半導體熱膨脹玻璃氈的製作方法

2023-05-27 06:29:01

專利名稱：半導體熱膨脹玻璃氈的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體熱膨脹玻璃氈，主要用於電機襯墊材料，受熱膨脹， VPI吸漆多，絕緣耐熱等級可達H級(180°C )。
背景技術：
原來為了達到電機防暈目的，在槽部及層間絕緣往往採用中間為熱膨脹玻 璃氈，上下兩面用半導體層壓玻璃布板三層組合而成，半導體層壓玻璃布板它的厚度 規格可以是0. 5-0. 8mm(±0. 20mm) ;1. 0-1. 5mm(±0. 25mm) ;1. 8-2. Omm(士O. 30mm); 2. 5-3. 0mm (±0. 40mm) ;3. 5-4. 0mm (±0. 50mm)， 密度 > 1. 6g/cm3， 表面電阻 1. OX 103-1. OX 105Q 。半導體層壓玻璃布板要作電機槽底墊條或層間墊條時必須按要求尺 寸經加工、切割、磨頭，因此不但造成材料浪費，且切割磨頭產生的粉塵還汙染環境，不利於 環保。並且還由於軟硬搭配、厚度拼湊，會造成墊條竄動等缺陷，造成電機運行可靠性差

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是克服現有技術中的不足而提供一種能延長電
機使用壽命、能使電機防暈、使用便利、簡單、省工省時的半導體熱膨脹玻璃氈。
本實用新型解決上述技術問題採用的技術方案是該半導體熱膨脹玻璃氈，為多
層結構，其特點在於包括熱膨脹玻璃氈和半導體低阻布，所述熱膨脹玻璃氈至少一個表面
上複合有半導體低阻布。 本實用新型所述的熱膨脹玻璃氈的單個表面上設置有半導體低阻布，半導體低阻 布與熱膨脹玻璃氈複合壓制。 本實用新型所述的熱膨脹玻璃氈的兩個表面上設置有半導體低阻布，半導體低阻 布與熱膨脹玻璃氈複合壓制。 本實用新型所述的半導體低阻布厚度為0.2士0.02mm，拉伸強度至少為
60N/10mm，表面電阻為200-1500 Q ，寬度為520 ± 5mm。 本實用新型所述的半導體熱膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3。 本實用新型與現有技術相比具有以下優點1、本實用新型兼具剛性絕緣材料(層
壓板)和柔性絕緣材料(預浸環氧適形材料等)二者的優點，同時又具有半導體性能。它在
常態下呈板材狀，有較大剛度，受熱後，內層的玻璃絲膨脹後結構相對疏鬆，極易吸漆。VPI
浸漆、烘焙處理後，能與相鄰的部件粘接成一堅實整體，具較好的絕緣性能和機械強度，還
可防止電暈產生，是一種兼具襯墊、膨脹和防電暈"三合一"的新型材料。2、由於半導體熱膨
脹玻璃氈外層有半導體低阻布，使得線圈在槽內電位均勻，電場降低能有效的防止電暈產
生。減少線圈的發熱，延長絕緣的老化壽命。3、由於半導體熱膨脹玻璃氈的受熱膨脹的特
性，浸漆處理後槽內各部分(線圈、墊條、槽楔等)能形成一個有機整體，減小電機的振動，
提高絕緣結構的機械強度。4、由於半導體熱膨脹玻璃氈結構疏鬆，受熱膨脹後能有效的填
充槽內細微間隙，減少發熱，增強散熱能力，從而延長電機壽命。5、由於半導體熱膨脹玻璃氈中膠粘劑的含量極少，在製造工藝中僅起成型作用，其餘絕大部分均為耐熱性高的無鹼 玻璃絲，當它與不同耐熱等級的浸漬漆配合使用時，可達到相應的耐溫等級。5、本實用新型 能起到防電暈的效果，且使用便利、簡單、省工省時。半導體熱膨脹玻璃氈經複合、壓製成一 整體，可有效免除搭配、厚度拼湊、墊條竄動等缺點。

