利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法

2023-06-14 13:35:31

利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法
【專利摘要】本發明公開了利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法。具體步驟為：1)基底表面處理；2)製備八羥基酞菁鋅的二氯甲烷溶液；3)製備羧基化石墨烯水溶液；4)微接觸印刷；5)化學鍍。本發明的有益效果：1.通過利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案，為微接觸印刷行業提供了新思路，2.石墨烯是目前發現的電阻率最小的材料，它比其它線路如銅、銀線路具有更強的導電性，3.酞菁類分子和羧基化石墨烯的結合，包括酞菁和石墨烯的π-π相互作用力，以及羧基化石墨烯的羧基與酞菁之間的配位鍵結合，因此結合非常緊密，4.八羥基酞菁鋅原料易得、成本低、穩定，在工業應用上具有很大的潛力。
【專利說明】利用八超基駄菁待進行微接觸印刷石墨婦圖案的方法

【技術領域】
[0001] 本發明屬於現代電子【技術領域】，特別涉及一種駄菁鋒配合物作為墨水在微接觸印 刷中的應用。

【背景技術】
[0002] 表面微構建技術正逐漸體現出在重要應用價值，特別是微接觸印刷技術，其能夠 在小尺寸上微圖案化，在多個領域特別是現代電子【技術領域】具有重要意義。目前可供選擇 的微接觸印刷墨水較少，也局限了表面可進行微接觸印刷的材料，大量的材料無法用微接 觸印刷的方法製備表面圖案。因而開發新的、穩定的的墨水具有很大的意義。
[0003] 為進一步豐富微接觸印刷墨水和基底的選擇，並且提升微接觸印刷質量，有必要 進一步開發駄菁化合物在微接觸印刷中的應用。駄菁鋒配合物性能穩定，成膜質量高，可W 作為一種穩定的墨水應用於多種材料表面的微接觸印刷；石墨帰電阻率只約1(T 6Q ?cm,比 銅或銀更低，是目前發現的電阻率最小的材料，因此石墨帰線路比其它線路如銅、銀線路具 有更強的導電性。


【發明內容】

[0004] 本發明的目的是提供了利用八輕基駄菁鋒進行微接觸印刷石墨帰圖案的方法，所 採用的技術方案是：
[0005] 利用八輕基駄菁鋒進行微接觸印刷石墨帰圖案的方法，本發明採用的八輕基駄菁 鋒，具有W下結構式：
[0006]

【權利要求】
1. 利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法，其特徵在於：本發明採用的 八羥基酞菁鋅，具有以下結構式：
將八羥基酞菁鋅的二氯甲烷溶液作為微接觸印刷的印刷劑，將PDMS印章的圖案轉移 至聚四氟乙烯基底，再利用酞菁和石墨烯的JI-Ji相互作用力在基底上得到精美的石墨烯 圖案，具體步驟如下： 步驟1 :基底為聚四氟乙烯，將基底材料用乙醇超聲清洗1小時，取出80°C真空乾燥， 用6tlCo伽瑪射線對其照射24h ;將照射後的基底200份放入三頸瓶中，加入4-乙烯基吡啶 1份，500份蒸餾水，80°C條件下反應1小時，得到表面含有吡啶基的基底； 步驟2 :將八羥基酞菁鋅用二氯甲烷完全溶解； 步驟3 :將羧基化石墨烯溶於水中，超聲1分鐘使其均勻溶解； 步驟4 :將PDMS印章浸泡於八羥基酞菁鋅二氯甲烷溶液中1-2分鐘，取出後於N2氣流 中乾燥30-60s，將塗有八羥基酞菁鋅二氯甲烷溶液的PDMS印章蓋於表面含有吡啶基的基 底上，輕壓10-20s，將PDMS印章圖案轉移至基底，得到印有圖案的基底； 步驟5 :將印有圖案的基底浸泡於石墨烯溶液中10-30min，取出後即可在基底上得到 精美的石墨烯圖案。
2. 如權利要求1所述的利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法，其特徵 在於：所述基底和乙醇的重量比為1 : 5-20。
3. 如權利要求1所述的利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法，其特徵 在於：所述6°Co伽瑪射線劑量為80-100KGy。
4. 如權利要求1所述的利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法，其特徵 在於：所述八羥基酞菁鋅二氯甲烷溶液濃度為l-l〇g/L
5. 如權利要求1所述的利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法，其特徵 在於：所述羧基化石墨烯水溶液濃度為〇. l_2g/L。
6. 如權利要求1所述的利用八羥基酞菁鋅進行微接觸印刷石墨烯圖案的方法，其特徵 在於：所述N2流速為600ml/min。
【文檔編號】B41M5/04GK104356742SQ201410619490
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月5日 優先權日:2014年11月5日
【發明者】蘇煒, 李培源, 龐錦英 申請人:廣西師範學院