38固定在通孔13周邊，也能實現。這樣，熔敷部39不必要僅用玻璃纖維等增強材料構成，基板材料11中的樹脂成分等由於加工時發熱而硬化或變質，在後面的熱壓工序中如果沒有流動性，也能得到同樣效果。但是，使用雷射形成通孔13時，使玻璃纖維織布38溶融或變質，所以，最好形成以玻璃纖維織布38為主體的熔敷部39。
表2中展示發明者的研究結果。
用3種雷射發生器在不同條件下進行通孔13的加工，製作兩面電路形成基板，與實施形態1中說明的內容相同，列舉出通孔連接電阻值的比較結果。
從結果看出，通孔連接電阻值與雷射的波長有關。如果詳細觀察加工通孔13的基板材料，用10.6μm的振動波長時熔敷部的形成被確認，用9.4μm的振動波長時熔敷部不被確認。
表 2
在使用激元雷射、YAG高頻波、碳酸氣體雷射等各種雷射時，可根據加工條件形成熔敷部，但是，由於激元雷射等的加熱會導致擦傷，所以，最好用碳酸氣體雷射的加熱加工形成熔敷部。
此外，如前所述，用10μm以上的波長的雷射形成熔敷部是高效率的。實用中，使用碳酸氣體雷射，對加工速度，成本都有利。此外，A)加工效率，振動效率，B)在發生的雷射束中含有多個振動波長，C)從適用微細加工即亦光學系的集光性等觀點出發，最好採用10～11μm範圍的雷射為主體的加工方法。
(實施形態4)參照圖4A～圖4H，對實施形態4進行說明。
如圖4A所示，基板材料11以玻璃纖維織布作為增強材料，是在兩面貼合由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)構成的厚度為20μm的膠片12的厚度為100μm的聚脂膠片。根據必要，在膠片12上可塗復環氧樹脂等的熱硬化性樹脂。該基板材料41與實施形態1中的基板材料不同，在製造聚脂膠片時殘留的揮發成分較多。從160℃、1小時的乾燥前後的重量變化看，揮發成分為3％。
然後，圖4B～圖4D的工序與實施形態1同樣。
下面，在真空乾燥裝置(未圖示)導入基板材料41，在133Pa左右的真空中乾燥1小時。乾燥中，為了防止基板材料41的溫度減低，將50℃的溫風導入真空乾燥裝置內，重複3次實施減壓工序。在該工序中，如圖4E所示，基板材料41的厚度減少，其減少量約2μm。作為結果，乾燥前約20μm的、導電糊14從基板材料41的突出部的高度，在基板材料的表裡各增加約1μm，成為22μm左右。
下面，如圖4F所示，在基板材料41的兩面配置銅箔15，在圖中上下方向實施加熱加壓的熱壓工序，切斷周邊部，成為如圖4G所示的形狀。
此外，用腐蝕銅箔15等方法形成圖形，形成電路17，獲得如圖1H所示的兩面電路形成基板。
通過以上工序製造電路形成基板時，使熱壓前導電糊14的突出部增加僅2μm，但導電糊形成的層間的電氣連接良好。
通常的熱壓工序，由於採用真空加壓，基板材料中的大部分揮發成分都能在熱壓工序中除去。用這樣的製造方法，熱壓工序中基板材料的成分流動量較大，在基板厚度方向壓縮導電糊，在電氣連接方面是不利的。
在本實施形態，在熱壓工序前，基板材料41中的揮發成分通過真空乾燥被除去，控制熱壓時的流動。此外，由於揮發成分的除去，使導電糊14從基板材料41的突出高度增加，使有效的壓縮量增加。這樣，通過導電糊14的熱壓工序使壓縮極見效，使電路形成基板表裡的電路17的電氣連接很充分。
前述的方法，適用於在製造實施形態2中說明的多層電路形成基板時的基板材料21。
本實施形態的效果，從實驗結果看，基板材料41的揮發成分為0.5％以上時明顯見效，但有時揮發成分過多會減低基板材料41的保存性，所以，最好取5％以上為好。
此外，作為揮發成分，在基板材料41的製作過程中，最好含有BCA(丁基乙醚醋酸鹽)等高沸點的溶劑。
此外，使基板材料41的厚度減少的工序，用真空乾燥法說明，在基板材料41物性不發生問題的條件下，可採用與加熱一起進行的乾燥方法。
此外，使基板材料厚度減少的工序中，通過採用等離子及激元雷射的乾式或溼式的腐蝕法對基板材料進行有選擇性的腐蝕的方法，使層間連接部能確保基板材料的突出量。此外，此時還有使基板材料的厚度減少量穩定等效果。
(實施形態5)用圖5A～圖5C對本發明的第5實施形態作如下說明。
如圖5A所示，在使用玻璃纖維織布38的聚脂膠片狀態的基板材料51上，用雷射形成通孔13。基板材料51中，作為固形成分含有填料510。
通常的基板材料，採用玻璃纖維織布38中，在含浸用溶劑等稀釋熱硬化性樹脂的稱為清漆的液體材料後、通過乾燥工序使溶劑等揮發成分揮發、調整熱硬化性樹脂的硬化度的方法製造。在這種清漆中，預先使填料分散，製造在本實施形態使用的基板材料51。在本實施形態，採用直徑約1～2μm的二氧化矽的矽系填料。
