刻蝕電極機中的下電極裝置的製作方法

2023-05-27 05:44:36 3

專利名稱：刻蝕電極機中的下電極裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體介質刻蝕機，尤其涉及刻蝕電極機中的下電極裝置。
背景技術：
電介質刻蝕機是半導體晶片加工的關鍵設備，而電介質刻蝕機中實現晶圓刻蝕功能的是上、下兩個電極組成的電極裝置。其中上電極接1000V左右的正電，實現對等離子刻蝕氣體的分配和控制功能，下電極與大地連接，也稱為負極。上、下兩電極間形成高壓電場對通過上電極的等離子工作氣體進行加速，經加速後的工作氣體對放置在下電極上的晶圓進行高速轟擊，從而產生刻蝕作用。為了實現所述的工作原理，要求下電極具有對晶圓片吸附能力、有絕緣性，同時對刻蝕過程產生的熱量有冷卻的功能。發明內容 本實用新型的目的是提供一種具有對晶圓片吸附能力、有絕緣性，同時對刻蝕過程產生的熱量有冷卻功能的刻蝕電極機中的下電極裝置。本實用新型的目的是這樣實現的，刻蝕電極機中的下電極裝置，包括承載盤、支撐座，其特徵在於所述的支撐座上面設置有承載盤，承載盤與支撐座按對應位置焊接為一體。本實用新型所述的承載盤包括冷卻液入口、溝槽、冷卻液出口、真空通道、頂針孔、密封圈槽、晶圓片放置平臺。本實用新型所述的承載盤與支撐座焊接時，確保承載盤上的冷卻液入口及冷卻液出口與支撐座上的冷卻液入口及冷卻液出口對應在相同位置上。本實用新型所述的承載盤的外徑尺寸與支撐座的外徑尺寸相同。本實用新型結構簡單，操作方便，具有對晶圓片吸附能力、有絕緣性，同時對刻蝕過程產生的熱量有冷卻功能，能夠保證加工質量，提高工作效率。


圖I是本實用新型的結構示意圖。圖2是本實用新型的承載盤主視圖。圖3是圖2中A-A剖視圖。圖4是本實用新型的支撐座主視圖。圖中I、承載盤，11、溝槽，12、真空通道，13、頂針孔，14、冷卻液出口，15、冷卻液入口，16、密封圈槽，17、晶圓片放置平臺，2、支撐座。
具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型作進一步說明參照附圖，刻蝕電極機中的下電極裝置，包括承載盤I、支撐座2，其特徵在於所述的支撐座2上面設置有承載盤1，承載盤I與支撐座2按對應位置焊接為一體。所述的承載盤I包括冷卻液入口 15、溝槽11、冷卻液出口 14、真空通道12、頂針孔13、密封圈槽16、晶圓片放置平臺17。所述的承載盤I與支撐座2焊接時，確保承載盤I上的冷卻液入口 15及冷卻液出口 14與支撐座2上的冷卻液入口 15及冷卻液出口 14對應在相同位置上。所述的承載盤I的外徑尺寸與支撐座2的外徑尺寸相同。具體實施時，對本實用新型外側進行硬質陽極氧化處理，形成一層氧化層使下電極與工作環境保持絕緣；對晶圓片放置平臺17表面進行噴砂處理，達到較粗糙的表面光潔度，組裝完成後。將需要刻蝕的晶圓片放置在平臺17上，通過真空通道12抽取真空，經噴砂處理成粗糙表面的平臺17對晶圓片產生吸附力，通過頂針的升起和下落可移動晶圓片，上電極接IOOOV正電荷，下電極不帶電，兩電極間形成電場，等離子氣體通上電極後在電場中被加速，轟擊平臺17上的晶圓片，達到刻蝕的目的。刻蝕過程中,冷卻液通過冷卻液入口 15進入曲折的溝槽結構，沿溝槽11路徑通過冷卻
液出口 14流出，帶走工作過程中產生的熱量。
權利要求1.刻蝕電極機中的下電極裝置，包括承載盤(I)、支撐座(2)，其特徵在於所述的支撐座(2 )上面設置有承載盤(I)，承載盤(I)與支撐座(2 )按對應位置焊接為一體。
2.根據權利要求I所述的刻蝕電極機中的下電極裝置，其特徵在於所述的承載盤(I)包括冷卻液入口(15)、溝槽(11)、冷卻液出口(14)、真空通道(12)、頂針孔(13)、密封圈槽(16)、晶圓片放置平臺(17)。
3.根據權利要求I所述的刻蝕電極機中的下電極裝置，其特徵在於所述的承載盤(I)與支撐座(2)焊接時，確保承載盤(I)上的冷卻液入口( 15)及冷卻液出口( 14)與支撐座(2)上的冷卻液入口(15)及冷卻液出口(14)對應在相同位置上。
4.根據權利要求I所述的刻蝕電極機中的下電極裝置，其特徵在於所述的承載盤(I)的外徑尺寸與支撐座(2)的外徑尺寸相同。
專利摘要刻蝕電極機中的下電極裝置，包括承載盤(1)、支撐座(2)，所述的支撐座(2)上面設置有承載盤(1)，承載盤(1)與支撐座(2)按對應位置焊接為一體。本實用新型結構簡單，操作方便，具有對晶圓片吸附能力、有絕緣性，同時對刻蝕過程產生的熱量有冷卻功能，能夠保證加工質量，提高工作效率。
文檔編號H01L21/67GK202816864SQ201220156300
公開日2013年3月20日 申請日期2012年4月14日 優先權日2012年4月14日
發明者遊利 申請人:靖江先鋒半導體科技有限公司