圖1為本實用新型實施例1截面結構示意圖。 圖2為本實用新型實施例2截面結構示意圖。
具體實施方式實施例1 本實施例中的半導體熱膨脹玻璃氈包括熱膨脹玻璃氈l和半導體低阻布2，半 導體低阻布2熱壓複合在熱膨脹玻璃氈1的一面上，所述熱膨脹玻璃氈1採用中國專利 2008100624601 "—種用於製造熱膨脹性玻璃氈的膠及熱膨脹玻璃氈製造方法"中所述方 法製造，其厚度為3mm。半導體低阻布2其厚度為0. 2±0. 02mm，其表面電阻為200 Q ，拉伸 強度至少為60N/10mm，寬度為520士5mm。在上述生產過程中製得的熱膨脹玻璃氈1 (B階狀 態)與經選擇符合低阻布技術要求的半導體低阻布複合。將熱膨脹玻璃氈l與半導體低阻 布2複合品送入壓機，通過導向輥，在120°C -13(rC下經3h左右壓製成半導體熱膨脹玻璃 氈。成批量生產時，各層相鄰半導體熱膨脹玻璃氈之間襯聚酯薄膜，起到隔離作用。半導 體熱膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3，膠粘劑含量為5% 11% (重量百分數)，熱膨脹率 8(TC、30min時，厚度方向上膨脹大於等於50% ， 130°C 、30min時，厚度方向上膨脹大於等於 100 % ，浸漆前表面電阻103-106 Q ，浸漆後表面電阻大於等於1. 0 X 1012 Q 。 實施例2 本實施例中的半導體熱膨脹玻璃氈包括熱膨脹玻璃氈l和半導體低阻布2，半 導體低阻布2熱壓複合在熱膨脹玻璃氈1的兩面上，所述熱膨脹玻璃氈1採用中國專利 2008100624601 "—種用於製造熱膨脹性玻璃氈的膠及熱膨脹玻璃氈製造方法"中所述方法 製造，其厚度為lmm。半導體低阻布2其厚度為0. 2士0.02mm，其表面電阻為1500 Q，拉伸 強度至少為60N/10mm，寬度為520士5mm。。在上述生產過程中製得的熱膨脹玻璃氈1 (B階 狀態)與經選擇符合低阻布技術要求的半導體低阻布複合。將熱膨脹玻璃氈1與半導體低 阻布2複合品送入壓機，通過導向輥，在120°C -13(rC下經3h左右壓製成半導體熱膨脹玻 璃氈。成批量生產時，各層相鄰半導體熱膨脹玻璃氈之間襯聚酯薄膜，起到隔離作用。半導 體熱膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3，膠粘劑含量為5% 11% (重量百分數)，熱膨脹率 80°C 、30min時，厚度方向上大於等於50% ， 130°C 、30min時，厚度方向上大於等於100% ，浸 漆前表面電阻103-106 Q ，浸漆後表面電阻大於等於1. 0X1012Q 。 本實用新型所述的熱膨脹玻璃氈常規厚度可為lmm±15%、1.5mm±15%、 2mm±15%、2. 5mm± 15% 、3mm± 15% 、4mm± 15% 、5mm± 15% ，或按具體要求。未壓制前的白 坯玻璃氈厚度一般為0. 4-0. 6mm，如是厚度較厚可以由幾層浸膠烘焙後的熱膨脹玻璃氈在 壓機上壓製得到。 本實用新型應用時，當作為電機槽底墊條使用時，可以採用0.5mm單面半導體低阻布複合熱膨脹玻璃氈。當作為電機層間墊條時，當層間墊條厚度大於等於3.5mm時，採 用兩條O. 5mm單面半導體低阻布複合熱膨脹玻璃氈，低電阻面相對，當層間墊條厚度小於 3. 5mm時，採用一條雙面半導體低阻布複合熱膨脹玻璃氈。 雖然本實用新型已以實施例公開如上，但其並非用以限定本實用新型的保護範 圍，任何熟悉該項技術的技術人員，在不脫離本實用新型的構思和範圍內所作的更動與潤 飾，均應屬於本實用新型的保護範圍。
權利要求一種半導體熱膨脹玻璃氈，為多層結構，其特徵在於包括熱膨脹玻璃氈和半導體低阻布，所述熱膨脹玻璃氈至少一個表面上複合有半導體低阻布。
2. 根據權利要求1所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特徵在於所述的熱膨脹玻璃氈的 單個表面上設置有半導體低阻布，半導體低阻布與熱膨脹玻璃氈複合壓制。
3. 根據權利要求1所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特徵在於所述的熱膨脹玻璃氈的 兩個表面上設置有半導體低阻布，半導體低阻布與熱膨脹玻璃氈複合壓制。
4. 根據權利要求1、2或3所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特徵在於所述的半導體低阻布厚度為0. 2±0. 02mm，拉伸強度至少為60N/10mm，表面電阻為200-1500 Q ，寬度為 520士5mm。
5. 根據權利要求1、2或3所述的半導體熱膨脹玻璃氈，其特徵在於所述的半導體熱 膨脹玻璃氈密度為1. 4-1. 5g/cm3。
專利摘要本實用新型公開了一種半導體熱膨脹玻璃氈及其生產方法，該半導體熱膨脹玻璃氈為多層結構，其特點在於包括熱膨脹玻璃氈和半導體低阻布，所述熱膨脹玻璃氈至少一個表面上複合有半導體低阻布。本實用新型能延長電機使用壽命，能使電機防暈、使用便利、簡單、省工省時。
文檔編號B32B17/02GK201520088SQ20092019656
公開日2010年7月7日 申請日期2009年9月21日 優先權日2009年9月21日
發明者劉剛, 趙金球, 陸雲峰 申請人:嘉興市新大陸機電有限公司