如圖5A所示，在通孔13的周圍，形成低流動層511。該低流動層511，通過在雷射加工時、加工能量被轉換成由填料510吸收的熱、使周圍的熱硬化性樹脂變性的現象，以及變性的熱硬化性樹脂以作為固形成分的填料為核心成層的現象形成。與無填料510時比較，其形成效率高。此外，在低流動層511，玻璃纖維織布38作為成分含有是自然的。
低流動層511形成後，在通孔13充填導電糊14，實施熱壓工序時，如圖5C所示，可防止導電糊14向通孔13周圍擴展。因此，導電糊14形成的層間的電氣連接良好。
低流動層511的形成，用鑽加工形成通孔13時的摩擦熱等導致基板材料51中的樹脂成分變質，可實現與填料510一起被固形化。但是，用雷射形成通孔13時，最好在填料510吸收能量進行熱轉換，形成低流動層511。
此外，關於該工序中使用的雷射的波長，對碳酸氣體雷射使9μm以上的振動波長時，低流動層511的形成見效。此外，作為填料510的材質也可採用矽以外的材料，滑石粉，石膏粉等或金屬的氫氧化物等(氫氧化鋁)等也有同樣效果。
在前述所有的實施形態中，基板材料，在玻璃纖維織布含浸熱硬化性樹脂，作為B級化的材料進行說明，代替玻璃纖維織布、用不織布也可以。不用玻璃纖維、採用芳族聚醯胺等有機纖維也行。
此外，在本發明的實施形態1，2，4中，基板材料中採用B級狀態膠片取代聚脂膠片也可以。
此外，織將布與不織布的混成材料、例如將2張的玻璃纖維間夾入玻璃纖維不織布那樣的材料作為增強材料使用也可以。
此外，在本發明的所有實施形態的熱硬化性樹脂，作為環氧系樹脂進行說明，也可採用以下的材料。環氧·三聚氰氨系樹脂、不飽和聚酯系樹脂、酚系樹脂、聚亞胺系樹脂、氰基系樹脂、氰酸酯系樹脂、萘系樹脂、尿素系樹脂、氨基系樹脂、醇系樹脂、矽系樹脂、呋喃系樹脂、尿烷系樹脂、氨基醇酸系樹脂、丙烯基系樹脂、氟素系樹脂、聚苯基乙醚系樹脂、氰酯系樹脂等單獨、或2種以上混合的熱硬化性樹脂組成物或經熱可塑樹脂變性的熱硬化性樹脂組成物。根據必要，也可添加些阻燃劑及無機充填劑。
此外，在支持體上可用金屬箔等構成的電路代替銅箔。
此外，作為層間連接部，用銅粉等導電性粒子與硬化劑與熱硬化性樹脂混合成的導電糊進行說明。反之，熱壓時在基板材料排出的適當粘度的高分子材料與導電性粒子的混合物、或添加溶劑的等多種組成都可用。此外，除導電糊以外，通過電鍍形成的柱狀導電性突起、以及將不糊化的比較大瀝徑的導電性粒子單獨作為層間連接部使用也可以。
工業上的實用性在本發明的電路形成基板的製造方法中，採用以下任一朝構成。A)熱壓工序中限制樹脂流動。B)增強纖維彼此熔敷或接著。C)充填工序後使基板材料的厚度減少。D)用混存在基板材料的填料形成低流動層。此外，在本發明的電路形成基板的製造用材料中，通過熱壓工序加上可控制樹脂流動的物理參數、或含有在充填工序後可使基板材料的厚度有效現象的揮發成分的構成。按照本發明，可有效地進行由導電糊等層間連接部形成的電氣連接。
特別是，在基板材料的增強材料中用織布時，具有織布尺寸的穩定性等的優點，同時，層間的連接也穩定。這是由於對採取局部防止纖維變動的處理與孔加工同時實施、或使基板材料的厚度減少等的處理的結果。
作為以上的結果，可提供能提高採用導電糊等的層間連接部的層間的電氣連接的可靠性、高品質的高密度的電路形成基板。
權利要求
1.一種電路形成基板的製造方法，其特徵在於，包括將至少含具有形成層間連接部用的孔的B級狀態基板材料的基板材料進行疊層的疊層工序，以及對所述基板材料進行加熱、加壓的熱壓工序；在所述熱壓工序中，所述B級狀態基板材料流到周圍的流出量，小於所述基板材料重量的20％。
2.如權利要求1所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，在所述疊層工序中，除B級狀態基板材料外、還至少疊層下列一種(1)金屬箔(2)貼合於支持體的金屬箔(3)貼合於支持體的電路圖形(4)具有電路圖形的C級狀態基板材料(5)具有金屬箔的C級狀態基板材料。
3.如權利要求1所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，所述B級狀態基板材料至少具備金屬箔及電路圖形中的某一種。
4.如權利要求1所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，在所述熱壓工序中，在B級狀態基板材料的流動領域的升溫速度至少小於每分鐘3℃。
