晶片的製作方法

2023-06-09 05:53:46 2

本發明涉及晶片設計技術領域，尤其涉及晶片。

背景技術：

晶片在應用過程中，頻率會隨著溫度的變化而改變，出現溫度漂移和頻率漂移，給應用帶來誤差，比如時間不準等，甚至使電路動態參數不穩定，導致使電路無法正常工作。這樣對有時間準確性的晶片設計帶來溫度頻率漂移的要求，目前晶片的解決方法主要為兩個(1)採用外部晶振；(2)內部osc的晶片，採用內部熱敏電阻，根據熱敏電阻的值對內部osc作調節。第一種方案成本較高，需要額外兩個以上的管腳，這對於低成本小封裝的方案不可行。第二種的方案由於電阻或其他的模擬電路提供的溫度參數本身就誤差很大，調節的準確度也有限。模擬電路在生產過程中，離散性也很大，對批量生產造成一定的難度。

因此，針對上述缺陷，很有必要設計一種晶片，以解決上述缺陷。

技術實現要素：

本發明的目的在於克服現有技術之缺陷，提供了一種可晶片，其可解決晶片內部溫度漂移問題，以及目前自動調節頻率溫漂不準的問題，同時降低了晶片自身成本。

本發明是這樣實現的：一種晶片，包括第一振蕩模塊1，用於調製晶片的頻率漂移；第二振蕩模塊，連接於所述第一振蕩模塊，用於和所述第一振蕩模塊進行互相採樣；數字算法模塊，連接於所述第一振蕩模塊，用於完成所述第一振蕩模塊與所述第二振蕩模塊相互採樣；參數矯正模塊，連接於所述數字算法模塊，用於對晶片內參數進行矯正。

進一步的，所述第一振蕩模塊的溫度係數與所述第二振蕩模塊的溫度係數相同。

進一步的，所述第一振蕩模塊的頻率至少是所述第二振蕩模塊的10倍。

進一步的，所述第一振蕩模塊包含第一電阻以及連接於所述第一電阻的第一電容。

進一步的，所述第二振蕩模塊包含第二電阻以及連接於所述第二電阻的第二電容。

進一步的，所述第一振蕩模塊與所述第二振蕩模塊共用第三電阻。

本發明提供一種晶片，包括第一振蕩模塊，用於調製晶片的頻率漂移；第二振蕩模塊，連接於所述第一振蕩模塊，用於和所述第一振蕩模塊進行互相採樣；數字算法模塊，連接於所述第一振蕩模塊，用於完成所述第一振蕩模塊與所述第二振蕩模塊相互採樣；參數矯正模塊，連接於所述數字算法模塊，用於對晶片內參數進行矯正。這樣所述第一振蕩模塊和所述第二振蕩模塊可以相互採樣，無需再使用模擬數字轉換器進行採樣，大大降低了生產成本，通過所述數字算法模塊可以快速調節晶片內部的頻率漂移問題，可解決晶片內部頻率漂移問題，以及目前自動調節頻率溫漂不準的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的晶片的示意圖。

圖2為本發明實施例提供的第一振蕩模塊及第二振蕩模塊的電路框圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

如圖1和圖2，本發明實施例提供一種晶片，該晶片包括第一振蕩模塊1，用於調製晶片的頻率漂移；第二振蕩模塊2，連接於所述第一振蕩模塊1，用於和所述第一振蕩模塊1進行互相採樣；數字算法模塊3，連接於所述第一振蕩模塊1，用於完成所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互採樣；參數矯正模塊4，連接於所述數字算法模塊3，用於對晶片內參數進行矯正。所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互採樣，電阻的誤差對所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2的影響是一樣的，那麼這個誤差就被互相抵消。同時因為採取了所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互採樣的方式，無需使用傳統的模/數轉換器adc進行採樣，降低了生產成本，而且處理過程中的算法全由所述數字算法模塊3實現，反應速度大大提高。所述第一振蕩模塊1的溫度係數與所述第二振蕩模塊2的溫度係數相同，這樣使得溫度對所述第一振蕩模塊1的影響和對所述第二振蕩模塊2的影響是一致的，這樣也使得相對誤差降為最低。所述第一振蕩模塊1的頻率至少是所述第二振蕩模塊2頻率的10倍，實際上所述振蕩模塊1的的頻率相對於所述第二振蕩模塊2的頻率越高越好，這樣採樣頻率更頻繁，數值也會更精確。

