一種用於製造溝渠電容器的方法
2023-06-17 05:30:16 2
專利名稱：一種用於製造溝渠電容器的方法
技術領域：
本發明涉及一種用於製造溝渠電容器的方法，尤其是一種用於製造溝渠電容器的方法。
背景技術：
本發明提供一種用於製造溝渠電容器的方法，其中包含於基板內形成溝渠。溝渠各壁都以實質上以均勻厚度覆蓋於溝渠各側壁的半導體材料襯隔開。將介電軸環形成於溝渠上邊部分內的該半導體材料上方。去除溝渠底邊部分內的半導體材料。形成節點介電層使軸環與溝渠底邊部分上之各溝渠側壁襯隔開。將溝渠填充以攙雜半導體材料，這類攙雜半導體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等於大約該溝渠上邊部分的直徑
發明內容
針對上述問題，本發明提供一種用於製造溝渠電容器的方法。本發明提供一種用於製造溝渠電容器的方法，其中包含於基板內形成溝渠。溝渠各壁都以實質上以均勻厚度覆蓋於溝渠各側壁的半導體材料襯隔開。將介電軸環形成於溝渠上邊部分內的該半導體材料上方。去除溝渠底邊部分內的半導體材料。形成節點介電層使軸環與溝渠底邊部分上之各溝渠側壁襯隔開。將溝渠填充以攙雜半導體材料，這類攙雜半導體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等於大約該溝渠上邊部分的直徑。
具體實施例方式本發明提供一種用於製造溝渠電容器的方法，其中包含於基板內形成溝渠。溝渠各壁都以實質上以均勻厚度覆蓋於溝渠各側壁的半導體材料襯隔開。將介電軸環形成於溝渠上邊部分內的該半導體材料上方。去除溝渠底邊部分內的半導體材料。形成節點介電層使軸環與溝渠底邊部分上之各溝渠側壁襯隔開。將溝渠填充以攙雜半導體材料，這類攙雜半導體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等於大約該溝渠上邊部分的直徑。一種用於製造溝渠電容器的方法，其包括於基板內形成溝渠；將溝渠各壁以實質上以均勻的厚度覆蓋於溝渠各側壁的半導體材料襯隔開；將介電軸環形成於溝渠上邊部分內的該半導體材料上方；去除溝渠底邊部分內的半導體材料；形成節點介電層使軸環與溝渠底邊部分上之各溝渠側壁襯隔開；以及將溝渠填充以攙雜半導體材料，這類攙雜半導體材料提供了該溝渠電容器的電極，一種用於製造溝渠電容器的方法，其包括於基板內形成瓶狀溝渠；將溝渠各壁以實質上以均勻的厚度覆蓋於溝渠各側壁之半導體材料襯隔開，這溝渠在該溝渠之內部區域內沒有材料；將介電軸環形成於溝渠上邊部分內的該半導體材料上方；去除溝渠底邊部分內的半導體材料；形成節點介電層使軸環與溝渠底邊部分上之各溝渠側壁襯隔開；以及將溝渠填充以攙雜半導體材料，這類攙雜半導體材料提供了該溝 渠電容器的電極；其中該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等於大約該溝渠上邊部分的直徑。
權利要求
1.一種用於製造溝渠電容器的方法，其包括基板內形成溝渠；將溝渠各壁以實質上以均勻的厚度覆蓋於溝渠各側壁之半導體材料襯隔開；將介電軸環形成於溝渠上邊部分內的該半導體材料上方；去除溝渠底邊部分內的半導體材料；形成節點介電層使軸環與溝渠底邊部分上之各溝渠側壁襯隔開；以及將溝渠填充以攙雜半導體材料，這類攙雜半導體材料提供了該溝渠電容器的電極。
全文摘要
本發明提供一種用於製造溝渠電容器的方法，其中包含於基板內形成溝渠。溝渠各壁都以實質上以均勻厚度覆蓋於溝渠各側壁的半導體材料襯隔開。將介電軸環形成於溝渠上邊部分內的該半導體材料上方。去除溝渠底邊部分內的半導體材料。形成節點介電層使軸環與溝渠底邊部分上之各溝渠側壁襯隔開。將溝渠填充以攙雜半導體材料，這類攙雜半導體材料提供了該溝渠電容器的電極。該溝渠的形成包含形成一種溝渠使得其溝渠下邊部分的直徑有效地至少等於大約該溝渠上邊部分的直徑。
文檔編號H01L21/02GK102779723SQ20111012285
公開日2012年11月14日 申請日期2011年5月13日 優先權日2011年5月13日
發明者費金華 申請人:吳江華誠複合材料科技有限公司