5.一種電路形成基板的製造方法，其特徵在於，包括至少疊層含B級狀態基板材料的基板材料的疊層工序，以及形成在所述B級狀態基板材料形成層間連接部用的孔的孔形成工序；在所述孔形成工序，使B級狀態基板材料的成分溶融變質。
6.如權利要求5所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，在所述孔形成工序，至少將所述B級狀態基板材料中的增強材料及增強纖維中的某一種固著。
7.如權利要求5所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，孔形成工序是能量速流加工。
8.如權利要求7所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，所述能量速流加工是雷射加工。
9.如權利要求8所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，所述雷射加工是碳酸氣體雷射。
10.如權利要求9所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，雷射的波長大於10μm。
11.一種電路形成基板的製造方法，其特徵在於，包括至少疊層含B級狀態基板材料的基板材料的疊層工序，形成在所述B級狀態基板材料形成層間連接部用的孔的孔形成工序，以及使所述B級狀態基板材料的厚度減少的疊層準備工序。
12.如權利要求11所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，還包括在所述孔中充填導電性物質的充填工序，在充填工序後實施所述所述疊層準備工序。
13.如權利要求11所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，在所述疊層準備工序中，使所述B級狀態基板材料中的揮發成分揮發。
14.如權利要求11所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，在所述疊層準備工序中，對所述B級狀態基板材料腐蝕。
15.一種電路形成基板的製造方法，其特徵在於，包括至少疊層含B級狀態基板材料的基板材料的疊層工序，以及形成在所述B級狀態基板材料形成層間連接部用的孔的孔形成工序；在所述孔形成工序，在所述孔周邊形成含所述B級狀態基板材料中的固化成分的低流動層。
16.如權利要求15所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，孔形成工序是能量速流加工。
17.如權利要求16所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，所述能量速流加工是雷射加工。
18.如權利要求17所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，所述雷射加工是碳酸氣體雷射。
19.如權利要求18所述的電路形成基板的製造方法，其特徵在於，雷射的波長大於9μm。
20.一種電路形成基板的製造用材料，其特徵在於，是為製造2層以上的電路形成基板而設置層間連接部的B級狀態基板材料；熱壓時的流量低於20％重量。
21.一種電路形成基板的製造用材料，其特徵在於，是含於為製造2層以上的電路形成基板而設置層間連接部的B級狀態基板材料中的材料；硬化時間低於110秒。
22.一種電路形成基板的製造用材料，其特徵在於，是為製造2層以上的電路形成基板而設置層間連接部的B級狀態基板材料；含高於0.5％重量的揮發成分。
23.一種電路形成基板的製造用材料，其特徵在於，是為製造2層以上的電路形成基板而設置層間連接部的B級狀態基板材料；含有在用來形成設置所述層間連接部用的孔的工序中在所述孔的周圍形成低流動層的固化成分。
24.如權利要求22所述的電路形成基板的製造用材料，其特徵在於，所述固化成分以無機材料的填料為主體。
全文摘要
為實現電路形成基板中層間連接的高可靠性，在本發明的電路形成基板的製造方法中，採用以下之一的構成。A)在熱壓工序限制樹脂流動。B)將增強纖維一起融著或接著。C)在充填工序後使基板材料的厚度減少。D)以混存於基板材料的填料形成低流動層。此外，在本發明的電路形成基板的製造用材料中，在熱壓工序添加可控制樹脂流動的物理參數、或含有在充填工序後可有效減少基板材料厚度的揮發成分。
文檔編號H05K1/03GK1465218SQ02802421
公開日2003年12月31日 申請日期2002年7月17日 優先權日2001年7月18日
發明者西井利浩 申請人:松下電器產業株式會社