進一步的，如圖2所示，本發明具體的實施例結構中，所述第一振蕩模塊1包含第一電阻5以及連接於所述第一電阻5的第一電容6。所述第一振蕩模塊1的頻率主要是由所述第一電阻5及第一電容6決定的，所述第一電阻5為多晶電阻，多晶電阻的優點在於溫度偏移不大。所述第二振蕩模塊2包含第二電阻7以及連接於所述第二電阻7的第二電容8。所述第二振蕩模塊2的頻率主要是由所述第二電阻7及第二電容8決定的，所述第二電阻5為阱電阻，阱電阻溫度偏移比較大。所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2共用第三電阻9。所述第三電阻9為阱電阻。因為所述第一電阻5為多晶電阻，多晶電阻的溫度係數比阱電阻的溫度係數低，所述第三電阻9與所述第一電阻5和所述第二電阻7都是分別串聯的，可以理解為所述第一振蕩模塊1中rc網絡的電阻實際上包含了2個電阻，即所述第一電阻5和所述第三電阻9，同樣的，所述第二振蕩模塊2中rc網絡的電阻實際上也包含了2個電阻，即所述第二電阻7和所述第三電阻9，所述第三電阻9的數值要低於所述第一電阻5及所述第二電阻7。當晶片溫度發生變化時，所述第一電阻5的溫度係數低，溫度變化不大，而與所述第一電阻5串聯的所述第三電阻9溫度係數高，溫度變化大，但是所述第三電阻9因為數值低，所以對整體所述第一振蕩模塊1的溫度影響不大，由於頻率受溫度的影響，那麼此時所述第一振蕩模塊1的頻率也是比較穩定的。但是因為所述第二振蕩模塊2的rc網絡的電阻完全由2個阱電阻即所述第二電阻7和所述第三電阻9，當晶片溫度發生變化時，因為所述第二電阻7和所述第三電阻9溫度係數高，溫度變化較大大，此時對整體所述第二振蕩模塊2來說溫度變化也較大，那麼所述第二振蕩模塊2的頻率變化也較大。總體來說，同樣的溫度變化，所述第一振蕩模塊1的頻率要比所述第二振蕩模塊2的頻率要小，在版圖設計上是的所述第二電阻7與所述第三電阻9儘可能的接近，使得它們製造的溫度偏差基本一致，這樣就可以抵消所述第一振蕩模塊1和所述第二振蕩模塊2的誤差。

進一步的，如圖1和圖2所示，本發明具體的實施例結構中，根據上述描述的所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2的特性，進行矯正所述第一振蕩模塊1的頻率時，所述第一振蕩模塊1不停的對所述第二振蕩模塊2的一個周期數數，由於所述第二振蕩模塊2的溫度係數大，在溫度變高時，所述第二振蕩模塊2會比所述第一振蕩模塊1慢得更多，數的數就變大，通過比較這個數，所述數字算法模塊3就知道溫度變高，所述第一振蕩模塊1也會變慢，就改變控制信號讓所述第一振蕩模塊1變快。在溫度變低時，所述第二振蕩模塊2會比所述第一振蕩模塊1快得更多，數的數就變小，通過比較這個數，所述數字算法模塊3就知道溫度變低，所述第一振蕩模塊1也會變快，就改變控制信號讓所述第一振蕩模塊1變慢。由於每個晶片裡的電阻的溫度係數都有誤差，但所述第一電阻5為多晶電阻誤差不大，加入一個小的阱電阻即所述第三電阻9在所述第一振蕩模塊1上來匹配所述第二振蕩模塊2的誤差，這樣大大減小量產時的矯正參數工作。

進一步的，如圖1所示，本發明具體的實施例結構中，晶片的振蕩頻率，電阻的係數都有一定的偏差，所述參數矯正模塊4可以存入控制參數及溫度參數等，所述參數矯正模塊4為內置存儲器，可以是otp/mtp/eeprom/flash，一般是做燒入時使用。

所述晶片採取了所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互採樣的方式，無需使用傳統的模/數轉換器adc進行採樣，降低了生產成本，而且處理過程中的算法全由所述數字算法模塊3實現，反應速度大大提高。所述第一振蕩模塊1的溫度係數與所述第二振蕩模塊2的溫度係數相同，這樣使得溫度對所述第一振蕩模塊1的影響和對所述第二振蕩模塊2的影響是一致的，這樣也使得相對誤差降為最低。所述第一振蕩模塊1的頻率相對於所述第二振蕩模塊2頻率要高，這樣採樣頻率更頻繁，數值也會更精確。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。